【技术实现步骤摘要】
电源控制装置及其控制方法
[0001]本申请涉及半导体
,具体涉及一种电源控制装置及其控制方法。
技术介绍
[0002]在DRAM存储器设计中,随着存储器芯片的特征尺寸越来越小,芯片对功耗的要求也越来越高,由于存储器芯片中存储电容漏电,必须每隔一段时间就要执行一次自刷新(Self Refresh)动作,这样存储器芯片的内部电源装置就要经常驱动以实现自刷新,从而持续消耗一定的电流,随着存储器芯片的存储容量变大,其刷新功耗也越来越高。
技术实现思路
[0003]本申请的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种电源控制装置及其控制方法,该目的是通过以下技术方案实现的。
[0004]本申请的第一方面提出了一种电源控制装置,所述电源控制装置包括:第一延时模块、第二延时模块、与非门、第一非门至第三非门、输入端和输出端;
[0005]所述输入端通过所述第一非门与所述第一延时模块的输入和所述第二延时模块的输入均电连接;所述第一延时模块的输出与所述与非门的一个输入电连接,所述第二延时模块的输出通过所述第二非 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电源控制装置,其特征在于,所述电源控制装置包括:第一延时模块、第二延时模块、与非门、第一非门至第三非门、输入端和输出端;所述输入端通过所述第一非门与所述第一延时模块的输入和所述第二延时模块的输入均电连接;所述第一延时模块的输出与所述与非门的一个输入电连接,所述第二延时模块的输出通过所述第二非门与所述与非门的另一个输入电连接;所述与非门的输出通过所述第三非门与所述输出端电连接;其中,所述输入端用于与存储器的刷新控制端电连接,所述输出端用于与存储器的电源装置电连接,以控制所述电源装置的启动与关闭。2.根据权利要求1所述的电源控制装置,其特征在于,所述第一延时模块的延时时间小于所述第二延时模块的延时时间。3.根据权利要求2所述的电源控制装置,其特征在于,所述刷新控制端向所述输入端输入一低电平脉冲信号后,经过所述第一延时模块的延时时间时,所述输出端输出一高电平信号,以关闭所述存储器的电源装置,再经过所述第二延时模块的延时时间时,所述输出端输出一低电平信号,以启动所述存储器的电源装置。4.根据权利要求3所述的电源控制装置,其特征在于,所述刷新控制端向所述输入端输入的低电平脉冲信号用于控制所述存储器执行一次自刷新动作。5.根据权利要求1所述的电源控制装置,其特征在于,所述存储器的电源装置为参考电压发生器。6.一种如上述权利要求1至5任一项所述的电源控制装置的控制方法,其特征在于,所述方法包括:通过存储器的刷新控制端向所述电源控制装置的输入端输入一低电平脉冲信号;经过所述电源控制装置中第一延时模块的延时时间时,所述电源控制装置的输...
【专利技术属性】
技术研发人员:康卜文,杨红,杨涛,李俊杰,王文武,张欣,
申请(专利权)人:真芯北京半导体有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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