【技术实现步骤摘要】
本申请属于单晶硅晶棒回熔，尤其是涉及一种晶棒回熔装置。
技术介绍
1、现有晶棒回熔都采用硅液热量回融，也就是待回熔的晶棒浸入熔融的硅液中，靠硅液的热量将晶棒熔化。但整个过程中，由于晶棒壁面温度与石英坩埚内的熔硅温度相差较大，当晶棒直接浸入熔硅溶液中后，会吸入熔硅大量温度，导致熔硅温度降低，从而会使得石英坩埚内的熔硅溶液的温度不够高，浸入晶段过长而导致晶段有过多未能熔化的情况，这样若不及时处理，会出现因熔硅温度降低而出现析晶现象，极易引起单晶掉落，甚至引起漏硅。析晶对回熔质量影响较大，也会加长回熔时间，不仅效率低且风险大，直接影响后期拉晶质量。
技术实现思路
1、本申请提供一种晶棒回熔装置，解决了现有技术中无法对晶棒提前进行预加热的技术问题。
2、为解决至少一个上述技术问题，本申请采用的技术方案是：
3、一种晶棒回熔装置，包括炉体，所述炉体内设有：
4、第一加热件，用于对颗粒状/块状硅料进行熔融；
5、第二加热件，用于对成型晶棒进行预加热，其构置在第一加热件上方；
6、工作时，悬置的晶棒被第二加热件预加热到目标温度后，下行并浸入到第一加热件所融化的熔硅中，再被熔融为液态。
7、进一步的，所述第二加热件被悬吊于所述第一加热件的正上方，其被构造为环柱状结构并构置有可被晶棒穿过的空腔；
8、优选地，其被构置于导流筒内侧，且其下端面与导流筒下端面平齐。
9、进一步的，所述第二加热件被构造为一体的螺
10、进一步的，所述第二加热件为电阻丝或电磁线圈制成的环形结构。
11、进一步的，所述第二加热件的横截面可被构造为扁状结构或圆柱结构。
12、进一步的，还包括用于悬吊所述第二加热件的吊杆，其上端面通过连接件与所述炉体的炉盖连接；
13、优选地，所述吊杆被构造为可调节长度的结构；
14、优选地，所述吊杆至少构置有两个，且对称配置。
15、进一步的，还包括用于监控晶棒被所述第二加热件加热以及被所述第一加热件加热时外壁面直径的ccd摄像机；所述ccd摄像机被配置在所述吊杆异侧并与所述吊杆错位配置。
16、进一步的，所述ccd摄像机的数量为两个，且两个所述ccd摄像机所监控的位置不同。
17、进一步的，用于安装两个所述ccd摄像机的位置可为同一个，或被分别独立设置。
18、进一步的，还包括用于悬吊晶棒的提拉头；其中，在提拉头上还构置有用于监控晶棒重量的重量传感器。
19、采用本申请设计的一种晶棒回熔装置，结构简单且易于拆装，可对晶棒在熔融之前先进行预加热，并可对整个回熔过程中进行全程监控，回熔连贯性好且安全可控，回熔质量好且效率高。
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1.一种晶棒回熔装置，包括炉体，其特征在于，所述炉体内设有：
2.根据权利要求1所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件被悬吊于所述第一加热件的正上方，其被构造为环柱状结构并构置有可被晶棒穿过的空腔；
3.根据权利要求1或2所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件被构造为一体的螺旋式结构或者为上下叠放而置的独立式结构。
4.根据权利要求3所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件为电阻丝或电磁线圈制成的环形结构。
5.根据权利要求4所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件的横截面可被构造为扁状结构或圆柱结构。
6.根据权利要求1-2、4-5任一项所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，还包括用于悬吊所述第二加热件的吊杆，其上端面通过连接件与所述炉体的炉盖连接；
7.根据权利要求6所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，还包括用于监控晶棒被所述第二加热件加热以及被所述第一加热件加热时外壁面直径的CCD摄像机；所述CCD摄像机被配置在所述吊杆异侧并与所述吊杆错位配置。
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9.根据权利要求8所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，用于安装两个所述CCD摄像机的位置可为同一个，或被分别独立设置。
10.根据权利要求1-2、4-5、7-9任一项所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，还包括用于悬吊晶棒的提拉头；其中，在提拉头上还构置有用于监控晶棒重量的重量传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种晶棒回熔装置，包括炉体，其特征在于，所述炉体内设有：
2.根据权利要求1所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件被悬吊于所述第一加热件的正上方，其被构造为环柱状结构并构置有可被晶棒穿过的空腔；
3.根据权利要求1或2所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件被构造为一体的螺旋式结构或者为上下叠放而置的独立式结构。
4.根据权利要求3所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件为电阻丝或电磁线圈制成的环形结构。
5.根据权利要求4所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，所述第二加热件的横截面可被构造为扁状结构或圆柱结构。
6.根据权利要求1-2、4-5任一项所述的一种晶棒回熔装置，其特征在于，还包括用于悬吊所述第二加热件...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔凯斌，周宏邦，王淼，贾海洋，张强，娄中士，王立刚，
申请(专利权)人：内蒙古中环领先半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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