【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体是裂纹发生工段的方法。
技术介绍
1、dcb 陶瓷基板作为一种关键的基础材料，广泛应用于高功率半导体器件、电力电子模块等诸多产品中。由于其制造工艺复杂，涉及高温烧结、蚀刻、成品自动检查等多个环节，在生产过程中极易产生裂纹缺陷。这些裂纹不仅影响基板的机械强度，更可能导致电气性能的劣化，如漏电、短路等问题，严重威胁产品的可靠性。
2、目前，针对 dcb 基板裂纹的检测手段主要聚焦于裂纹的物理形态表征，例如利用光学显微镜、扫描电子显微镜（sem）观察裂纹的尺寸、走向、分支情况等，以及借助超声检测、x 射线检测来确定裂纹在基板内的深度和分布。然而，当需要判断裂纹产生后是否接触过化学药水时，现有技术存在明显不足。一方面，常规的物理检测方法无法提供关于化学药水沾染的直接信息；另一方面，传统化学分析技术针对 dcb 基板裂纹内部微量化学残留物的检测难度大、成本高，需要破坏样品提取物质进行复杂的实验室分析，难以满足大规模工业化生产中快速、无损、现场可操作性的要求。
技术实现思路<...
【技术保护点】
1.一种判断DCB基板裂纹发生工段的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种判断DCB基板裂纹发生工段的方法，其特征在于：步骤一中，DCB裂纹产品放入真空加热炉中加热，在氮气或氢气氛围中，加热温度为325℃-450℃，加热时间为5-30分钟。
3.根据权利要求1所述的一种判断DCB基板裂纹发生工段的方法，其特征在于：步骤二中，通过50-500倍的显微镜观察，裂缝处是否有发黑现象。
4.根据权利要求1所述的一种判断DCB基板裂纹发生工段的方法，其特征在于：DCB裂纹产品是单面或者双面覆铜后的DCB成品。
<...【技术特征摘要】
1.一种判断dcb基板裂纹发生工段的方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种判断dcb基板裂纹发生工段的方法，其特征在于：步骤一中，dcb裂纹产品放入真空加热炉中加热，在氮气或氢气氛围中，加热温度为325℃-450℃，加热时间为5-30分钟。
3.根据权利要求1所述的一种判断dcb基板裂纹发生工段的方法，其特征在于：步骤二中，通过50-500倍的显微镜观察，裂缝处是否有发黑现象。
4.根据权利要求1所述的一种判断dcb基板裂纹发生工段的方法，其特征在于：dcb裂纹产品是单面或者双面覆铜后的dcb成品。
5.根据权利要求2所述的一种判断dcb基板裂纹发生工段的方法，其特征在于：步骤一中，dcb裂纹产品放入真空加热炉中加热，在氮气或氢气氛...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐节召，邹旭阳，阳强俊，戴洪兴，
申请(专利权)人：上海富乐华半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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