本发明专利技术提供能够抑制具有翘曲的基板损伤的基板支承装置以及基板处理装置。实施方式的基板支承装置在基板处理装置的处理容器内支承基板，具备：载放板，包括陶瓷而构成，具有供基板载放的载放面；供电板，内置于载放板，使载放板静电地吸附基板；多个突起部，内部包括导电部件，至少配置于载放板的中央区域和外缘区域，从载放面突出；以及多个弹性部件，与多个突起部对应地埋入于载放板，以使多个突起部从载放面突出的方式支承该多个突起部，并且将供电板与导电部件电连接。板与导电部件电连接。板与导电部件电连接。
【技术实现步骤摘要】
基板支承装置以及基板处理装置
[0001]相关申请的参照
[0002]本申请享受以日本专利申请2021
‑
122404号(申请日：2021年7月27日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。
[0003]本专利技术的实施方式涉及基板支承装置以及基板处理装置。
技术介绍
[0004]在基板处理装置中，有时使用通过静电吸附基板或者通过吸引来吸附基板、从而在处理容器内支承基板的基板支承装置。但是，若基板具有翘曲，则有时向基板支承装置吸附时会对基板施加冲击而使其产生损伤。
技术实现思路
[0005]专利技术要解决的课题在于，提供能够抑制具有翘曲的基板损伤的基板支承装置以及基板处理装置。
[0006]实施方式的基板支承装置是在基板处理装置的处理容器内支承基板的基板支承装置，具备：载放板，包含陶瓷而构成，具有供上述基板载放的载放面；供电板，内置于上述载放板，使上述载放板静电地吸附上述基板；多个突起部，内部包括导电部件，至少配置在上述载放板的中央区域以及外缘区域，从上述载放面突出；多个弹性部件，与上述多个突起部对应地埋入于上述载放板，以使上述多个突起部从上述载放面突出的方式支承上述多个突起部，并且将上述供电板与上述导电部件电连接。
附图说明
[0007]图1是示意地表示实施方式1的等离子处理装置的构成的一个例子的截面图。
[0008]图2是实施方式1的静电卡盘的俯视图。
[0009]图3是表示实施方式1的静电卡盘的截面构造的图。
[0010]图4A～图4C是表示实施方式1的等离子处理装置中的等离子处理的步骤的一个例子的截面图。
[0011]图5A～图5E是表示实施方式1的等离子处理装置中的等离子处理以及等离子处理以后的处理的步骤的一个例子的截面图。
[0012]图6A以及图6B是表示比较例的等离子处理装置中的预备加热处理的步骤的一个例子的截面图。
[0013]图7是表示实施方式1的变形例1的等离子处理装置所具备的静电卡盘的截面构造的图。
[0014]图8是表示实施方式1的变形例2的等离子处理装置所具备的静电卡盘的截面构造的图。
[0015]图9是表示实施方式1的变形例3的等离子处理装置所具备的静电卡盘的俯视图。
[0016]图10是实施方式1的变形例4的等离子处理装置所具备的静电卡盘的俯视图。
[0017]图11是示意地表示实施方式2的曝光装置的构成的一个例子的图。
[0018]图12是表示实施方式2的晶片卡盘的截面构造的图。
[0019]符号的说明
[0020]1…
等离子处理装置，2
…
曝光处理装置，14p
…
真空泵，18
…
喷头，20、220、320、420、520
…
静电卡盘，22、622
…
加热器，23、623
…
陶瓷板，24
…
卡盘电极，25、225x～225z、325x～325z、525x～525y
…
突起部，25m、225m、325m
…
导电部件，25c、225c、325c
…
帽，26、626
…
弹簧部件，44
…
高频电源，46、48、648
…
电源，620
…
载放台，620b
…
晶片卡盘，625m
…
导热部件，625v
…
吸引孔。
具体实施方式
[0021]以下，参照附图对本专利技术进行详细说明。此外，本专利技术不受下述的实施方式限定。此外，下述实施方式中的构成要素，包括本领域技术人员容易想到的构成要素或者实质相同的构成要素。
[0022][实施方式1][0023]以下，参照附图对实施方式1进行详细说明。
[0024](等离子处理装置的构成例)
[0025]图1是示意地表示实施方式1的等离子处理装置1的构成的一个例子的截面图。等离子处理装置1例如构成为在晶片100上形成规定的膜的CVD(Chemical Vapor Deposition)装置。
[0026]如图1所示那样，作为基板处理装置的等离子处理装置1，具备作为对晶片100进行处理的处理容器的腔室11。腔室11例如为铝制，能够气密地密封。
[0027]在腔室11的上部设置有气体供给口13。气体供给口13经由配管连接有未图示的气体供给装置，被供给对晶片100进行处理时使用的处理气体。
