防切割渣引入凹槽的预开槽引线框架封装体的制备方法技术

技术编号:36709769 阅读:22 留言:0更新日期:2023-03-01 09:35
本发明专利技术公开了一种防切割渣引入凹槽的预开槽引线框架封装体的制备方法,先在引脚的背面形成凹槽,凹槽位于金属引线框架封装体的切割线处,凹槽的两侧距离宽于切割线的宽度,并在凹槽表面通过电镀覆盖一层锡金属层,凹槽表面的锡金属层低于引脚的背面、以形成凹坑状,再涂覆一层光致可剥离粘结剂,光致可剥离粘结剂覆盖锡金属层、以及引脚之间的树脂基体,然后沿切割线切割,最后剥离光致可剥离粘结剂,形成的金属引线框架封装体侧面具有端面开口的弧形凹槽。本发明专利技术提供的制备方法,降低了工艺难度,利于切割且切割后毛刺少,可防止切割渣引入预留的凹槽内,利用同性金属相吸的特性、及虹吸效应,爬锡量增加、爬锡效率提高,大大提高产品的良品率。大提高产品的良品率。大提高产品的良品率。

【技术实现步骤摘要】
防切割渣引入凹槽的预开槽引线框架封装体的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
,更具体涉及一种防切割渣引入凹槽的预开槽引线框架封装体的制备方法。

技术介绍

[0002]常规的QFN/DFN产品的树脂塑封后的半成品——引线框架封装体,如图1所示,引线框架封装体主要由多个芯片座B以及设置在芯片座B周围的多个引脚C以及树脂基体A构成,相邻的两个芯片座B之间的引脚C为一个整体,通过分离形成两个单独的芯片座B各自的引脚C,引线框架的分离是刀沿切割线D切割的方式来实现。
[0003]由于切割刀片是树脂中包含金刚石颗粒,在刀片高速旋转下对塑封料包裹的金属框架实现切割,在此过程中,会产生大量的热量。刀片切割引线框架封装体的引脚部分,铜等其他坚硬金属会严重损耗切割刀片,同时被切割的引脚断面在高温、撞击下形成大量的毛刺,并且会产生锡渣铜渣等切割渣。
[0004]为减小切割刀片的损耗,有人提出采用半蚀刻的方式在引脚上形成凹槽,然后在进行切割。但是经过试验实践发现,引脚的背面面积很小,现有的半蚀刻技术无法精准地达到所设计的凹槽结构,凹槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.防切割渣引入凹槽的预开槽引线框架封装体的制备方法,其特征在于,包括:S1:取金属引线框架封装体,所述金属引线框架封装体包括树脂基体、设于树脂基体上的芯片座、以及芯片座周围的引脚,在所述引脚的背面开槽形成凹槽,所述凹槽位于金属引线框架封装体的切割线处,所述凹槽的两侧距离宽于切割线的宽度,所述凹槽底部未穿透引脚;S2:在金属引线框架封装体的背面,将裸露的引脚和凹槽表面通过电镀覆盖一层锡金属层,所述凹槽表面的锡金属层低于引脚的背面、以形成凹坑状;S3:在金属引线框架封装体的背面涂覆一层光致可剥离粘结剂,所述光致可剥离粘结剂覆盖锡金属层、以及引脚之间的树脂基体;S4:沿金属引线框架封装体的切割线进行切割,形成若干个独立的沿金属引线框架封装体;S5:将切割后的金属引线框架封装体涂覆有光致可剥离粘结剂的位置进行光照射,剥离除去光致可剥离粘结剂,形成的金属引线框架封装体侧面具有端面开口的弧形凹槽。2.根据权利要求1所述的防切割渣引入凹槽的预开槽引线框架封装体的制备方法,其特征在于,所述S1中的凹...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈晗玥王乾
申请(专利权)人:江苏芯德半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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