高温测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种高温测试装置，包括主板、基座、盒体、温控组件、温度感应件以及加热件，主板上设置有DIMM插槽，基座与主板间隔设置，且DIMM插槽穿过基座的底部并延伸至基座的内部空间，DRAM模组插设于DIMM插槽上；盒体与基座转动连接，盒体背向基座的一侧开设有放置槽；温控组件设于放置槽内，并与盒体连接；温度感应件装设于盒体面向基座的一侧并与温控组件电连接，加热件装设于盒体面向基座的一侧并与温控组件电连接。整个测试过程真实、快速，能有效了解DRAM模组在高温环境下的性能参数变化，在DRAM模组温度逐渐升高的过程中，及时发现并避免内存在实际使用过程中可能引发的故障，实用性强。实用性强。实用性强。

【技术实现步骤摘要】
高温测试装置


[0001]本技术涉及半导体测试
，具体涉及一种高温测试装置。

技术介绍

[0002]目动态随机存取存储器芯片(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。
[0003]而DRAM作为电脑必不可少的部件之一，在使用过程中容易产生大量的热量，并在电脑内部形成一个高温环境，就会出现很多常温下不易发现的故障，这些故障都会暴露出整台机器的质量问题；针对内存的测试，往往是在常温下进行的，测试温度无法与DRAM运转时产生的温度对比，所以隐患很难被发现。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的不足，本技术要解决的技术问题在于提供了一种高温测试装置，设计目的是为了发现并避免DRAM在实际使用过程中可能引发的故障。
[0005]为实现上述目的，本技术提出了一种高温测试装置，所述高温测试装置包括：
[0006]主板，所述主板上设置有DIMM插槽；
[0007]基座，所述基座与所述主板间隔设置，且所述DIMM插槽穿过所述基座的底部并延伸至所述基座的内部空间，所述DRAM模组插设于所述DIMM插槽上；
[0008]盒体，所述盒体与所述基座转动连接，以打开或关闭所述基座的内部空间，且所述盒体背向所述基座的一侧开设有放置槽；
[0009]温控组件，所述温控组件设于所述放置槽内，并与所述盒体连接；
[0010]温度感应件以及加热件，所述温度感应件装设于所述盒体面向所述基座的一侧并与所述温控组件电连接，所述加热件装设于所述盒体面向所述基座的一侧并与所述温控组件电连接。
[0011]在一可选的实施例中，所述高温测试装置还包括：
[0012]玻纤板，所述玻纤板装设于所述盒体面向所述基座的一侧，且所述玻纤板上设置第一安装部以及第二安装部，所述加热件安装在所述第一安装部上；
[0013]循环风扇，所述循环风扇安装在所述第二安装部上，以对所述基座的内部空间的热风进行循环。
[0014]在一可选的实施例中，所述加热件为PTC加热器。
[0015]在一可选的实施例中，所述高温测试装置还包括与所述温控组件电连接的直流电源，所述温控组件包括：
[0016]温控板以及继电器，所述直流电源的正极与所述温控板的正极连接，所述直流电源的负极与所述温控板的负极连接，所述继电器设于所述直流电源的正极与所述温控板的正极之间，且所述循环风扇连接在所述直流电源的正极和负极上；
[0017]其中，所述温控板具有第一引脚、第二引脚以及第三引脚，所述加热件连接在所述
第一引脚和所述直流电源的负极上，所述第二引脚与所述直流电源的正极连接，所述温度感应件与所述第三引脚连接。
[0018]在一可选的实施例中，所述盒体上开设有贯穿所述放置槽的槽壁的电源线通孔，所述直流电源的电源线穿过所述电源线通孔并与所述温控组件电连接。
[0019]在一可选的实施例中，所述温控组件的型号为W3230。
[0020]在一可选的实施例中，所述主板上设置有若干安装通孔，所述高温测试装置还包括：
[0021]若干固定铜柱，若干个所述固定铜柱分别穿过若干所述安装通孔，并固定于所述基座上。
[0022]在一可选的实施例中，所述高温测试装置还包括：
[0023]旋转组件，所述旋转组件具有旋转轴以及与所述旋转轴转动连接的第一连接件和第二连接件，所述第一连接件安装在所述盒体靠近所述放置槽的一外侧边，所述第二连接件安装在所述基座上；
[0024]锁扣件，所述锁扣件设于所述盒体相对所述旋转组件的另一外侧边，用于将所述盒体锁固在所述基座上。
[0025]在一可选的实施例中，所述主板上还设置有供电接口，所述基座上开设有避让槽，所述避让槽位于所述供电接口所在的区域，以对所述供电接口进行避让。