[0028]在气体供给口13的下方设置有作为上部电极起作用的喷头18。在喷头18，设置有沿着板厚方向贯通喷头18的多个气体喷出口18g。从气体供给口13供给的处理气体，经由气体喷出口18g导入到腔室11内。在喷头18的下方以与喷头18对置的方式配置有静电卡盘20。
[0029]作为基板支承装置的静电卡盘20为，在腔室11内将处理对象的晶片100支承为水平，并且静电地吸附晶片100，此外还作为下部电极起作用。在腔室11的侧面设置有未图示的晶片100的搬入搬出口，通过未图示的搬运臂从该搬入搬出口将晶片100载放到腔室11内的静电卡盘20上。
[0030]静电卡盘20被支承在支承部12上，该支承部12从腔室11的中央附近的底壁向铅垂上方以筒状突出。支承部12在从喷头18隔开规定距离的腔室11的中央附近，以与喷头18平行地对置的方式支承静电卡盘20。通过这种构造，喷头18与静电卡盘20构成1对平行平板电极。
[0031]此外，静电卡盘20具备对晶片100进行静电吸附的卡盘机构。卡盘机构具备作为供电板的卡盘电极24、供电线45、以及作为第1电源的电源46。卡盘电极24上经由供电线45连接有电源46。通过这种机构，从电源46向卡盘电极24供给直流电力，而使静电卡盘20的上表
面静电地带电。静电卡盘20的其他内部构成将后述。
[0032]静电卡盘20连接有供电线41。供电线41上连接有隔直电容42、匹配器43以及高频电源44。在等离子处理时，从高频电源44向静电卡盘20供给规定频率的高频电力。通过这种机构，静电卡盘20还作为下部电极起作用。
[0033]在静电卡盘20的外周，以覆盖静电卡盘20的侧面以及底面的周边部的方式配置有绝缘环15。在绝缘环15的上方，以包围静电卡盘20的外周的方式设置有外周环16。外周环16将电场调整为，在晶片100的蚀刻时，电场在晶片100的周边部相对于铅垂方向、即与晶片100的表面垂直的方向不偏转。
[0034]在绝缘环15与腔室11的侧壁之间设置有档板17。档板17具有在板厚方向上贯通档板17的多个气体排出孔17e。
[0035]在腔室11的比档板17靠下部的位置设置有气体排气口14。气体排气口14连接有将腔室11内的环境气进行排气的真空泵14p。
[0036]腔本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板支承装置，在基板处理装置的处理容器内支承基板，具备：载放板，包括陶瓷而构成，具有供上述基板载放的载放面；供电板，内置于上述载放板，使上述载放板静电地吸附上述基板；多个突起部，内部包括导电部件，至少配置于上述载放板的中央区域和外缘区域，从上述载放面突出；以及多个弹性部件，与上述多个突起部对应地埋入于上述载放板，以使上述多个突起部从上述载放面突出的方式支承上述多个突起部，并且将上述供电板与上述导电部件电连接。2.如权利要求1所述的基板支承装置，其中，在上述载放板的下方还具备对上述基板进行加热的电热板。3.如权利要求1所述的基板支承装置，其中，上述多个突起部分散地配置于上述载放板的上述载放面的整体。4.如权利要求3所述的基板支承装置，其中，上述多个突起部为，具有柱状的形状，以放射状或网格状配置于上述载放面，或者，具有圆环状的形状，以同心圆状配置于上述载放面。5.如权利要求1所述的基板支承装置，其中，上述多个突起部包括：第1突起部，配置于上述中央区域；以及第2突起部，配置于上述外缘区域，从上述载放面的突出量与上述第1突起部不同。6.如权利要求5所述的基板支承装置，其中，上述第1突起部的上述突出量大于上述第2突起部的上述突出量。7.如权利要求5所述的基板支承装置，其中，上述第1突起部的上述突出量小于上述第2突起部的上述突出量。8.一种基板支承装置，在基板处理装置的处理容器内支承基板，具备：载放板，包括陶瓷而构成，具有供上述基板载放的载放面；多个突起部，内部包括导电性或者导热性的部件，至少配置于上述载放板的中央区域和外缘区域，从上述载放面突出；以及多个弹性部件，与上述多个突起部对应地埋入于上述载放板，以使上述多个突起部从上述载放面突出的方式支承上述多个突起部。9.如权利要求8所述的基板支承装置，其中，还具备使上述载放板静电地吸附上述基板的供电板，上述部件为导电部件，上述弹性部件将上述供电板与上述导电部件电连接。10.如权利要求8所述的基板支承装置，其中，上述部件为导热部件，上述多个突起部分别具有用于使上述基板吸引吸附于上述载放板的吸引孔。11.一种基板处理装置，具备：处理容器，对基板进行处理；以及基板支承装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：筱崎谅，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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