氧化片的制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化片的制备方法。所述氧化片的制备方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括单晶硅和二氧化硅，所述单晶硅边缘含有氢离子；在含有氩气的气氛中对所述衬底进行退火，使氢离子溢出衬底；采用氢氟酸稀溶液清洗所述衬底上的二氧化硅，得到单晶硅；平坦化所述单晶硅；在所述单晶硅表面形成氧化层，得到所述氧化片。上述技术方案，在氢氟酸清洗之前通入氩气退火，使残留的氢离子溢出硅片，通过氩气修复衬底表面结构，使氧化后的衬底减少形变，提高氧化片的质量。提高氧化片的质量。提高氧化片的质量。

【技术实现步骤摘要】
氧化片的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种氧化片的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体原材料中，氧化片是必不可少的，它由裸硅片经过氧化得到，在目前市场大环境，全球都处于缺芯的情况下，原材料供应紧张。
[0003]现有技术中，一般采用清洗硅片、平坦化、形成氧化层的方法流程制备氧化片。然而，采用这种方法制备的氧化片，在氧化4000埃后边缘会出现颗粒聚集的情况，影响氧化片的质量。
[0004]因此，如何改善氧化片的制备方法，提高氧化片的质量，是目前需要解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是如何改善氧化片的制备方法，提高氧化片的质量，提供一种氧化片的制备方法。
[0006]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种氧化片的制备方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括单晶硅和二氧化硅，所述单晶硅边缘含有氢离子；在含有氩气的气氛中对所述衬底进行退火，使氢离子溢出衬底；采用氢氟酸稀溶液清洗所述衬底上的二氧化硅，得到单晶硅；平坦化所述单晶硅；在所述单晶硅表面形成氧化层，得到所述氧化片。
[0007]上述技术方案，在氢氟酸清洗之前通入氩气退火，使残留的氢离子溢出硅片，通过氩气修复衬底表面结构，使氧化后的衬底减少形变，提高氧化片的质量。
附图说明
[0008]图1所示为本专利技术所述氧化片的制备方法的具体实施方式的流程示意图。
[0009]图2A～图2E所示为本专利技术所述氧化片的制备方法的具体实施方式的工艺流程图。
具体实施方式
[0010]下面结合附图对本专利技术提供的氧化片的制备方法的具体实施方式做详细说明。
[0011]图1所示为本专利技术所述氧化片的制备方法的具体实施方式的流程示意图，包括如下步骤：步骤S11，提供一衬底，所述衬底包括单晶硅和二氧化硅，所述单晶硅边缘含有氢离子；步骤S12，在含有氩气的气氛中对所述衬底进行退火，使氢离子溢出衬底；步骤S13，采用氢氟酸稀溶液清洗所述衬底上的二氧化硅，得到单晶硅；步骤S14，平坦化所述单晶硅；步骤S15，在所述单晶硅表面形成氧化层，得到所述氧化片。
[0012]图2A～图2E所示为本专利技术所述氧化片的制备方法的具体实施方式的工艺流程图。
[0013]参考步骤S11以及图2A，提供一衬底20，所述衬底20包括单晶硅201和二氧化硅202，所述单晶硅201边缘含有氢离子203。作为一具体实施方式，所述衬底20为Smart Cut技术剥离后的晶片。在所述衬底20包括单晶硅201以及位于单晶硅201表面的二氧化硅202。此
外，所述衬底20的表面还夹杂有氢离子203等杂质，所述氢离子203主要位于所述单晶硅201剥离的两侧边缘部分。
[0014]参考步骤S12以及图2B，在含有氩气的气氛中对所述衬底20进行退火，使氢离子203溢出衬底20。
[0015]作为一种具体实施方式，对所述衬底20进行退火的温度为600℃，退火时长为2小时，氩气以25L/min的流速通入。实验发现，由于衬底20在被剥离时，由于晶片本身的边缘存在弧角未能完全键合，导致晶片边缘未完全剥离仍有氢离子203残留，在氧化高温下引起边缘颗粒问题。因此，本专利技术通过高温下氩气的流动使残留氢离子203溢出衬底20，通过氩气修复衬底20表面结构，同时带走表面颗粒，获得纯净的衬底20裸片，以获得更高质量的氧化片。
[0016]参考步骤S13以及图2C，采用氢氟酸稀溶液清洗所述衬底20上的二氧化硅202，得到单晶硅201。作为一种具体实施方式，采用氢氟酸稀溶液清洗所述衬底20上的二氧化硅202，以得到纯净的单晶硅201裸片。
[0017]参考步骤S14以及图2D，平坦化所述单晶硅201。作为一种具体实施方式，采用化学机械研磨法(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)平坦化所述单晶硅201。平坦化所述单晶硅201的步骤中对单晶硅201的减薄厚度大于或等于5μm。
[0018]参考步骤S15以及图2E，在所述单晶硅201表面形成氧化层22，得到所述氧化片。所述氧化层22是在有氧化剂的高温条件下在单晶硅201的裸片表面形成的二氧化硅层。单晶硅201的氧化层22通常在垂直管式炉中生长而成，生长温度范围一般为900℃～1200℃，有湿法氧化和干法氧化两种生长方式。作为一种具体实施方式，本专利技术采用先干法氧化再湿法氧化的方法生长氧化层22，且生长的所述氧化层22的厚度为400nm。
[0019]完成上述步骤，即可得本专利技术所述的氧化片，如图2E所示。
[0020]上述技术方案，在氢氟酸稀溶液清洗之前通入氩气退火，使残留的氢离子溢出衬底，通过氩气修复衬底表面结构，使氧化后的衬底减少形变，提高氧化片的质量。
[0021]以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括单晶硅和二氧化硅，所述单晶硅边缘含有氢离子；在含有氩气的气氛中对所述衬底进行退火，使氢离子溢出衬底；采用氢氟酸稀溶液清洗所述衬底上的二氧化硅，得到单晶硅；平坦化所述单晶硅；在所述单晶硅表面形成氧化层，得到所述氧化片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述衬底进行退火的温度为600℃，退火时长为2小时，氩气以25L/min的流速通入。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学机械研磨法平坦化所述单晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：李飞，张雅荣，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：