一种发光元件包括微发光二极管芯片、第一电性连接层与第二电性连接层以及外壳层。微发光二极管芯片包含出光面、相对出光面的底面、两相对侧面以及位于底面上的第一电极与第二电极，微发光二极管芯片包含凸出结构。第一与第二电性连接层分别连接底面上的第一与第二电极且沿着微发光二极管芯片的两相对侧壁而延伸至出光面两侧的周缘，凸出结构相对第一与第二电性连接层具有不同高度，出光面位于凸出结构的表面上。外壳层包覆微发光二极管芯片与第一、第二电性连接层。微发光二极管芯片的出光面及第一、第二电性连接层的顶面未受外壳层包覆。本揭露还提供发光元件的制造方法与使用发光元件的封装元件。如此，发光元件与封装元件的尺寸与厚度可缩小。件的尺寸与厚度可缩小。件的尺寸与厚度可缩小。
【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]本申请是申请日为2020年04月16日、申请号为202010300085.0、专利技术名称为“发光元件、封装元件以及发光元件的制造方法”的专利申请的分案申请。
[0002]本揭露有关于发光元件。
技术介绍
[0003]在现有发光二极管封装元件中，由于使用到具有一定厚度的衬底以及具相应尺寸的发光二极管芯片，这使得整体发光封装元件的厚度与长宽尺寸有一定限制，如此例如应用在穿戴式装置或是追求小间距的高密度LED显示屏(fine pitch LED display)上也会受到限制。
[0004]因此，如何缩小发光封装元件尺寸与厚度，使得整体尺寸缩小，是本领域技术人员所需解决的问题之一。
技术实现思路
[0005]本揭露的一态样有关于一种发光元件。
[0006]根据本揭露的一实施方式，一种发光元件包括微发光二极管芯片、第一电性连接层与第二电性连接层以及外壳层。微发光二极管芯片包含出光面、相对出光面的底面、两相对侧面以及位于底面上的第一电极与第二电极，微发光二极管芯片包含凸出结构。第一电性连接层与第二电性连接层分别连接底面上的第一与第二电极且沿着微发光二极管芯片的两相对侧壁而延伸至出光面两侧的周缘，凸出结构相对第一电性连接层与第二电性连接层具有不同高度，出光面位于凸出结构的表面上。外壳层包覆微发光二极管芯片与第一电性连接层、第二电性连接层。微发光二极管芯片的出光面及第一电性连接层、第二电性连接层的顶面未受外壳层包覆。
[0007]在本揭露一或多个实施方式中，微发光二极管芯片是无衬底的。
[0008]在本揭露一或多个实施方式中，第一电性连接层与第二电性连接层与微发光二极管芯片之间分别具有第一绝缘层与第二绝缘层。
[0009]在本揭露一或多个实施方式中，微发光二极管芯片的出光面包含粗糙化表面。
[0010]在本揭露一或多个实施方式中，微发光二极管芯片的底面包含第一底面与第二底面。第一底面与第二底面之间存在一阶梯高度。第一电极位于第一底面上。第二电极位于第二底面上。
[0011]在一些实施方式中，微发光二极管芯片的底面于凸出结构上垂直投影所对应的凸出结构的部分为出光面的粗糙化表面。
[0012]在一些实施方式中，凸出结构包含曲面，曲面连接出光面的两侧的周缘。
[0013]在本揭露一或多个实施方式中，发光元件还包含底板以及可断裂的支撑结构。可断裂的支撑结构连接发光元件的外壳层的底面至底板。支撑结构位于外壳层的底面与底板
之间。
[0014]在一些实施方式中，微发光二极管芯片包含第一半导体层、第二半导体层，以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的主动层。
[0015]在一些实施方式中，发光元件的整体厚度不超过20μm。
[0016]综合上述，本揭露的发光元件使用小尺寸的微发光二极管，整体尺寸与厚度得以缩小。发光元件的导电线路设置于和微发光二极管的出光面共平面，有利于和其它走线连接。使用此发光元件的封装元件，其尺寸也得以缩小。
[0017]以上所述仅是用以阐述本揭露所欲解决的问题、解决问题的技术手段及其产生的功效等等，本揭露的具体细节在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
附图说明
[0018]附图揭示出了本揭露的一个或多个实施方式，并配合说明书中的说明一起用于解释本揭露的原理。只要有可能，与整个附图中使用相同的标记来表示实施方式中的相同或相似的元件。其中这些附图包含：
[0019]图1A根据本揭露的一实施方式绘示一发光元件的剖面图；
