一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域。一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及背面铜层；所述正面铜层的铜箔沿着边缘设置有阶梯状凹槽，铜箔的横截面面积从上至下阶梯状递增，所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构或者上下设置的双层凹槽结构。普通氧化铝基板在

【技术实现步骤摘要】
一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体是覆铜陶瓷基板提高可靠性的方法。

技术介绍

[0002]覆铜陶瓷基板具有较好的热循环性、形状稳定、导热率高、可靠性好，覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点，使用温度相当广泛，热膨胀系数接近于硅，其应用领域十分广泛：可用于半导体致冷器、电子加热器，大功率电力半导体模块，功率控制电路、功率混合电路、智能功率组件等多项半导体领域。
[0003]覆铜陶瓷基板一般由正面图形面、中间层陶瓷、背面散热面组成。正面一般根据功能需求，设计成不同的线路图形，背面一般为无图形的整面金属层。由于正面与背面的图形及残铜率的差异，使覆铜陶瓷基板存在两面受应力不均的现象，且在温度变化下，由于铜和陶瓷的热膨胀系数(CTE：Coefficient of Thermal Expansion)的差异，会在铜和陶瓷边缘界面形成较大应力，最终会使金属与陶瓷的结合层出现分层，开裂等情况。这极大的影响产品的寿命与可靠性。
[0004]目前缺乏克服热膨胀系数差异导致的金属与陶瓷的结合层出现分层，开裂等情本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及背面铜层；所述正面铜层的铜箔沿着边缘设置有阶梯状凹槽，铜箔的横截面面积从上至下阶梯状递增，所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构或者上下设置的双层凹槽结构。2.根据权利要求1所述的一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于：当正面铜层的厚度为0.2mm时；所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构，所述阶梯状凹槽的宽度为0.05mm～0.10mm；深度为0.05mm～0.10mm。3.根据权利要求1所述的一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于：当正面铜层的厚度为0.3mm时，所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构时，所述阶梯状凹槽的宽度为0.05mm～0.20mm；深度为0.1mm～0.25mm；所述阶梯状凹槽为双层凹槽结构时，双层凹槽结构包括从下至上依次设置的第一层边缘台阶以及第二层边缘台阶，第一层边缘台阶的宽度为0.05mm～0.2mm,深度为0.05mm～0.15mm，第二层边缘阶梯的宽度为0.05mm～0.2mm,深度为0.15mm～0.25mm。4.根据权利要求1所述的一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于：当正面铜层的厚度为0.4mm时，所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构时，所述阶梯状凹槽的宽度为0.1mm～0.3mm；深度为0.1mm～0.35mm；所述阶梯状凹槽为双层凹槽结构时，双层凹槽结构包括从下至上依次设置的第一层边缘台阶以及第二层边缘台阶，第一层边缘台阶的宽度为0.1mm～0.3mm,深度为0.1mm～0.25mm，第二层边缘阶梯的宽度为0.1mm～0.3mm,深度为0.25mm～0.35mm。5.一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及背面铜层；所述正面铜层以及背面铜层的铜箔沿着边缘设置有阶梯状凹槽，铜箔的横截面面积从上至下阶梯状递增，所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构或者上下设置的双层凹槽结构。6.根据权利要求5所述的一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于：当正面铜层以及背面铜层的厚度为0.2mm时；所述阶梯状凹槽为单层凹槽结构，所述阶梯状凹槽的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：周轶靓，贺贤汉，王斌，吴承侃，戴洪兴，
申请(专利权)人：上海富乐华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：