一种降低直拉单晶复投碳含量的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块，所述提升模块可带动所述提升杆和内导本体上下移动。本实用新型专利技术的有益效果是有效的避免了复投过程多晶原料磕碰内导流筒引入石墨元素导致的单晶碳高问题，提升了单晶品质，提高了石墨内导流筒的使用寿命，有效提高了生产效率，节约了生产成本。节约了生产成本。节约了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种降低直拉单晶复投碳含量的装置


[0001]本技术属于太阳能单晶硅拉制
，尤其是涉及一种降低直拉单晶复投碳含量的装置。

技术介绍

[0002]在现有单晶拉制过程中，为了降低生产成本并最大限度的提高石英坩埚的利用率，采用多次复投硅料的方式进行单炉次多颗单晶的拉制。直拉单晶炉现有的内导流筒材质有石英、钼或石墨等，受产品工艺限制，有些直拉单晶的生长必须使用石墨材质的内导流筒。如图1所示，复投筒提升杆1挂在提升钢缆上，复投筒随提升钢缆缓慢下降，直至复投筒限位块2与副室限位块3接触，此时复投筒筒身7不再向下运动，当提升钢缆继续下降，复投伞9与复投筒筒身7分离，多晶原料4从开缝处下料，多晶原料4砸在内导流筒8上，若使用石墨材质的内导流筒，不规则的多晶原料4在复投过程中磕碰内导流筒8引入石墨碎屑至硅溶液中，容易引起单晶碳高。碳的存在会影响单晶硅中晶格参数的变化，进而影响单晶硅的电阻率，高的碳含量会损害单晶硅的晶格完整性，导致PN结特性变坏，影响单晶硅的导电性。

技术实现思路

[0003]为解决上述技术问题，本技术提供一种降低直拉单晶复投碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，可移动式设置在单晶炉内导流筒的内表面，其特征在于，包括内导本体和提升杆，所述内导本体设置在所述内导流筒的内表面，所述提升杆一端与所述内导本体顶部连接，另外一端穿过所述单晶炉的炉盖并设有提升模块，所述提升模块可带动所述提升杆和内导本体上下移动。2.根据权利要求1所述的一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，其特征在于：所述内导本体包括一体连接设置的上段部和下段部，所述上段部为竖直设置，所述上段部的顶部与所述提升杆连接，所述下段部靠近所述内导本体中心轴线倾斜设置。3.根据权利要求2所述的一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，其特征在于：所述上段部顶部设有水平延伸端与所述提升杆连接，所述水平延伸端沿水平方向向所述内导本体外部延伸。4.根据权利要求3所述的一种降低直拉单晶复投碳含量的装置，其特征在于：所述提升杆靠近所述内导本体的一端穿过所述水平延伸端，所述水平延伸端下部设有第一固定块，用于将所述内导本体固定在所述提升杆上，且所述第一固定块可带动所述内导本体沿所述提升杆上下移动。...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔凯斌，刘伟，韩飞宇，郝小龙，周宏邦，王淼，张强，贾海洋，娄中士，王立刚，王彦君，孙晨光，
申请(专利权)人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：