【技术实现步骤摘要】
一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术
[0001]本专利技术涉及外延硅片生长
，特别是涉及一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术。
技术介绍
[0002]对掺杂为B/P/As衬底而言，高温外延时，现有技术受外延衬底表面粗糙度影响，外延片表面存在雾缺陷等表面粗糙度波动大，容易造成表面粗糙度大或表面雾面积大引起的硅片批量报废问题，极大的浪费了生产成本，降低生产效益，为了解决上述问题，需要设计新的生长技术。
技术实现思路
[0003]本专利技术所要解决的技术问题是提供一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术，实现表面粗糙度和雾面积的可控生长，确保外延硅片表面质量的稳定,节约成本，提高生产效益。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术，包括以下具体步骤：S1：启动外延设备，进行升温操作，升温至1160
‑
1220℃；S2：对硅片外表面进行处理，在1160
‑
1220℃进行硅片表面预处理，去除氧化层和小颗粒，获得洁净的外延种子...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种外延硅片表面粗糙度可控生长技术，其特征在于：包括以下具体步骤：S1：启动外延设备，进行升温操作，升温至1160
‑
1220℃；S2：对硅片外表面进行处理，在1160
‑
1220℃进行硅片表面预处理，去除自然氧化层和小颗粒等异物，获得洁净的外延种子表面；S3：降温至种子生长温度，降温至1000
‑
1100℃；S4：进行高平整度种子层生长，生长温度1000
‑
1100℃，通入大流量10
‑
30slm硅源气体SiHCl3和H2反应生成Si沉积在衬底上，厚度控制在0.1～0.5um；S5：升温至正常工艺温度，升温至1100
‑
116...
【专利技术属性】
技术研发人员：李慎重，梁兴勃，田达晰，王震，李刚，蒋玉龙，杨德仁，马向阳，
申请(专利权)人：浙江金瑞泓科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。