发光元件阵列及制造方法、光学装置、光测量装置制造方法及图纸

一种发光元件阵列及制造方法、光学装置、光测量装置，所述发光元件阵列具有：基板；多个发光元件，配置于所述基板上；多个狭窄槽，在所述多个发光元件的周围分别设置有多个，用于通过使发光层氧化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层；及块分离部，沿着配置有所述多个发光元件的各个位置，以包含至少1个拐点的方式弯曲设置，将所述多个发光元件的分离为多个块，在所述拐点，曲率的符号发生变化。化。化。

【技术实现步骤摘要】
发光元件阵列及制造方法、光学装置、光测量装置


[0001]本专利技术涉及一种发光元件阵列及制造方法、光学装置、光测量装置。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开有在构成VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)阵列的各VCSEL之间，发光区域的尺寸根据配置位置而不均匀。
[0003]专利文献2中公开有一种发光部件，其具备基板、多个激光二极管及多个设定晶闸管，所述基板通过在构成作为发光元件的一例的激光二极管的第1半导体层叠体上，经由隧道接合层或具有金属导电性的III
‑
V族化合物层，使构成驱动部的第2半导体层生长而成，所述驱动部将包含设定晶闸管在内的多个发光元件依次驱动为能够过渡到导通状态的状态。
[0004]专利文献3中公开有一种发光部件，其具备：基板；多个发光二极管，设置于基板上，向与基板的表面交叉的方向出射光；及多个设定晶闸管，分别层叠于多个发光二极管上，通过成为导通状态，将发光二极管驱动为能够过渡到导通状态的状态，其中，该设定晶闸管在朝向发光二极管的设定晶闸管的光的路径上具有开口部。
[0005]专利文献4中公开有一种发光装置，其中，排列有分别具有多个发光元件的多个发光元件组的发光部中，沿着该排列，在多个发光元件组的每一个上，该发光元件组中包含的多个发光元件并置而依次设定为发光或非发光的状态。
[0006]专利文献1：美国专利第10250012号说明书
[0007]专利文献2：日本专利第6245319号公报
[0008]专利文献3：日本专利第6369613号公报
[0009]专利文献4：日本特开2020
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120018号公报
[0010]在形成有多个发光元件的发光元件阵列中，有利用如下结构的发光元件阵列，即，在要构成发光元件的各个位置的周围设置多个沟槽等狭窄槽，从该狭窄槽内氧化发光层，由此形成电流狭窄层，将在发光层流动的电流限制在与设置有发光元件的位置对应的电流通过区域。
[0011]并且，在这样的发光元件阵列中，有时将多个发光元件分割为多个块，以块单位进行发光控制。如此按块分割多个发光元件时，在各块之间设置块分离部。

