本发明专利技术提供半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置，在将半导体元件安装于基板来制造半导体装置时能在避免基板损伤的同时防止基板产生翘曲并能提高半导体装置的制造效率。具有安装于工件的半导体元件(7)被密封材料(9)密封的构造的半导体装置(11)的制造方法具备：工件载置过程，在该过程中，将工件载置于在承载件(1)上层叠用于保持工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的保持薄膜侧；元件安装过程，在该过程中，在被载置于薄膜层叠体的工件上安装半导体元件；密封过程，在该过程中，利用密封材料将安装于工件的半导体元件密封；以及脱离过程，在该过程中，使工件和被密封材料密封的半导体元件脱离薄膜层叠体。层叠体。层叠体。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置
[0001]本专利技术涉及用于制造在以基板为例的工件上安装有半导体元件的半导体装置的半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置。
技术介绍
[0002]作为将以使用了有机硅半导体的IC为例的半导体元件安装(连接)于基板的方法，采用了使基板的导体部分与半导体元件的电极位置对应并使两者连接的方法(作为一例，有倒装芯片接合法)。在该安装方法中，在多个半导体元件中的各半导体元件形成焊料凸块之后，经由焊料凸块使基板与多个半导体元件接触。
[0003]之后，通过使用回流炉等进行加热而使焊料熔融，半导体元件被安装于基板。然后，将安装在基板上的半导体元件用树脂覆盖并密封，由此制得半导体装置。作为将半导体元件密封的工序的一例，在将安装于基板上的半导体元件配置于模具的内部后，在模具内填充树脂，使该树脂加热熔融、固化，由此利用树脂密封半导体元件。
[0004]在制造这样的半导体装置的情况下，在使焊料加热熔融的工序或使树脂加热熔融、固化的工序中，容易出现因热而使基板变形从而使基板产生翘曲这样的问题。若在基板产生翘曲，则半导体元件与基板之间的尺寸会根据半导体元件的位置而不同，产生半导体元件与基板之间的接触不良。另外，若在基板产生翘曲的状态下进行树脂密封，则会因基板的变形等而引起基板位置精度变差，导致成形时的树脂泄漏等树脂密封不良。
[0005]以在半导体装置的制造过程中防止基板由热导致的翘曲为目的，以往提出了以下那样的方案。作为第一以往方法，可举出如下方法：在使半导体元件与基板接触后，以包围半导体元件的方式在基板上搭载翘曲矫正治具，利用翘曲矫正治具的自重将半导体元件周围的基板固定，由此防止基板翘曲(参照专利文献1)。
[0006]并且，在该专利文献1中，提出了如下方案：在基板之下载置磁体，使用不锈钢材作为翘曲矫正治具，由此利用在磁体与不锈钢制的治具之间产生的磁力来固定半导体元件周围的基板。
[0007]作为防止基板由热导致的翘曲的第二以往方法，提出了如下方法：在使半导体元件与基板接触之后，在利用夹紧爪夹持基板的左右两端而进行支承的状态下，向基板伸长的方向拉伸基板(参照专利文献2)。
[0008]专利文献1：日本特开2013－232582号公报
[0009]专利文献2：日本特开2017－087551号公报
技术实现思路
[0010]专利技术要解决的问题
[0011]然而，在上述以往方法中存在如下问题。即，近年来，基板的薄型化急速推进。在以往的方法中，在防止基板的翘曲时，会对基板作用比较大的力。因此，若对薄型基板应用以
往的方法，则担心薄型化的基板无法承受应力而导致基板产生裂纹、缺口或变形等损伤这样的问题。
[0012]另外，在以往的方法中，需要配设翘曲矫正治具并对基板施加压力再除去翘曲矫正治具这样的一系列的工序，或者需要利用夹紧件来把持基板并对基板施加拉伸力再解除夹紧件对基板的把持这样的一系列的工序。由于这一系列的工序需要时间，因此在以往的方法中还产生难以提高半导体装置的制造效率的问题。
[0013]本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其主要目的在于，提供如下的半导体装置的制造方法、工件一体化装置、薄膜层叠体和半导体装置，即，在将半导体元件安装于基板来制造半导体装置时，能够在避免基板损伤的同时防止基板产生翘曲，并且能够提高半导体装置的制造效率。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]本专利技术为了实现这样的目的而采用如下那样的方案。
[0016]即，本专利技术提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有安装于工件的半导体元件被密封用树脂密封的构造，该半导体装置的制造方法的特征在于，该半导体装置的制造方法具备：工件载置过程，在该工件载置过程中，将所述工件载置于在支承体上层叠用于保持所述工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的所述保持薄膜所在侧；元件安装过程，在该元件安装过程中，在被载置于所述薄膜层叠体的所述工件上安装所述半导体元件；密封过程，在该密封过程中，利用所述密封用树脂将安装于所述工件的所述半导体元件密封；以及脱离过程，在该脱离过程中，使所述工件和被所述密封用树脂密封的所述半导体元件脱离所述薄膜层叠体。
[0017](作用
·
效果)
[0018]根据该方案，在工件载置过程中，将工件载置于在支承体上层叠用于保持工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的保持薄膜侧。即，作为将半导体元件安装于工件的前阶段，将工件载置于薄膜层叠体中的保持薄膜侧。
