一种阵列基板及其制备方法、发光装置和拼接显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、发光装置和拼接显示装置。阵列基板包括：器件区；与器件区相邻的周边区；器件区和周边区均包括衬底和位于衬底上的反射层；器件区还包括层间介质层和多个器件，层间介质层至少位于衬底和反射层之间；反射层具有沿垂直于衬底方向上的多个镂空区，器件位于镂空区内；其中，反射层位于器件区的部分在衬底上的正投影与层间介质层在衬底上的正投影部分交叠，反射层位于周边区的部分覆盖衬底位于周边区的部分，且衬底的外轮廓与阵列基板的周边区的外轮廓一致。该阵列基板的周边区能够反射光线，从而改善了阵列基板存在的不同区域光学亮度差异较大问题，提高阵列基板制备的拼接显示装置的显示效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、发光装置和拼接显示装置


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、 发光装置和拼接显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的快速发展，Mini LED(Mini Light Emitting Diode， 次毫米发光二极管)和Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微发 光二极管)的显示产品引起人们广泛的关注。Micro/mini LED显示产 品的优势之一在于其能够实现大面积拼接，即用多个阵列基板进行拼 接，从而获得超大尺寸的显示产品。

技术实现思路

[0003]本申请的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、发光装置和 拼接显示装置，该阵列基板的周边区能够反射光线，从而改善了阵列 基板存在的不同区域光学亮度差异较大的问题，提高阵列基板制备的 拼接显示装置的显示效果。
[0004]为达到上述目的，本申请的实施例采用如下技术方案：
[0005]一方面，提供了一种阵列基板，包括：
[0006]器件区；
[0007]与所述器件区相邻的周边区；
[0008]所述器件区和所述周边区均包括衬底和位于所述衬底上的反射 层；
[0009]所述器件区还包括层间介质层和多个器件，所述层间介质层至少 位于所述衬底和所述反射层之间；所述反射层具有沿垂直于所述衬底 方向上的多个镂空区，所述器件位于所述镂空区内；
[0010]其中，所述反射层在位于所述器件区的部分所述衬底上的正投影 与所述层间介质层在所述衬底上的正投影部分交叠，所述反射层位于 所述周边区的部分覆盖所述衬底位于所述周边区的部分，且所述衬底 的外轮廓与所述阵列基板的所述周边区的外轮廓一致；所述器件至少 包括发光器件。
[0011]在本申请的一些实施例中，所述反射层包括第一反射子层和第二 反射子层，所述第二反射子层位于所述第一反射子层远离所述衬底的 一侧；所述第一反射子层在所述衬底上的正投影位于所述器件区和所 述周边区；
[0012]其中，所述第一反射子层位于所述器件区的部分在所述衬底上的 正投影与所述层间介质层在所述衬底上的正投影部分交叠，且所述第 一反射子层还覆盖所述衬底位于所述周边区的部分；
[0013]所述第二反射子层在所述衬底上的正投影位于所述第一反射子层 在所述衬底上的正投影以内。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述第二反射子层在所述衬底上的正 投影位于所述器件区；
[0015]所述第二反射子层在所述衬底上的正投影与所述第一反射子层位 于所述周边区的部分在所述衬底上的正投影互不交叠。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述第二反射子层在所述衬底上的正 投影位于所述周边区和所述器件区；
[0017]所述第二反射子层位于所述周边区的部分在所述衬底上的正投影 与所述第一反射子层位于所述周边区的部分在所述衬底上的正投影重 叠。
[0018]在本申请的一些实施例中，所述第一反射子层和所述第二反射子 层在沿垂直于所述衬底方向上的厚度相同。
[0019]在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括辅助反射部；所 述辅助反射部位于所述层间介质层上，且所述辅助反射部和所述反射 层相连。
[0020]在本申请的一些实施例中，所述辅助反射部包括第一反射部和第 二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部为一体结构；
[0021]所述镂空区暴露出所述层间介质层的部分区域，所述第一反射部
[0022]在所述衬底上的正投影位于所述镂空区，且与所述层间介质层直 接接触；
[0023]所述第二反射部与所述反射层远离所述衬底的表面直接接触且所 述第二反射部在所述衬底上的正投影与所述反射层在所述衬底上的正 投影交叠。
[0024]在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括多个与所述器件 对应的封装单元，所述封装单元在所述衬底上的正投影覆盖所述器件 在所述衬底上的正投影，且所述封装单元在所述衬底上的正投影与所 述反射层在所述衬底上的正投影部分交叠。
[0025]在本申请的一些实施例中，所述阵列基板的所述器件区包括位于 所述衬底上依次设置的缓冲层和第一导电层，所述层间介质层位于所 述第一导电层远离所述衬底的一侧；
[0026]其中，所述层间介质层包括第一绝缘层和第一平坦层，所述第一 平坦层至少位于所述第一绝缘层和所述反射层之间。
[0027]在本申请的一些实施例中，所述阵列基板的所述器件区还包括位 于所述缓冲层上依次层叠设置的第二导电层、第二绝缘层、第二平坦 层和第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第一导电层远离所述第一 绝缘层的一侧。
[0028]在本申请的一些实施例中，所述第一导电层包括至少一个第一焊 盘和至少一个第二焊盘，所述层间介质层具有沿垂直于所述衬底方向 上的多个第一开口和多个第二开口，所述第一开口暴露出所述第一焊 盘所在的区域，所述第二开口暴露出所述第二焊盘所在的区域；
