一种r-GeO2薄膜单晶及其生长方法技术

本发明专利技术提供了一种r

【技术实现步骤摘要】
一种r
‑
GeO2薄膜单晶及其生长方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，尤其是涉及一种r
‑
GeO2薄膜单晶及其生长方法。

技术介绍

[0002]超宽带隙半导体(E
g
)在电子电力应用方面有巨大的潜力，锐钛矿型二氧化锗(r
‑
GeO2)已经在理论上被论证具有超宽带隙(4.64eV)、高电子迁移率、高热导率(51Wm
‑1K
‑1)和双机掺杂性。
[0003]r
‑
GeO2晶体的生长目前存在几种路径，分别是Ge的直接氧化，GeO2的重结晶，有机Ge源与水的化学反应。然而这些生长方式都有各自的缺陷，不能投入实际应用。主要的原因在于，GeO2有不同的晶型以及非晶态，直接氧化Ge往往会得到玻璃态、石英态或者非晶态。因为GeO2在不同晶态(尤其以石英态到锐钛矿型)之间的转化，需要克服巨大的能量壁垒，导致GeO2的重结晶需要在非常极端的条件下进行。因此提供一种可以克复以上缺陷的r
‑
GeO2薄膜单晶的生长方法是非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种r
‑
GeO2薄膜单晶的生长方法，其特征在于，包括：A)Ge和GeO2反应，得到气态GeO；B)在含有氧气的氛围下，将所述气态GeO氧化后沉积在预处理的衬底上，加热生长，即得。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤A)所述Ge和GeO2的摩尔比为1:(1～1.4)。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤A)所述反应温度为500～700℃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气态GeO的分子束束流为1
×
10
12
到1
×
10
15
个/cm2。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有氧气的氛围为氧气和臭氧的混合气或氧等离子体；所述混合气体中，臭氧的体积分数为10～20％，氧气的体积分数为80～90％；气压为1
×
10
‑7～1
×
10
‑5Torr。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤B)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉义，王盛凯，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：