本发明专利技术公开了一种虚拟图形填充方法，包括：获取未填充的版图布局；计算所述版图上的不可填充区域；沿所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对；沿第一方向延伸布置位于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形至可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界；在所述版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；去除与所述不可填充区域交叠的所述虚拟图形。不可填充区域交叠的所述虚拟图形。不可填充区域交叠的所述虚拟图形。
【技术实现步骤摘要】
一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图
[0001]本专利技术涉及集成电路设计领域，具体涉及一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器DRAM(英文：Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)工艺中，主要的电容单元称为单元阵列，电容以外的区域称为周边区域，在工艺制造过程中，对于同一层，单元阵列区域和周边区域需要不同的工艺过程来完成。而单元阵列区域的工艺过程相比周边区域更加复杂，需要更多次的曝光，刻蚀。在中间曝光和刻蚀的过程中需要先将周边区域遮挡住，只留下单元阵列区域。为了解决刻蚀单元阵列的负载效应问题，而引入虚拟图形。
[0003]刻蚀技术包括湿法刻蚀和干法刻蚀，对较小的关键尺寸一般采用干法刻蚀技术，干法刻蚀一般采用等离子腐蚀技术。依靠高辉光放电形成的化学活性的游离基与被腐蚀的材料发生化学反应，形成挥发性的产物，是材料不断被腐蚀。刻蚀负载效应是因图形密度分布不均，会导致刻蚀在较密集的地方刻蚀速度较慢，在稀疏的地方刻蚀的速度较快，这使得稀疏地区会过度刻蚀。通常按照跨距铺满整个剩余空间的虚拟图形层来解决图形密度分布不均的情况。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图。
[0005]本申请一方面提供了一种虚拟图形填充方法，包括：获取未填充的版图布局；计算所述版图上的不可填充区域；沿所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对；沿第一方向延伸布置位于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形至可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界；在所述版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；去除与所述不可填充区域交叠的所述虚拟图形。
[0006]在一些实施例中，所述虚拟图形的形状为带状图形。
[0007]在一些实施例中，所述沿所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对包括：在所述不可填充区域的第一边界的一端布置1
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2条虚拟图形；在所述不可填充区域的第二边界的一端布置1
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2条虚拟图形。
[0008]在一些实施例中，所述在所述不可填充区域的第一边界的一端布置1
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2条虚拟图形包括：按照最小间距在所述第一边界的一端布置1
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2条与所述第一边界等长度的虚拟图形，所述最小间距是满足工艺制造条件下的最小间距。
[0009]在一些实施例中，所述在所述不可填充区域的第二边界的一端布置1
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2条虚拟图形包括：按照最小间距在所述第二边界的一端布置1
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2条与所述第二边界等长度的虚拟图形，所述最小间距是满足工艺制造条件下的最小间距。
[0010]在一些实施例中，所述在版图上的所述可填充区域的剩余空间，在所述第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向包括：在所述第二方向上按照预设间距间隔地布置所述虚拟图形。
[0011]在一些实施例中，所述在版图上的所述可填充区域的剩余空间，在所述第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向包括：从所述不可填充区域的所述第一边界与所述第二边界的中线位置向两边开始间隔地布置所述虚拟图形。
[0012]在一些实施例中，所述方法还包括：计算所述不可填充区域的宽度，所述宽度为所述第一边界和所述第二边界之间的距离；根据所述不可填充区域的宽度计算出所述第一边界与所述第二边界的中线位置。
[0013]在一些实施例中，所述方法还包括：若版图上的不可填充区域至少为两个，当相邻的两个不可填充区域的第一边界和/或第二边界不在同一直线上时，在相邻的两个不可填充区域之间添加矩形区域，所述矩形区域作为新增的不可填充区域。
[0014]在一些实施例中，在所述在版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形之后，还包括：去除与所述新增的不可填充区域交叠的所述虚拟图形。
[0015]本申请另一方面提供了一种半导体器件版图，包括：不可填充区域和可填充区域；所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置有虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对；布置于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形沿第一方向延伸至所述可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界；在版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置有所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；若所述版图上的不可填充区域至少为两个，当相邻的两个不可填充区域的第一边界和/或第二边界不在同一直线上时，相邻的两个不可填充区域之间布置有矩形区域，所述矩形区域作为新增的不可填充区域。
[0016]在一些实施例中，所述不可填充区域的所述第一边界和所述第二边界分别布置有至少2条虚拟图形，沿所述第一方向延伸至所述可填充区域的边界。
[0017]在一些实施例中，在所述第一边界和所述第二边界的一端布置的所述虚拟图形与所述第一边界和所述第二边界之间保持最小间距，所述最小间距是满足工艺制造条件下的最小间距。
[0018]在一些实施例中，在所述第一边界的一端布置的所述虚拟图形贴合于所述不可填充区域；在所述第二边界的一端布置的所述虚拟图形贴合于所述不可填充区域。
[0019]在一些实施例中，在所述第二方向上间隔地布置的所述虚拟图形之间的间距为预设间距；在所述第一边界和所述第二边界分别布置的至少2条虚拟图形之间的间距为预设间距。
[0020]本申请提供的一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图，计算所述版图上的不可填充区域；沿所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对；沿第一方向延伸布置位于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形至可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界；在所述版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；去除与所述不可填充区域交叠的所述虚拟图形，从而达到虚拟图形到不可填充区
域的边界为最小间隔。
附图说明
[0021]图1是根据本申请实施方式的一种虚拟图形填充方法流程图；
[0022]图2
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4示意性地示出虚拟图形填充过程结构变化示意图；
[0023]图5是根据本申请实施方式的一种半导体器件版图。
[0024]附图标记：
[0025]201：不可填充区域；202：虚拟图形；203：矩形区域；204：预设间距。
具体实施方式
[0026]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种虚拟图形填充方法，其特征在于，包括：获取未填充的版图布局；计算所述版图上的不可填充区域；沿所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对；沿第一方向延伸布置位于所述第一边界与所述第二边界的所述虚拟图形至可填充区域的边界，所述第一方向平行于所述第一边界；在所述版图上的所述可填充区域的剩余空间，在第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向；去除与所述不可填充区域交叠的所述虚拟图形。2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述虚拟图形的形状为带状图形。3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述沿所述不可填充区域的第一边界和第二边界分别布置虚拟图形，所述第一边界与所述第二边界相对包括：在所述不可填充区域的第一边界的一端布置1
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2条虚拟图形；在所述不可填充区域的第二边界的一端布置1
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2条虚拟图形。4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述在所述不可填充区域的第一边界的一端布置1
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2条虚拟图形包括：按照最小间距在所述第一边界的一端布置1
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2条与所述第一边界等长度的虚拟图形，所述最小间距是满足工艺制造条件下的最小间距。5.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述在所述不可填充区域的第二边界的一端布置1
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2条虚拟图形包括：按照最小间距在所述第二边界的一端布置1
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2条与所述第二边界等长度的虚拟图形，所述最小间距是满足工艺制造条件下的最小间距。6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述在版图上的所述可填充区域的剩余空间，在所述第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向包括：在所述第二方向上按照预设间距间隔地布置所述虚拟图形。7.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述在版图上的所述可填充区域的剩余空间，在所述第二方向上间隔地布置所述虚拟图形，所述第二方向垂直于所述第一方向包括：从所述不可填充区域的所述第一边界与所述第二边界的中线位置向两边开始间隔地布置所述虚拟图形。8.根据权利要求7所述方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鑫欣，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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