发光元件阵列及制造方法、光学装置、光测量装置制造方法及图纸

一种发光元件阵列及制造方法、光学装置、光测量装置，发光元件阵列具有：基板；复数个发光元件，配置于所述基板上；复数个狭窄槽，在所述复数个发光元件的周围分别设置有复数个，用于通过使发光层氧化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层；及块分离部，形成为俯视观察时与所述复数个狭窄槽的一部分重叠，将所述复数个发光元件分离为复数个块。将所述复数个发光元件分离为复数个块。将所述复数个发光元件分离为复数个块。

【技术实现步骤摘要】
发光元件阵列及制造方法、光学装置、光测量装置


[0001]本专利技术涉及一种发光元件阵列、光学装置、光测量装置及发光元件阵列的制造方法。

技术介绍

[0002]专利文献1中公开有在构成VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔面发射激光器)阵列的各VCSEL之间，发光区域的尺寸根据配置位置而不均匀。
[0003]专利文献2中公开有一种发光部件，其具备基板、复数个激光二极管及复数个设定晶闸管，所述基板通过在构成作为发光元件的一例的激光二极管的第1半导体层叠体上，经由隧道接合层或具有金属导电性的III
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V族化合物层，使构成驱动部的第2半导体层生长而成，所述驱动部将包含设定晶闸管在内的复数个发光元件依次驱动为能够过渡到导通状态的状态。
[0004]专利文献3中公开有一种发光部件，其具备：基板；复数个发光二极管，设置于基板上，向与基板的表面交叉的方向出射光；及复数个设定晶闸管，分别层叠于复数个发光二极管上，通过成为导通状态，将发光二极管驱动为能够过渡到导通状态的状态，其中，该设定晶闸管在朝向发光二极管的设定晶闸管的光的路径上具有开口部。
[0005]专利文献4中公开有一种发光装置，其中，排列有分别具有复数个发光元件的复数个发光元件组的发光部中，沿着该排列，在复数个发光元件组的每一个上，该发光元件组中包含的复数个发光元件并置而依次设定为发光或非发光的状态。
[0006]专利文献1：美国专利第10250012号说明书
>[0007]专利文献2：日本专利第6245319号公报
[0008]专利文献3：日本专利第6369613号公报
[0009]专利文献4：日本特开2020
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120018号公报
[0010]在形成有复数个发光元件的发光元件阵列中，有利用如下结构的发光元件阵列，即，在要构成发光元件的各个位置的周围设置复数个沟槽等狭窄槽，从该狭窄槽内氧化发光层，由此形成电流狭窄层，将在发光层流动的电流限制在与设置有发光元件的位置对应的电流通过区域。
[0011]并且，在这样的发光元件阵列中，有时将复数个发光元件分割为复数个块，以块单位进行发光控制。如此按块分割复数个发光元件时，在各块之间设置块分离部。
[0012]在此，利用块分离用槽时，不仅通过狭窄槽被氧化，从块分离用槽也被氧化。其结果，有时在存在来自块分离槽的氧化的部分和只有来自狭窄槽的氧化的部分出现差异。另外，在块分离槽连续的情况下，与狭窄槽相比，块分离槽的侧面的被氧化部的面积更大，因此氧化速度快。其结果，即使块分离槽与发光元件之间的距离和狭窄槽与发光元件之间的距离相同，与来自狭窄槽的氧化相比，来自块分离槽的氧化更进行至发光元件的附近。这可能会导致靠近块分离槽等块分离部的电流通过区域的形状的均匀性降低。