技术实现思路

[0012]本专利技术的目的在于提供一种能够抑制由于设置块分离部而对发光元件的排列产生影响的发光元件阵列、光学装置、光测量装置及发光元件阵列的制造方法。
[0013]本专利技术的第1方式的发光元件阵列，其具有：
[0014]基板；
[0015]多个发光元件，配置于所述基板上；
[0016]多个狭窄槽，在所述多个发光元件的周围分别设置有多个，用于通过使发光层氧
化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层；及
[0017]块分离部，沿着配置有所述多个发光元件的各个位置，以包含至少1个拐点的方式弯曲设置，将所述多个发光元件的分离为多个块，在所述拐点，曲率的符号发生变化。
[0018]本专利技术的第2方式的发光元件阵列在第1方式的发光元件阵列中，所述弯曲沿着由相对于发光元件的狭窄槽构成的排列，所述拐点在沿着不同的发光元件的狭窄槽时产生。
[0019]本专利技术的第3方式的发光元件阵列在第2方式的发光元件阵列中，所述不同的发光元件为互不相同的块的发光元件。
[0020]本专利技术的第4方式的发光元件阵列在第1方式至第3方式中任一方式的发光元件阵列中，所述块分离部构成为通过配置于不同块的相邻的2个发光元件之间的大致中间地点。
[0021]本专利技术的第5方式的发光元件阵列在第1方式至第4方式中任一方式的发光元件阵列中，所述块分离部为由槽構成的块分离槽，所述发光元件的发光不会因来自所述块分离槽的氧化而受到影响。
[0022]本专利技术的第6方式的发光元件阵列在第1方式至第3方式中任一方式的发光元件阵列中，所述块分离部为由槽构成的块分离槽，所述块分离槽由深度不同的多个槽构成。
[0023]本专利技术的第7方式的发光元件阵列在第1方式至第3方式中任一方式的发光元件阵列中，所述块分离部为由槽构成的块分离槽，所述狭窄槽的宽度比所述块分离槽的宽度宽。
[0024]本专利技术的第8方式的发光元件阵列在第1方式至第7方式中任一方式的发光元件阵列中，在配置有所述发光元件的周围，多个狭窄槽设置于以该发光元件为中心的圆上。
[0025]本专利技术的第9方式的发光元件阵列在第8方式的发光元件阵列中，在相邻的2个所述发光元件中，设置于周围的所述多个狭窄槽中的至少1个狭窄槽为共同设置。
[0026]本专利技术的第10方式的光学装置，其具备：
[0027]第1方式至第9方式中任一方式的发光元件阵列；
[0028]驱动部，驱动构成于所述发光元件阵列上的所述多个发光元件；及
[0029]控制部，控制所述驱动部，以执行利用通过所述发光元件阵列生成的光的处理。
[0030]本专利技术的第11方式的光测量装置，其具备：
[0031]第1方式至第9方式中任一方式的发光元件阵列；
[0032]受光元件，接收从所述发光元件阵列照射的光被对象物反射的反射光；及
[0033]处理部，对与通过所述受光元件接收的光相关的信息进行处理来测量从所述发光元件阵列至所述对象物为止的距离或该对象物的形状。
[0034]本专利技术的第12方式的发光元件阵列的制造方法，其具有：
[0035]在基板上的要配置发光元件的各个位置的周围形成多个狭窄槽的工序；
[0036]通过使一部分暴露于所述狭窄槽内的发光层氧化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层的工序；
[0037]沿着要配置所述多个发光元件的各个位置，以包含至少1个拐点的方式弯曲形成将所形成的所述多个发光元件分离为多个块的块分离部的工序，在所述拐点，曲率的符号发生变化；及
[0038]在所述电流狭窄层的电流通过区域上形成出射开口部来形成多个发光元件的工序。
[0039]专利技术效果
[0040]根据本专利技术的第1方式的发光元件阵列，能够抑制由于设置块分离部而对发光元件的排列产生影响。
[0041]根据本专利技术的第2方式的发光元件阵列，能够抑制由于设置块分离部而对发光元件的排列产生影响。
[0042]根据本专利技术的第3方式的发光元件阵列，能够抑制由于设置块分离部而对发光元件的排列产生影响。
[0043]根据本专利技术的第4方式的发光元件阵列，能够抑制由于设置块分离部而对发光元件的排列产生影响且使配置于不同块之间的2个发光元件的间隔最短。
[0044]根据本专利技术的第5方式的发光元件阵列，能够抑制由于块分离部的影响而发光元件的发光变得不均匀。
[0045]根据本专利技术的第6方式的发光元件阵列，即使在发光元件之间的间隔短时，也能够设置块分离部。
[0046]根据本专利技术的第7方式的发光元件阵列，即使在块分离部与狭窄槽重叠时，也能够防止发光层从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件阵列，其具有：基板；多个发光元件，配置于所述基板上；多个狭窄槽，在所述多个发光元件的周围分别设置有多个，用于通过使发光层氧化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层；及块分离部，沿着配置有所述多个发光元件的各个位置，以包含至少1个拐点的方式弯曲设置，将所述多个发光元件的分离为多个块，在所述拐点，曲率的符号发生变化。2.根据权利要求1所述的发光元件阵列，其中，所述弯曲沿着由相对于发光元件的狭窄槽构成的排列，所述拐点在沿着不同的发光元件的狭窄槽时产生。3.根据权利要求2所述的发光元件阵列，其中，所述不同的发光元件是互不相同的块的发光元件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部构成为通过配置于不同块的相邻的2个发光元件之间的大致中间地点。5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部为由槽构成的块分离槽，所述发光元件的发光不会因来自所述块分离槽的氧化而受到影响。6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部为由槽构成的块分离槽，所述块分离槽由深度不同的多个槽构成。7.根据权利要求1至3中任一项所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部为由槽构成的块分离槽，所述狭窄槽的宽度比所述块分离槽的宽度宽。8.根据权利要求1至7中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤崇，村田道昭，早川纯一朗，樋口贵史，
申请(专利权)人：富士胶片商业创新有限公司，
类型：发明
国别省市：