用于放大器输入对保护的方法和系统技术方案

本申请案涉及用于放大器输入对保护的方法和系统。一种存储器装置包含电压产生器，所述电压产生器经配置以产生用于传输到所述存储器装置的至少一个组件的参考电压。所述电压产生器包含第一输入以接收具有第一电压值的第一信号。所述电压产生器还包含第二输入以接收具有第二电压值的第二信号。所述电压产生器进一步包含：第一电路，其经配置以产生第三电压；以及第二电路，其耦合到所述第一电路以接收第三电压值，其中所述第二电路接收所述第一信号和所述第二信号，且经配置以利用所述第三电压值来促进所述第一电压值与所述第二电压值的比较以产生输出电压。值的比较以产生输出电压。值的比较以产生输出电压。

【技术实现步骤摘要】
用于放大器输入对保护的方法和系统


[0001]本公开的实施例大体上涉及半导体装置的领域。更具体地说，本公开的实施例涉及存储器放大器保护电路系统。

技术介绍

[0002]通常，例如半导体装置、存储器芯片、微处理器芯片、图像芯片等的电子装置可包含一或多个放大器电路，所述放大器电路可为可用作电压产生器(例如产生用于电子装置中的参考电压的产生器)的电路。然而，在实施电压产生器时，电压产生器的准确性(例如，其一致地产生预定或所请求电压电平的能力)与电压产生器的电路系统的保护之间可能存在竞争性目标以确保电压产生器的可靠性。此外，用于电子装置中的电压产生器的传统保护方案通常依赖于外部(全局)路线，此举可增大实施这些电压产生器的大小和复杂性，这可在电子装置的大小持续减小时引起问题。
[0003]本公开的实施例可针对于上文所阐述的问题中的一或多者。

