颗粒料的装料、熔料及复投的方法技术

本申请涉及半导体材料制备领域，公开了一种颗粒料的装料、熔料及复投的方法，装料、熔料的过程包括如下步骤：将第一质量的颗粒料铺置于坩埚底部；在所述第一质量的颗粒料上方装入块料，所述块料与所述坩埚侧壁之间留有间隔空间；在所述间隔空间内以及所述块料的上方铺置碎料，以使所述碎料完全覆盖所述块料和所述第一质量的颗粒料；其中，所述块料的等效直径大于所述碎料的等效直径大于所述第一质量的颗粒料的等效直径；熔料。本申请的方法在加料时，块料和碎料会覆盖于颗粒料之上，压住了颗粒料，从而极大程度上减缓了氢跳现象的发生。从而极大程度上减缓了氢跳现象的发生。从而极大程度上减缓了氢跳现象的发生。

【技术实现步骤摘要】
颗粒料的装料、熔料及复投的方法


[0001]本申请实施例涉及半导体材料制备领域，特别涉及一种颗粒料的装料、熔料及复投的方法。

技术介绍

[0002]直拉法单晶拉制是利用籽晶从熔体拉出单晶的方法。将原料装在坩埚内加热熔化。将一个切成特定晶向的籽晶的端部，浸入溶体并使其略有熔化。然后，控制温度，缓慢地将籽晶垂直提升，拉出的液体固化为单晶。
[0003]目前在直拉法单晶拉制中，采用的加料工艺流程依次为料筒装料、挂料及加料。但由于流化床法自身的生产工艺原因，颗粒硅中氢含量相比块状硅要高，在后端拉棒环节受热容易生产跳硅，即氢跳现象，从而对单晶炉热场的使用寿命和拉棒的稳定性和质量产生不利影响，氢跳发生导致溅硅后对热场部件有一定损伤，同时还会影响拉晶状态。
[0004]申请内容
[0005]本申请实施方式的目的在于提供一种颗粒料的装料、熔料及复投的方法，利用这种加料方法在加入颗粒料的过程中对加料工艺进行调整，从而极大程度上减缓氢跳现象的发生。
[0006]为解决上述技术问题，本申请的实施方式提供了一种颗粒料的装料、熔料及复投的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种颗粒料的装料、熔料及复投的方法，其特征在于，所述装料、熔料的过程包括如下步骤：将第一质量的颗粒料铺置于坩埚底部；在所述第一质量的颗粒料上方装入块料，所述块料与所述坩埚侧壁之间留有间隔空间；在所述间隔空间内以及所述块料的上方铺置碎料，以使所述碎料完全覆盖所述块料和所述第一质量的颗粒料；其中，所述块料的等效直径大于所述碎料的等效直径大于所述第一质量的颗粒料的等效直径；熔料。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将第一质量的颗粒料铺置于坩埚底部，包括：将所述第一质量的颗粒料由所述坩埚底部铺置到所述坩埚底部与所述坩埚的侧壁之间衔接的位置。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一质量的颗粒料上方装入块料之后，且在所述间隔空间内以及所述块料的上方铺置碎料之前，还包括：在所述块料上方装入与所述第一质量的颗粒料相同等效直径的第二质量的颗粒料，以使所述第二质量的颗粒料填充所述块料的内部间隙。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二质量在所述第一质量与所述第二质量的质量和中的占比不大于20％。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述块料的直径大于200mm不大于250mm；所述碎料的直径大于10mm不大于100mm；所述颗粒料的直径大于1mm不大于2mm。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述颗粒料的总重量占待熔料总重量的占比不大于30％。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：熔料时，将主加热功率设定为不小于100KW且不大于115KW...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宇昂，向鹏，熊波，
申请(专利权)人：四川晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：