[0029]其中，所述第一焊盘通过所述第一开口和所述器件的第一焊脚电 连接，所述第二焊盘通过所述第二开口和所述器件的第二焊脚电连接。
[0030]在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括支撑柱，所述支 撑柱位于所述反射层远离所述衬底的一侧，且所述支撑柱在所述衬底 上的正投影与所述器件在所述衬底上的正投影互不交叠。
[0031]本申请的实施例还提供了一种发光装置，包括如上所述的阵列基 板。
[0032]在本申请的一些实施例中，所述发光装置还包括依次层叠设置的 扩散板、量子点膜、扩散片和复合膜；
[0033]其中，所述扩散板位于所述阵列基板的出光侧。
[0034]本申请的实施例还提供了一种拼接显示装置，包括至少两个如上 所述的发光装置。
[0035]本申请的实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，应用于制备 如上所述的阵列基板，所述方法包括：
[0036]提供母板衬底；所述母板衬底划分为至少一个器件区和与所述器 件区相邻的切割区；
[0037]在所述母板衬底的所述器件区上形成层间介质层；
[0038]在所述母板衬底的所述器件区和所述切割区上形成反射层；其中， 所述反射层具有沿垂直于所述母板衬底方向上的多个镂空区；所述层 间介质层至少位于所述母板衬底和所述反射层之间；所述反射层位于 所述器件区的部分在所述母板衬底上的正投影与所述层间介质层在所 述母板衬底上的正投影部分交叠，所述反射层位于所述切割区的部分 覆盖所述母板衬底的所述切割区；
[0039]在所述母板衬底的所述器件区绑定多个器件；所述器件位于所述 镂空区内；
[0040]从所述母板衬底的背面沿切割线切割，得到至少一个所述阵列基 板；所述切割线位于所述切割区，所述背面为所述母板衬底远离所述 器件的表面。
[0041]在本申请的一些实施例中，所述从所述母板衬底的背面沿切割线 切割，得到至少一个所述阵列基板的步本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：器件区；与所述器件区相邻的周边区；所述器件区和所述周边区均包括衬底和位于所述衬底上的反射层；所述器件区还包括层间介质层和多个器件，所述层间介质层至少位于所述衬底和所述反射层之间；所述反射层具有沿垂直于所述衬底方向上的多个镂空区，所述器件位于所述镂空区内；其中，所述反射层位于所述器件区的部分在所述衬底上的正投影与所述层间介质层在所述衬底上的正投影部分交叠，所述反射层位于所述周边区的部分覆盖所述衬底位于所述周边区的部分，且所述衬底的外轮廓与所述周边区的外轮廓一致；所述器件至少包括发光器件。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层包括第一反射子层和第二反射子层，所述第二反射子层位于所述第一反射子层远离所述衬底的一侧；所述第一反射子层在所述衬底上的正投影位于所述器件区和所述周边区；其中，所述第一反射子层位于所述器件区的部分在所述衬底上的正投影与所述层间介质层在所述衬底上的正投影部分交叠，且所述第一反射子层还覆盖所述衬底位于所述周边区的部分；所述第二反射子层在所述衬底上的正投影位于所述第一反射子层在所述衬底上的正投影以内。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二反射子层在所述衬底上的正投影位于所述器件区；所述第二反射子层在所述衬底上的正投影与所述第一反射子层位于所述周边区的部分在所述衬底上的正投影互不交叠。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二反射子层在所述衬底上的正投影位于所述周边区和所述器件区；所述第二反射子层位于所述周边区的部分在所述衬底上的正投影与所述第一反射子层位于所述周边区的部分在所述衬底上的正投影重叠。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一反射子层和所述第二反射子层在沿垂直于所述衬底方向上的厚度相同。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括辅助反射部；所述辅助反射部位于所述层间介质层上，且所述辅助反射部和所述反射层相连。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助反射部包括第一反射部和第二反射部，所述第一反射部和所述第二反射部为一体结构；所述镂空区暴露出所述层间介质层的部分区域，所述第一反射部在所述衬底上的正投影位于所述镂空区，且所述第一反射部与所述层间介质层直接接触；所述第二反射部与所述反射层远离所述衬底的表面直接接触，且所述第二反射部在所述衬底上的正投影与所述反射层在所述衬底上的正投影交叠。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多个与所述器件对应的封装单元，所述封装单元在所述衬底上的正投影覆盖所述器件在所述衬底上的正投
影，且所述封装单元在所述衬底上的正投影与所述反射层在所述衬底上的正投影部分交叠。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的所述器件区还包括位于所述衬底上依次设置的缓冲层和第一导电层，所述层间介质层位于所述第一导电层远离所述衬底的一侧；其中，所述层间介质层包括第一绝缘层和第一平坦层，所述第一平坦层至少位于所述第一绝缘层和所述反射层之间。10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的所述器件区还包括位于所述缓冲层上依次层叠设置的第二导电层、第二绝缘层、第二平坦层和第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第一导电层远离所述第一绝缘层的一侧。11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高亮，汤海，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：