[0020]图1B根据本揭露的一实施方式绘示一具有发光元件的一发光结构的剖面图；
[0021]图2根据本揭露的一实施方式绘示制造一发光元件的制造方式的流程图；
[0022]图3A至图3H分别绘示在图2的制造方法下不同流程的剖面图；
[0023]图4根据本揭露的另一实施方式绘示另一具有发光元件的一发光结构的剖面图；
[0024]图5根据本揭露的另一实施方式绘示另一具有发光元件的一发光结构的剖面图；
[0025]图6根据本揭露的另一实施方式绘示另一具有发光元件的一发光结构的剖面图；
[0026]图7A根据本揭露的一实施方式绘示具有发光元件的一封装元件的剖面图；
[0027]图7B根据本揭露的一实施方式绘示具有多个发光元件的一封装元件的一上视图；
[0028]图7C绘示图7B的封装元件的一底视图；
[0029]图8根据本揭露的另一实施方式绘示一具有发光元件的另一封装元件的剖面图；
[0030]图9A至图9D根据本揭露的一实施方式绘示在一封装元件的制造方法中，不同流程下的上视示意图；
[0031]图10A至图10C根据本揭露的一实施方式绘示在另一封装元件的制造方法中，不同流程下的上视示意图；
[0032]图11绘示使用本揭露的封装元件的显示模块；以及
[0033]图12绘示使用本揭露的封装元件的背光模块。
[0034]【符号说明】
[0035]100:发光元件
[0036]1001,1002,1003:发光元件
[0037]110,110
’
,110”,110
”’
:微发光二极管芯片
[0038]111:第一半导体层
[0039]112:主动层
[0040]113:第二半导体层
[0041]114:凸出结构
[0042]115,115
’
,115”,115
”’
:出光面
[0043]115s:周缘
[0044]116:侧面
[0045]117:粗糙化表面
[0046]118:曲面
[0047]120:底面
[0048]1201:第一底面
[0049]1202:第二底面
[0050]140,143,145:绝缘层
[0051]150:电性连接层
[0052]155:导电垫
[0053]160:电性连接层
[0054]165:导电垫
[0055]170:外壳层
[0056]180:钝化层
[0057]200,200
’
,200”,200
”’
:发光结构
[0058]210:底板
[0059]220:支撑结构层
[0060]225:支撑结构
[0061]230:牺牲层
[0062]230o:开口
[0063]250:底板
[0064]260:连接层
[0065]300:制造方法
[0066]310～380:流程
[0067]400,400
’
:封装元件
[0068]410:线路基板
[0069]415:上表面
[0070]420:下表面
[0071本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：一微发光二极管芯片，包含一出光面、相对该出光面的一底面以及位于该底面上的一第一电极与一第二电极，该微发光二极管芯片包含一凸出结构；一第一电性连接层与一第二电性连接层，分别连接该底面上的该第一电极与该第二电极且沿着该微发光二极管芯片的两相对侧壁而延伸至该出光面的两侧的周缘，该凸出结构相对该第一电性连接层与该第二电性连接层具有不同高度，该出光面位于该凸出结构的一表面上；以及一外壳层，包覆该微发光二极管芯片与该第一电性连接层、该第二电性连接层，其中该微发光二极管芯片的该出光面及该第一电性连接层、该第二电性连接层的顶面未受该外壳层包覆。2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该微发光二极管芯片是无衬底的。3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一电性连接层与该第二电性连接层与该微发光二极管芯片之间分别具有一第一绝缘层与一第二绝缘层。4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该出光面...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭修邑，梁建钦，陈若翔，林志豪，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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