[0026]在一可选的实施例中，所述盒体与所述基座的材质均采用电木材质。
[0027]本技术提供了一种高温测试装置，包括主板、基座、盒体、温控组件、温度感应件以及加热件，所述主板上设置有DIMM插槽，所述基座与所述主板间隔设置，且所述DIMM插槽穿过所述基座的底部并延伸至所述基座的内部空间，所述DRAM模组插设于所述DIMM插槽上；所述盒体与所述基座转动连接，所述盒体背向所述基座的一侧开设有放置槽；所述温控组件设于所述放置槽内，并与所述盒体连接；所述温度感应件装设于所述盒体面向所述基座的一侧并与所述温控组件电连接，所述加热件装设于所述盒体面向所述基座的一侧并与所述温控组件电连接。即通过将DRAM模组插设在位于所述基座的内部空间的DIMM插槽上，并通过所述温控组件控制所述加热件通电，以使所述基座的内部空间的温度升高，从而模拟DRAM模组的工作空间；整个测试过程真实、快速，能有效了解DRAM模组在高温环境下的性能参数变化，在DRAM模组温度逐渐升高的过程中，及时发现并避免内存在实际使用过程中可能引发的故障，实用性强。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本技术实施例或示例性中的技术方案，下面将对实施例或示例性描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的获得其他的附图。
[0029]图1为本技术实施例高温测试装置的结构分解示意图；
[0030]图2为本技术实施例盒体的结构示意图；
[0031]图3为本技术实施例高温测试装置的电路示意图。
[0032]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0033]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0034]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示（诸如上、下、左、右、前、后
……
）仅用于解释在某一特定姿态（如附图所示）下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0035]另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
[0036]本技术提供了一种高温测试装置。
[0037]具体地，该高温测试装置用于对DRAM模组进行耐高温测试。
[0038]如图1~3所示，所述高温测试装置包括主板（图未示）、基座200、盒体300、温控组件400、温度感应件5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温测试装置，用于对DRAM模组进行测试，其特征在于，所述高温测试装置包括：主板，所述主板上设置有DIMM插槽；基座，所述基座与所述主板间隔设置，且所述DIMM插槽穿过所述基座的底部并延伸至所述基座的内部空间，所述DRAM模组插设于所述DIMM插槽上；盒体，所述盒体与所述基座转动连接，以打开或关闭所述基座的内部空间，且所述盒体背向所述基座的一侧开设有放置槽；温控组件，所述温控组件设于所述放置槽内，并与所述盒体连接；温度感应件以及加热件，所述温度感应件装设于所述盒体面向所述基座的一侧并与所述温控组件电连接，所述加热件装设于所述盒体面向所述基座的一侧并与所述温控组件电连接。2.根据权利要求1所述的高温测试装置，其特征在于，所述高温测试装置还包括：玻纤板，所述玻纤板装设于所述盒体面向所述基座的一侧，且所述玻纤板上设置第一安装部以及第二安装部，所述加热件安装在所述第一安装部上；循环风扇，所述循环风扇安装在所述第二安装部上，以对所述基座的内部空间的热风进行循环。3.根据权利要求2所述的高温测试装置，其特征在于，所述加热件为PTC加热器。4.根据权利要求2所述的高温测试装置，其特征在于，所述高温测试装置还包括与所述温控组件电连接的直流电源，所述温控组件包括：温控板以及继电器，所述直流电源的正极与所述温控板的正极连接，所述直流电源的负极与所述温控板的负极连接，所述继电器设于所述直流电源的正极与所述温控板的正极之间，且所述循环风扇连接在...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟波，林德先，
申请(专利权)人：深圳玖合精工科技有限公司，
类型：新型
国别省市：