半导体结构及半导体结构的制作方法技术

本申请涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一金属层；在第一绝缘层上形成第二绝缘层，且将第一金属层埋设于第二绝缘层内；对第二绝缘层的上表面进行预处理，以平坦化第二绝缘层；在平坦化的第二绝缘层的上表面形成第二金属层。在形成第二金属层之前，通过对第二绝缘层的上表面进行预处理，保证第二绝缘层的上表面具有较高的平整度，以此保证后续在第二绝缘层的上表面形成的第二金属层底部趋于水平，以此改善形成的半导体结构的性能。体结构的性能。体结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，利用双重RDL重布线，实现共模电感。由于RDL线圈的结构限制，在RDL线圈顶层的介电层会出现凸起，影响第二次RDL的生长，且形成的第二层RDL扭曲变形严重。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，以改善半导体结构的性能。
[0004]根据本申请的第一个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
[0005]提供衬底；
[0006]在衬底上形成第一绝缘层；
[0007]在第一绝缘层上形成第一金属层；
[0008]在第一绝缘层上形成第二绝缘层，且将第一金属层埋设于第二绝缘层内；
[0009]对第二绝缘层的上表面进行预处理，以平坦化第二绝缘层；
[0010]在平坦化的第二绝缘层的上表面形成第二金属层。
[0011]在本申请的一个实施例中，对第二绝缘层的上表面进行预处理包括：
[0012]去除第二绝缘层的部分，且避免暴露第一金属层。
[0013]在本申请的一个实施例中，预处理第二绝缘层之前，第一金属层上方的第二绝缘层的厚度为h，去除第二绝缘层的厚度不小于h/3。
[0014]在本申请的一个实施例中，去除第二绝缘层的部分包括：
[0015]在第二绝缘层上形成凹槽，凹槽与第一金属层直接相对。
[0016]在本申请的一个实施例中，去除第二绝缘层的部分还包括：
[0017]烘烤形成凹槽的第二绝缘层，以平坦化第二绝缘层。
[0018]在本申请的一个实施例中，第二绝缘层烘烤前的厚度与第二绝缘层烘烤后的厚度之差大于凹槽的深度。
[0019]在本申请的一个实施例中，在第二绝缘层上形成凹槽包括：
[0020]在第二绝缘层的上方形成掩膜版，掩膜版形成有图形区域，并使得图形区域与第一金属层相对设置；
[0021]经曝光、显影处理后，将曝光区域的第二绝缘层溶解脱落，以形成凹槽。
[0022]在本申请的一个实施例中，图形区域做栅格形状处理。
[0023]在本申请的一个实施例中，第一绝缘层包括聚合物层，第二绝缘层包括聚合物层。
[0024]在本申请的一个实施例中，第一金属层与第二金属层交叠设置。
[0025]在本申请的一个实施例中，第一金属层的线宽不大于10um，第一金属层的线距不
大于10um。
[0026]在本申请的一个实施例中，第二金属层的线宽不大于10um，第二金属层的线距不大于10um。
[0027]在本申请的一个实施例中，半导体结构的制作方法，还包括：
[0028]在第二绝缘层的上表面形成第三绝缘层，并将第二金属层埋设于第三绝缘层内。
[0029]根据本申请的第二个方面，提供了一种半导体结构，包括由上述的半导体结构的制作方法获得的半导体结构。
[0030]本申请实施例的半导体结构的制作方法在衬底上依次形成了第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层以及第二金属层，且在形成第二金属层之前，通过对第二绝缘层的上表面进行预处理，保证第二绝缘层的上表面具有较高的平整度，以此保证后续在第二绝缘层的上表面形成的第二金属层底部趋于水平，以此改善形成的半导体结构的性能。
附图说明
[0031]通过结合附图考虑以下对本申请的优选实施方式的详细说明，本申请的各种目标，特征和优点将变得更加显而易见。附图仅为本申请的示范性图解，并非一定是按比例绘制。在附图中，同样的附图标记始终表示相同或类似的部件。其中：
[0032]图1是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法的流程示意图；
[0033]图2是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第一绝缘层的结构示意图；
[0034]图3是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第一金属层的结构示意图；
[0035]图4是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第二绝缘层的结构示意图；
[0036]图5是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成掩膜版的结构示意图；
[0037]图6是根据一示例性实施方式示出的一种掩膜版的图形区域的结构示意图；
[0038]图7是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成显影部分的结构示意图；
[0039]图8是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成凹槽的结构示意图；
[0040]图9是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第二绝缘层的结构示意图；
[0041]图10是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第二金属层的结构示意图；
[0042]图11是根据一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第三绝缘层的结构示意图；
[0043]图12是根据另一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第二金属层的结构示意图；
[0044]图13是根据另一示例性实施方式示出的一种半导体结构的制作方法形成第三绝
缘层的结构示意图。
[0045]附图标记说明如下：
[0046]10、衬底；20、第一绝缘层；30、第一金属层；40、第二绝缘层；41、凹槽；42、显影部分；50、第二金属层；60、掩膜版；61、图形区域；70、第三绝缘层。
具体实施方式
[0047]体现本申请特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本申请能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本申请的范围，且其中的说明及附图在本质上是作说明之用，而非用以限制本申请。
[0048]在对本公开的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，附图形成本公开的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本公开的多个方面的不同示例性结构、系统和步骤。应理解的是，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本公开范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“之上”、“之间”、“之内”等来描述本公开的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本公开的范围内。
[0049]本申请的一个实施例提供了一种半导体结构的制作方法，请参考图1，半导体结构的制作方法包括：
[0050]S101，提供衬底10；
[0051]S103，在衬底10上形成第一绝缘层20；
[0052]S105，在第一绝缘层20上形成第一金属层30；
[0053]S107，在第一绝缘层20上形成第二绝缘层40，且将第一金属层30埋设于第二绝缘层40内；
[0054]S109，对第二绝缘层40的上表面进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一金属层；在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，且将所述第一金属层埋设于所述第二绝缘层内；对所述第二绝缘层的上表面进行预处理，以平坦化所述第二绝缘层；在平坦化的所述第二绝缘层的上表面形成第二金属层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述第二绝缘层的上表面进行预处理包括：去除所述第二绝缘层的部分，且避免暴露所述第一金属层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，预处理所述第二绝缘层之前，所述第一金属层上方的所述第二绝缘层的厚度为h，去除所述第二绝缘层的厚度不小于h/3。4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除所述第二绝缘层的部分包括：在所述第二绝缘层上形成凹槽，所述凹槽与所述第一金属层直接相对。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除所述第二绝缘层的部分还包括：烘烤形成所述凹槽的所述第二绝缘层，以平坦化所述第二绝缘层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘层烘烤前的厚度与所述第二绝缘层烘烤后的厚度之差大于所述凹槽的深度。7.根据权利要求4至6中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范增焰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：