一种降低直拉单晶复投碳含量的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块，所述提升模块可带动所述提升杆和内导本体上下移动。本实用新型专利技术的有益效果是有效的避免了复投过程多晶原料磕碰内导流筒引入石墨元素导致的单晶碳高问题，提升了单晶品质，提高了石墨内导流筒的使用寿命，有效提高了生产效率，节约了生产成本。节约了生产成本。节约了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种降低直拉单晶复投碳含量的装置


[0001]本技术属于太阳能单晶硅拉制
，尤其是涉及一种降低直拉单晶复投碳含量的装置。

技术介绍

[0002]在现有单晶拉制过程中，为了降低生产成本并最大限度的提高石英坩埚的利用率，采用多次复投硅料的方式进行单炉次多颗单晶的拉制。直拉单晶炉现有的内导流筒材质有石英、钼或石墨等，受产品工艺限制，有些直拉单晶的生长必须使用石墨材质的内导流筒。如图1所示，复投筒提升杆1挂在提升钢缆上，复投筒随提升钢缆缓慢下降，直至复投筒限位块2与副室限位块3接触，此时复投筒筒身7不再向下运动，当提升钢缆继续下降，复投伞9与复投筒筒身7分离，多晶原料4从开缝处下料，多晶原料4砸在内导流筒8上，若使用石墨材质的内导流筒，不规则的多晶原料4在复投过程中磕碰内导流筒8引入石墨碎屑至硅溶液中，容易引起单晶碳高。碳的存在会影响单晶硅中晶格参数的变化，进而影响单晶硅的电阻率，高的碳含量会损害单晶硅的晶格完整性，导致PN结特性变坏，影响单晶硅的导电性。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本技术提供一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，有效的解决了复投过程多晶原料对石墨内导流筒的磕碰问题，克服了现有技术的不足。
[0004]本技术采用的技术方案是：一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块，所述提升模块可带动所述提升杆和内导本体上下移动。
[0005]进一步，所述内导本体包括一体连接设置的上段部和下段部，所述上段部为竖直设置，所述上段部的顶部与所述提升杆连接，所述下段部靠近所述内导本体中心轴线倾斜设置。
[0006]进一步，所述上段部顶部设有水平延伸端与所述提升杆连接，所述水平延伸端沿水平方向向所述内导本体外部延伸。
[0007]进一步，所述提升杆靠近所述内导本体的一端穿过所述水平延伸端，所述水平延伸端下部设有第一固定块，用于将所述内导本体固定在所述提升杆上，且所述第一固定块可带动所述内导本体沿所述提升杆上下移动。
[0008]进一步，所述水平延伸端上部设有第二固定块，配合所述第一固定块固定所述内导本体。
[0009]进一步，所述提升杆靠近所述内导本体的一端设有螺纹。
[0010]进一步，所述第一固定块上设有供所述提升杆穿过的第一螺纹孔。
[0011]进一步，所述第二固定块上设有供所述提升杆穿过的第二螺纹孔。
[0012]进一步，所述提升模块包括电机和丝杠，所述丝杠设置在单晶炉盖顶部，所述电机
带动所述丝杠的螺杆旋转，从而带动所述丝杠上的滑块上下移动，所述滑块与所述提升杆穿过所述炉盖的一端连接。
[0013]进一步，所述内导本体由钼构造而成。
[0014]本技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，有效的避免了复投过程多晶原料磕碰内导流筒引入石墨元素导致的单晶碳高问题，提升了单晶品质，提高了石墨内导流筒的使用寿命，有效提高了生产效率，节约了生产成本。
附图说明
[0015]图1是现有技术复投过程示意图。
[0016]图2是本技术实施例一种降低直拉单晶复投碳含量的装置结构示意图。
[0017]图3是本技术实施例一种降低直拉单晶复投碳含量的装置复投过程使用示意图。
[0018]图4是本技术实施例一种降低直拉单晶复投碳含量的装置拉晶过程使用示意图。
[0019]图中：
[0020]1、复投筒提升杆
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
2、复投筒限位块
ꢀꢀꢀꢀꢀ
3、副室限位块
[0021]4、多晶原料
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
5、导流筒提升杆
ꢀꢀꢀꢀꢀ
6、导流筒提升模块
[0022]7、复投筒筒身
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
8、内导流筒
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
9、复投伞
[0023]10、外导流筒
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
11、内导本体
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
111、上段部
[0024]112、下段部
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
113、水平延伸端
ꢀꢀꢀꢀꢀ
114、第一固定块
[0025]115、第二固定块
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12、提升杆
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
13、提升模块
[0026]131、电机
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
132、丝杠螺杆
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
133、丝杠滑块
[0027]14、单晶提拉头
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
15、单晶
具体实施方式
[0028]本技术实施例提供了一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，下面结合附图对本技术的实施例做出说明。
[0029]在本技术实施例的描述中，需要理解的是，术语“顶部”、“底部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]如图2
‑
4所示，本技术实施例一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，此装置可移动式安装在单晶炉内导流筒8的内表面，包括内导本体11和提升杆12，内导本体11设置在内导流筒的内表面，提升杆12一端与内导本体11顶部连接，另外一端穿过单晶炉的炉盖并设有提升模块13，提升模块13可带动提升杆12和内导本体11上下移动。复投过程中，内导本
体11放置在内导流筒8的内表面，保护内导流筒8的内表面不被多晶原料4磕碰。单晶拉制过程中，提升模块13带动提升杆12和内导本体11上移，使内导本体11置于内导流筒8和炉盖之间，使气流能够更集中均匀地顺着内导流筒8流动，减少扩散到炉盖空腔的气体与乱流，减少挥发氧化物在炉盖上的堆积。
[0031]具体的，内导本体11包括一体连接设置的上段部111和下段部112，上段部111为竖直设置，上段部111的顶部与提升杆12连接，下段部112靠近内导本体11中心轴线倾斜设置。下段部112的倾斜角度与内导流筒8的倾斜角度匹配。上段部111高度小于下段部112的高度。
[0032]具体的，为了便于与提升杆12连接，上段部111顶部设有水平延伸端113与提升杆12连接，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，其特征在于，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块，所述提升模块可带动所述提升杆和内导本体上下移动。2.根据权利要求1所述的一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，其特征在于：所述内导本体包括一体连接设置的上段部和下段部，所述上段部为竖直设置，所述上段部的顶部与所述提升杆连接，所述下段部靠近所述内导本体中心轴线倾斜设置。3.根据权利要求2所述的一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，其特征在于：所述上段部顶部设有水平延伸端与所述提升杆连接，所述水平延伸端沿水平方向向所述内导本体外部延伸。4.根据权利要求3所述的一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，其特征在于：所述提升杆靠近所述内导本体的一端穿过所述水平延伸端，所述水平延伸端下部设有第一固定块，用于将所述内导本体固定在所述提升杆上，且所述第一固定块可带动所述内导本体沿所述提升杆上下移动。...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔凯斌，刘伟，韩飞宇，郝小龙，周宏邦，王淼，张强，贾海洋，娄中士，王立刚，王彦君，孙晨光，
申请(专利权)人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：