一种环栅晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于提升环栅晶体管的工作性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构、第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构。有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沿源区至漏区的方向，第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构依次环绕在沟道区外周。第一栅堆叠结构包括的第一功函数层和第二栅堆叠结构包括的第二功函数层的材料完全不同，第一功函数层和第二功函数层均为非夹断层。所述环栅晶体管的制造方法用于制造所述环栅晶体管。制造方法用于制造所述环栅晶体管。制造方法用于制造所述环栅晶体管。

【技术实现步骤摘要】
一种环栅晶体管及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种环栅晶体管及其制造方法。

技术介绍

[0002]环栅晶体管相对于平面晶体管和鳍式场效应晶体管具有较高的栅控能力等优势，可以提高包括该环栅晶体管的半导体器件的工作性能。
[0003]但是，在实际的应用过程中，环栅晶体管的工作性能提升情况并不理想。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种环栅晶体管及其制造方法，用于提升环栅晶体管的工作性能。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种环栅晶体管，该环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构、第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构。
[0006]上述有源结构形成在半导体基底上。有源结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区。沿源区至漏区的方向，第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构依次环绕在沟道区外周。第一栅堆叠结构包括的第一功函数层和第二栅堆叠结构包括的第二功函数层的材料完全不同，第一功函数层和第二功函数层均为非夹断层。
[0007]与现有技术相比，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种环栅晶体管，其特征在于，包括：半导体基底，形成在所述半导体基底上的有源结构；所述有源结构包括源区、漏区、以及位于所述源区和所述漏区之间的沟道区；沿所述源区至所述漏区的方向，依次环绕在沟道区外周的第一栅堆叠结构和第二栅堆叠结构；所述第一栅堆叠结构包括的第一功函数层和所述第二栅堆叠结构包括的第二功函数层的材料完全不同，所述第一功函数层和所述第二功函数层均为非夹断层。2.根据权利要求1所述的环栅晶体管，其特征在于，在所述环栅晶体管为核心晶体管的情况下，当所述环栅晶体管为N型环栅晶体管时，所述第一功函数层的功函数值大于所述第二功函数层的功函数值；当所述环栅晶体管为P型环栅晶体管时，所述第一功函数层的功函数值小于所述第二功函数层的功函数值。3.根据权利要求1所述的环栅晶体管，其特征在于，在所述环栅晶体管为输入输出晶体管的情况下，当所述环栅晶体管为N型环栅晶体管时，所述第一功函数层的功函数值小于所述第二功函数层的功函数值；当所述环栅晶体管为P型环栅晶体管时，所述第一功函数层的功函数值大于所述第二功函数层的功函数值。4.根据权利要求1～3任一项所述的环栅晶体管，其特征在于，所述第一功函数层的功函数值和/或所述第二功函数层的功函数值大于3.9eV、且小于5.2eV。5.根据权利要求1～3任一项所述的环栅晶体管，其特征在于，所述第一功函数层和所述第二功函数层之间的功函数差值的绝对值大于等于0.3eV、且小于等于0.9eV。6.根据权利要求1～3任一项所述的环栅晶体管，所述第一栅堆叠结构的长度和所述第二栅堆叠结构的长度的比值范围为1:2至4:1。7.根据权利要求1～3任一项所述的环栅晶体管，其特征在于，所述第一栅堆叠结构包括的第一栅介质层和所述第二栅堆叠结构包括的第二栅介质层的材料和/或厚度不同。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永亮，贾晓锋，王晓磊，罗军，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：