技术实现思路

[0013]本专利技术的目的在于提供一种能够抑制与各发光元件对应而设置的电流通过区域的形状由于块分离部变得不均匀的情况的发光元件阵列、光学装置、光测量装置及发光元件阵列的制造方法。
[0014]本专利技术的第1方式的发光元件阵列，其具有：
[0015]基板；
[0016]复数个发光元件，配置于所述基板上；
[0017]复数个狭窄槽，在所述复数个发光元件的周围分别设置有复数个，用于通过使发光层氧化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层；及
[0018]块分离部，形成为俯视观察时与所述复数个狭窄槽的一部分重叠，将所述复数个发光元件分离为复数个块。
[0019]本专利技术的第2方式的发光元件阵列在第1方式的发光元件阵列中，所述块分离部包含块分离槽，
[0020]构成为在所述狭窄槽和所述块分离槽重叠的部分，比不重叠的部分的所述狭窄槽或所述块分离槽的任一个的深度深。
[0021]本专利技术的第3方式的发光元件阵列在第1方式的发光元件阵列中，所述发光层不会从所述块分离部中不与所述狭窄槽重叠的部分被氧化。
[0022]本专利技术的第4方式的发光元件阵列在第3方式的发光元件阵列中，所述块分离部包含块分离槽，
[0023]所述狭窄槽的宽度比所述块分离槽的宽度宽，在所述狭窄槽和所述块分离槽重叠的部分，形成有从所述狭窄槽的宽度变窄至所述块分离槽的宽度的阶梯差。
[0024]本专利技术的第5方式的发光元件阵列在第1方式、第2方式、第4方式的任一方式的发光元件阵列中，所述块分离部包含块分离槽，
[0025]所述块分离槽构成为通过配置于不同块的2个发光元件之间的大致中间地点。
[0026]本专利技术的第6方式的发光元件阵列在第1方式至第5方式中任一方式的发光元件阵列中，所述块分离部沿着配置有所述复数个发光元件的各个位置，以包含至少1个拐点的方式弯曲设置，在所述拐点，曲率的符号发生变化。
[0027]本专利技术的第7方式的发光元件阵列在第1方式至第6方式中任一方式的发光元件阵列中，在配置有所述发光元件的周围，复数个狭窄槽设置于以该发光元件为中心的圆上。
[0028]本专利技术的第8方式的发光元件阵列在第5方式的发光元件阵列中，在相邻的2个所述发光元件中，设置于周围的所述复数个狭窄槽中的至少1个狭窄槽为共同设置。
[0029]本专利技术的第9方式的光学装置，其具备：
[0030]第1方式至第8方式中任一方式的发光元件阵列；
[0031]驱动部，驱动构成于所述发光元件阵列上的所述复数个发光元件；及
[0032]控制部，控制所述驱动部，以执行利用通过所述发光元件阵列生成的光的处理。
[0033]本专利技术的第10方式的光测量装置，其具备：
[0034]第1方式至第8方式中任一方式的发光元件阵列；
[0035]受光元件，接收从所述发光元件阵列照射的光被对象物反射的反射光；及
[0036]处理部，对与通过所述受光元件接收的光相关的信息进行处理来测量从所述发光
元件阵列至所述对象物为止的距离或该对象物的形状。
[0037]本专利技术的第11方式的发光元件阵列的制造方法，其具有：
[0038]在基板上的要配置发光元件的各个位置的周围形成复数个狭窄槽的工序；
[0039]通过使一部分暴露于所述狭窄槽内的发光层氧化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层的工序；
[0040]形成将所形成的复数个发光元件分离为复数个块的块分离部的工序；及
[0041]在所述电流狭窄层的电流通过区域上形成出射开口部来形成复数个发光元件的工序。
[0042]本专利技术的第12方式的发光元件阵列的制造方法在第11方式的发光元件阵列的制造方法中，所述块分离部包含块分离槽，
[0043]所述块分离槽形成为俯视观察时与所述复数个沟槽的一部分重叠。
[0044]专利技术效果
[0045]根据本专利技术的第1方式的发光元件阵列，能够抑制与各发光元件对应而设置的电流通过区域的形状由于块分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件阵列，其具有：基板；复数个发光元件，配置于所述基板上；复数个狭窄槽，在所述复数个发光元件的周围分别设置有复数个，用于通过使发光层氧化来形成使在所述发光层流动的电流狭窄的电流狭窄层；及块分离部，形成为俯视观察时与所述复数个狭窄槽的一部分重叠，将所述复数个发光元件分离为复数个块。2.根据权利要求1所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部包含块分离槽，构成为在所述狭窄槽和所述块分离槽重叠的部分，比不重叠的部分的所述狭窄槽或所述块分离槽的任一个的深度深。3.根据权利要求1所述的发光元件阵列，其中，所述发光层不会从所述块分离部中不与所述狭窄槽重叠的部分被氧化。4.根据权利要求3所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部包含块分离槽，所述狭窄槽的宽度比所述块分离槽的宽度宽，在所述狭窄槽和所述块分离槽重叠的部分，形成有从所述狭窄槽的宽度变窄至所述块分离槽的宽度的阶梯差。5.根据权利要求1、2、4中任一项所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部包含块分离槽，所述块分离槽构成为通过配置于不同块的2个发光元件之间的大致中间地点。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光元件阵列，其中，所述块分离部沿着配置有所述复数个发光元件的各个位置，以包含至少1个拐点的方式弯曲设置，在所述拐点，曲率的符号发生变化。7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光元件阵列，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤崇，村田道昭，早川纯一朗，樋口贵史，
申请(专利权)人：富士胶片商业创新有限公司，
类型：发明
国别省市：