[0019]保持薄膜用于保持工件，通过在薄膜层叠体中的保持薄膜侧载置工件，从而确保工件的平坦性。即，在安装半导体元件的工序和密封半导体元件的工序等中，能够利用保持薄膜来防止工件因加热等而变形从而工件的一部分从薄膜层叠体浮起的情况。因此，能够更可靠地防止产生半导体元件的安装不良或半导体元件的安装位置偏移。
[0020]另外，保持薄膜与工件的较大的范围接触而保持工件。即，保持薄膜通过使保持力均等地作用于工件的较大的范围来防止工件的变形。因此，能够更可靠地避免如下这样的情况：因使以按压或把持为例的较大的物理压力作用于工件的较小的范围而导致工件在该物理压力所作用的部分等破损。
[0021]并且，通过在薄膜层叠体的保持薄膜侧载置工件这样的简单的操作，从而防止工件变形的保持力作用于工件。即，能够大幅缩短防止工件变形的工序所需的时间。因此，能够在提高半导体装置的制造效率的同时防止工件变形。
[0022]另外，在上述专利技术中，优选的是，将在所述脱离过程中所述工件和所述半导体元件完成脱离后的所述薄膜层叠体重复使用于下次进行的所述工件载置过程中。
[0023](作用
·
效果)
[0024]根据该方案，由于保持薄膜为薄膜状，因此，在将半导体装置从薄膜层叠体分离
时，能够避免保持薄膜的构成材料的一部分剥离而作为残渣附着于工件的情况。因此，能够将在第一次的半导体装置的制造工序涉及的脱离过程中从半导体装置分离的薄膜层叠体再次使用于下次(第二次)进行的工件载置过程。即，在第二次和第二次之后的半导体装置的制造工序中不必制造薄膜层叠体，因此能够缩短半导体装置的大量生产所需的时间，并且能够大幅降低成本。另外，由于能够削减支承体和保持薄膜的废弃量，因此也能够降低对环境的负担。
[0025]另外，在上述专利技术中，优选的是，所述保持薄膜由包含有机硅或氟化合物的多孔体构成。
[0026](作用
·
效果)
[0027]根据该方案，通过将工件载置于保持薄膜，从而在成为多孔质状的保持薄膜的表面产生以吸附工件的方式保持工件的力。即，通过将工件载置于薄膜层叠体，从而在从工件朝向保持薄膜的方向上产生吸附力。工件变形而工件的一部分欲从薄膜层叠体浮起的动作被该吸附力阻碍。因此，在用于制造半导体装置的各工序中，工件能够维持密合于保持薄膜的平坦的形状，因而能够提高供半导体元件安装的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有安装于工件的半导体元件被密封用树脂密封的构造，该半导体装置的制造方法的特征在于，该半导体装置的制造方法具备：工件载置过程，在该工件载置过程中，将所述工件载置于在支承体上层叠用于保持所述工件的保持薄膜而成的薄膜层叠体的所述保持薄膜所在侧；元件安装过程，在该元件安装过程中，在被载置于所述薄膜层叠体的所述工件上安装所述半导体元件；密封过程，在该密封过程中，利用所述密封用树脂将安装于所述工件的所述半导体元件密封；以及脱离过程，在该脱离过程中，使所述工件和被所述密封用树脂密封的所述半导体元件脱离所述薄膜层叠体。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，将在所述脱离过程中所述工件和所述半导体元件完成脱离后的所述薄膜层叠体重复使用于下次进行的所述工件载置过程中。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述保持薄膜由包含有机硅或氟化合物的多孔体构成。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述薄膜层叠体构成为在俯视时比所述工件小，在所述工件载置过程中，所述工件以所述工件的外周部向所述薄膜层叠体的外侧突出的方式载置于所述薄膜层叠体。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述工件载置过程具备：配置过程，在该配置过程中，将所述工件和所述薄膜层叠体配置于具备上壳体和下壳体的腔室的内部空间；减压过程，在该减压过程中，对所述腔室的内部空间进行减压；加压过程，在该加压过程中，在所述腔室的内部空间被减压的状态下将所述工件向所述薄膜层叠体加压。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述工件载置过程还具备分离过程，在该分离过程中，使配置于所述腔室的内部空间的所述工件和所述薄膜层叠体分离而在所述工件与所述薄膜层叠体之间形成间隙部，在所述减压过程中，在通过所述分离过程而在所述工件与所述薄膜层叠体之间形成有所述间隙部的状态下对所述腔室的内部空间进行减压。7.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述密封过程具备：树脂填充过程，在该树脂填充过程中，在将安装于所述工件的所述半导体元件配置于由上部模具和下部模具构成的密封用模具的内部空间的状态下，将所述密封用树脂以熔融的状态填充于所述内部空间；以及树脂固化过程，在该树脂固化过程中，通过使所填充的所述密封用树脂固化来利用所述密封用树脂密封所述半导体元件，
在所述脱离过程中，使所述工件和被所述密封用树脂密封的所述半导体元件脱离所述薄膜层叠体，并且使所述上部模具脱离所述工件。8.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述密封过程具备：树脂填充过程，在该树脂填充过程...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊关亮，秋月伸也，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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