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本发明涉及半导体技术领域。一种提高覆铜陶瓷基板可靠性的方法，其特征在于，所述覆铜陶瓷基板包括从上至下依次设置的正面铜层、陶瓷层以及背面铜层；所述正面铜层的铜箔沿着边缘设置有阶梯状凹槽，铜箔的横截面面积从上至下阶梯状递增，所述阶梯状凹槽为单层...
该专利属于上海富乐华半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海富乐华半导体科技有限公司授权不得商用。

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