半导体封装件及其制法制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装件及其制法，包括将至少一具有第一线路层的线路结构设置于一支撑板上，再将该支撑板上的线路结构结合至一承载结构上，且使该承载结构具有的第二线路层电性连接该第一线路层，其中，该第一线路层的线宽与线距均小于该第二线路层的线宽与线距。之后，移除该支撑板，以将至少一半导体元件设于该线路结构上，使该半导体元件电性连接该第一线路层，并以包覆层包覆该半导体元件，以于该支撑件上制作出超细线路及高密度的线路结构，而取代现有的硅中介板。而取代现有的硅中介板。而取代现有的硅中介板。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制法


[0001]本专利技术有关一种半导体封装件及其制程，尤指一种无导电硅穿孔(TSV)的半导体封装件及其制法。

技术介绍

[0002]随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductor device)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，遂开发出不同的立体封装技术，例如，扇出式封装堆叠(Fan Out Package on package，简称FO PoP)、芯片尺寸构装(Chip Scale Package，简称CSP)、多芯片模块封装(Multi
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Chip Module，简称MCM)或维集成电路(3D IC)等，以配合各种芯片上大幅增加的输入/出埠数量，进而将不同功能的集成电路整合于单一封装结构。然而，随着现今终端产品的电性功能越加发达，故接置于中介板上的半导体芯片越来越多，使该中介板的结合面积也会越来越大，而导电硅穿孔的布设数量也会增多，导致于制程上封装结构的良率下降，进而提高制程难度及制作成本。
[0003]因此，如何克服上述种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术提供一种半导体封装件及其制法，可制作出超细线路及高密度的线路结构，以取代现有硅中介板。
[0005]本专利技术的半导体封装件，包括：线路结构，其具有第一线路层；承载结构，其具有第二线路层，供该线路结构设于其上，且该第一线路层电性连接该第二线路层；半导体元件，其设于该线路结构上并电性连接该第一线路层；包覆层，其形成于该承载结构上以包覆该半导体元件；布线结构，其形成于该包覆层上；多个导电柱，其形成于该承载结构上并嵌埋于该包覆层中，以借之电性连接该第二线路层及该布线结构；以及电子元件，其配置于该布线结构上。
[0006]前述的半导体封装件中，该线路结构包括至少一第一绝缘层及至少一结合该第一绝缘层的该第一线路层，且该第一线路层为扇出(fan out)型重布线路层(redistribution layer)。
[0007]本专利技术还提供一种半导体封装件的制法，包括：将至少一具有第一线路层的线路结构设置于一支撑板上；将设于该支撑板上的该线路结构结合至一承载结构，其中，该承载结构具有至少一电性连接该第一线路层的第二线路层；移除该支撑板；将至少一半导体元件设于该线路结构上，并令该半导体元件电性连接该第一线路层；形成包覆层于该承载结构上，以令该包覆层包覆该半导体元件；形成多个导电柱于该承载结构上，以由该多个导电柱电性连接该第二线路层，其中该多个导电柱嵌埋于该包覆层中；于该包覆层上形成一电性连接该多个导电柱的布线结构；以及于该布线结构上配置电子元件。
[0008]前述的制法中，该支撑板为玻璃板、钢板或硅晶圆。
[0009]前述的半导体封装件及其制法中，该线路结构通过多个导电凸块设于该承载结构
上，并利用该导电凸块电性连接该第一线路层与第二线路层。
[0010]前述的半导体封装件及其制法中，该多个导电柱通过贯穿成形通路(TMV)形成于该承载结构上。
[0011]由上可知，本专利技术的半导体封装件及其制法中，主要经由于该支撑件上制作出超细线路及高密度的线路结构，以取代现有硅中介板，因而无需制作导电硅穿孔(TSV)，故相比于现有技术，本专利技术能大幅降低制程难度及制作成本。
[0012]此外，该半导体元件的电性功能只需通过该第一线路层即可连接到该承载结构，因而该半导体元件的信号电性功能的传输速度能符合高速规格，故相比于现有技术，本专利技术的半导体封装件能有效提升终端产品的效能。
附图说明
[0013]图1A至图1H为本专利技术的半导体封装件的制法的剖视示意图。
[0014]附图标记说明
[0015]1:半导体封装件
[0016]10,10a:线路结构
[0017]100:第一绝缘层
[0018]101:第一线路层
[0019]102,111,121:导电凸块
[0020]11:半导体元件
[0021]11a:作用面
[0022]11b:非作用面
[0023]110:电极垫
[0024]112:封装材
[0025]12:电子元件
[0026]13:承载结构
[0027]130:第二绝缘层
[0028]131:第二线路层
[0029]14:导电柱
[0030]15:包覆层
[0031]16:布线结构
[0032]160:绝缘层
[0033]161:线路层
[0034]17:封装层
[0035]18:导电元件
[0036]9,9a:支撑板
[0037]90:结合层
[0038]L:切割路径。
具体实施方式
[0039]以下经由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。
[0040]须知，本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。
[0041]图1A至图1H为本专利技术的半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示，于一支撑板9上提供至少一具有多个导电凸块102的线路结构10。
[0042]于本实施例中，该线路结构10为无核心层(coreless)式整版面基板，其包括至少一第一绝缘层100及至少一结合该第一绝缘层100的第一线路层101，并于最外侧的第一线路层101上形成该多个导电凸块102，使该多个导电凸块102电性连接该第一线路层101。例如，该第一绝缘层100为介电材，如ABF(Ajinomoto Build
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up Film)、感光型树脂、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、双马来酰亚胺三嗪(Bismaleimide Triazine，简称BT)、FR5的预浸材(Prepreg，简称PP)、模压树脂(Molding Compound)、模压环氧树脂(Epoxy Molding Compound，简称EMC)或其它适当材料，且该第一线路层101为扇出(fan out)型重布线路层(redistribution layer，简称RDL)。此外，该支撑板9可为玻璃板、钢板、硅晶圆等，其经由一结合层90结合该线路结构10。例如，该结合层90可为如系钛化硅的离形膜(分离层)或其它适当胶材。
[0043]此外，于本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：线路结构，其具有第一线路层；承载结构，其具有第二线路层，供该线路结构设于其上，且该第一线路层电性连接该第二线路层；半导体元件，其设于该线路结构上并电性连接该第一线路层；包覆层，其形成于该承载结构上以包覆该半导体元件；布线结构，其形成于该包覆层上；多个导电柱，其形成于该承载结构上并嵌埋于该包覆层中，且电性连接该第二线路层及该布线结构；以及电子元件，其配置于该布线结构上。2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该线路结构包括至少一第一绝缘层及至少一结合该第一绝缘层的该第一线路层，且该第一线路层为扇出(fan out)型重布线路层(redistribution layer)。3.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该线路结构通过多个导电凸块设于该承载结构上，且借该多个导电凸块电性连接该第一线路层与该第二线路层。4.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该多个导电柱通过贯穿成形通路(TMV)形成于该承载结构上。5.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄吉廷，
申请(专利权)人：青岛新核芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：