技术实现思路

[0004]根据本申请案的一方面，提供一种存储器装置。所述存储器装置包括：电压产生器，其经配置以产生用于传输到所述存储器装置的至少一个组件的参考电压，其中所述电压产生器包括：第一输入，其接收具有第一电压值的第一信号；第二输入，其接收具有第二电压值的第二信号；第一电路，其经配置以产生第三电压值；以及第二电路，其耦合到所述第一电路以接收所述第三电压值，其中所述第二电路接收所述第一信号和所述第二信号，且经配置以利用所述第三电压值来促进所述第一电压值与所述第二电压值的比较，以产生输出电压。
[0005]根据本申请案的另一方面，提供一种差分放大器。所述差分放大器包括：第一电路，其经配置以产生具有预定电压电平的输出电压；以及耦合到所述第一电路的第二电路，其中所述第二电路包括：晶体管；第一路径，其耦合到所述晶体管以将所述输出电压传输到所述晶体管的源极；选择器，其经配置以选择性地传输多个所接收信号中的所选信号；第二路径，其耦合到所述第一路径和所述选择器以将所述输出电压作为所述多个所接收信号中的一个所接收信号传输到所述选择器；以及第三路径，其耦合到所述选择器和所述晶体管以在所述多个所接收信号中的所述一个所接收信号由所述选择器选择时将所述一个所接收信号传输到所述晶体管的栅极，其中所述晶体管基于所述晶体管由所述多个所接收信号中的所述一个所接收信号激活而产生具有第二预定电平的第二输出电压。
[0006]根据本申请案的又一方面，提供一种方法。所述方法包括：在电压产生器处接收具有第一电压电平的第一信号；经由所述电压产生器的第一电路在内部产生具有第二电压电平的第二信号；从包括所述第一信号和所述第二信号的多个信号选择所述第二信号；将所述第二信号传输到所述电压产生器的晶体管的栅极以激活所述晶体管；以及产生具有基于所述第二信号的所述第二电压电平的第三电压电平的输出电压信号。
附图说明
[0007]图1是说明根据本公开的实施例的存储器装置的某些特征的简化框图；
[0008]图2是根据本公开的实施例的图1的存储器装置的参考电压产生器的框图。
[0009]图3是根据本公开的实施例的图2的参考电压产生器的第一实施例的电路图。
[0010]图4是根据本公开的实施例的图2的参考电压产生器的第二实施例的电路图。
具体实施方式
[0011]下文将描述一个或多个具体实施例。为了提供这些实施例的简要描述，不会在本说明书中描述实际实施方案的所有特征。应了解，在任何这样的实际实施方案的发展中，如同在任何工程或设计项目中，必须制定许多实施方案特定决策以实现研发者的特定目标，例如与系统相关和企业相关约束条件的一致性，这可从一个实施方案到另一实施方案有所变化。此外，应了解，这种发展努力可能是复杂且耗时的，然而将是从本公开获益的所属领域的技术人员从事的设计、构造和制造的例程。
[0012]电压产生器(例如，参考电压产生器)用于例如存储器装置的电子装置中以产生具有所选或预定电平的可用电压。然而，暴露于超出特定阈值电平的供电电压或其它输入电压可能造成电压产生器中的劣化和/或故障，这致使所产生的实际电压量不同于其期望值或可能致使电压产生器停止操作。因此，本专利技术的实施例提供保护和电路系统以在电压产生器操作时保护电压产生器。
[0013]现转向诸图，图1是说明存储器装置10的某些特征的简化框图。具体地说，图1的框图是说明存储器装置10的某些功能性的功能框图。根据一个实施例，存储器装置10可为随机存取存储器(RAM)装置、动态RAM(DRAM)装置、静态RAM(SRAM)装置(包含双数据速率SRAM装置)、快闪存储器或双数据速率类型四同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)装置或双数据速率类型五同步动态随机存取存储器(DDR5 SDRAM)装置。
[0014]存储器装置10可包含数个存储器存储体12。举例来说，存储器存储体12可为DDR4SDRAM存储器存储体。存储器存储体12可设置在布置于双列直插式存储器模块(DIMMS)上的一或多个芯片(例如，SDRAM芯片)上。如将了解，每一DIMM可包含数个SDRAM存储器芯片(例如，x4、x8或x16存储器芯片)。每一SDRAM存储器芯片可包含一或多个存储器存储体12。存储器装置10表示具有数个存储器存储体12的单个存储器芯片(例如，SDRAM芯片)的一部分。存储器装置10表示具有数个存储器存储体12的单个存储器芯片(例如，SDRAM芯片)的一部分。应了解，取决于所使用的总体系统的应用和设计以及存储器的类型，可利用存储器装置10上的存储器存储体12的各种其它配置、组织和大小。
[0015]存储器装置10可包含命令接口14和输入/输出(I/O)接口16。命令接口14经配置以从例如处理器或控制器的外部装置(未示出)提供多个信号(例如，信号15)。处理器或控制器可将各种信号15提供到存储器装置10以促进待写入到存储器装置10或从存储器装置10读取的数据的传输和接收。
[0016]如将了解，命令接口14可包含数个电路，例如时钟输入电路18和命令地址输入电路20，以保障信号15的恰当处置。命令接口14可从外部装置接收一或多个时钟信号。通常，双数据速率(DDR)存储器利用系统时钟信号的差分对，在本文中被称为真时钟信号(Clk_t)及互补时钟信号(Clk_c)。DDR的正时钟边缘指代上升真时钟信号Clk_t与下降互补时钟信
号Clk_c交叉的点，而负时钟边缘指示下降真时钟信号Clk_t的转变及互补时钟信号Clk_c的上升。命令(例如读取命令、写入命令等)通常在时钟信号的正边缘上输入，且数据是在正和负时钟边缘两者上传输或接收。
[0017]时钟输入电路18接收真时钟信号(Clk_t)和互补时钟信号(Clk_c)且产生内部时钟信号CLK。内部时钟信号CLK供应到内部时钟产生器30，例如延迟锁定环路(DLL)电路。内部时钟产生器30基于所接收的内部时钟信号CLK产生相控内部时钟信号LCLK。相位控制内部时钟信号LCLK供应到例如I/O接口16，并用作用于确定读取数据的输出定时的定时信号。
[0018本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：电压产生器，其经配置以产生用于传输到所述存储器装置的至少一个组件的参考电压，其中所述电压产生器包括：第一输入，其接收具有第一电压值的第一信号；第二输入，其接收具有第二电压值的第二信号；第一电路，其经配置以产生第三电压值；以及第二电路，其耦合到所述第一电路以接收所述第三电压值，其中所述第二电路接收所述第一信号和所述第二信号，且经配置以利用所述第三电压值来促进所述第一电压值与所述第二电压值的比较，以产生输出电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一电路包括保护电路作为所述第一电路，其中所述保护电路经配置以将所述第三电压传输到所述第二电路。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述电压产生器包括耦合到所述保护电路的加载装置。4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中所述加载装置经配置以产生第四电压且将其传输到所述保护电路。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中所述保护电路经配置以接收所述第四电压，其中所述保护电路包括选择器，所述选择器经配置以选择所述第四电压作为所选电压。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述保护电路包括耦合到所述选择器的晶体管。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述晶体管包括经配置以接收所述所选电压的栅极。8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中所述晶体管经配置以基于所述所选电压而以第一方式操作。9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述晶体管基于所述所选电压而产生所述第三电压。10.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述加载装置包括经配置以产生具有预定值的所述第四电压的第三电路。11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包括DDR4存储器装置。12.一种差分放大器，其包括：第一电路，其经配置以产生具有预定电压电平的输出电压；以及耦合到所述第一电路的第二电路，其中所述第二电路包括：晶体管；第一路径，其耦合到所述晶体管以将所述输出电压传输到所述晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志琪，褚炜路，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：