一种硅片氧化设备及氧化工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种硅片氧化设备，包括壳体，所述壳体的壳壁内部设有多个电加热管，所述壳体上开设有进料口，所述进料口处设有密封门，所述壳体内侧壁上设有一组对应的磁吸板，两个所述磁吸板之间设有第一安装板，所述第一安装板上设有多个第一弧形卡槽，每个所述弧形卡槽两侧的第一安装板边缘均设有连接块，每个所述弧形卡槽下方的第一安装板板面上设有凹槽，每组所述连接块之间均转动连接有夹持组件，本发明专利技术结构简单，设计新颖，通过第一弧形卡槽和第二弧形卡槽，将硅片竖立夹持，从而可对硅片的双面同时进行氧化处理，使双面都氧化的更加均匀，再通过夹持组件将硅片进一步紧固配合，能够防止氧化过程中硅片掉落。能够防止氧化过程中硅片掉落。能够防止氧化过程中硅片掉落。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片氧化设备及氧化工艺


[0001]本专利技术涉及硅片加工
，具体为一种硅片氧化设备及氧化工艺。

技术介绍

[0002]单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，其主要用途是制作成单晶硅片用作半导体材料，在硅片的加工过程中，需要对其表面进行氧化，现有的氧化设备都是将硅片平铺进行氧化槽内，虽然也能对其进行表面氧化，但是氧化不均匀，因此有必要进行改进。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种硅片氧化设备及氧化工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种硅片氧化设备，包括壳体，所述壳体的壳壁内部设有多个电加热管，所述壳体上开设有进料口，所述进料口处设有密封门，所述壳体内侧壁上设有一组对应的磁吸板，两个所述磁吸板之间设有第一安装板，所述第一安装板上设有多个第一弧形卡槽，每个所述弧形卡槽两侧的第一安装板边缘均设有连接块，每个所述弧形卡槽下方的第一安装板板面上设有凹槽，每组所述连接块之间均转动连接有夹持组件。
[0005]优选的，所述夹持组件包括弧形夹臂，所述弧形夹臂的下方延伸有弯折段，所述弯折段的中间设有连接孔，所述连接孔与连接块之间转动连接，所述弯折段的底部转动连接着连杆，所述连杆转动连接至推板上，所述推板上端设有凸起，所述凸起与凹槽相对应，所述推板的下端连接着气缸，所述气缸固定于壳体底部。
[0006]优选的，位于第一安装板上方的壳体上设有第二安装板，所述第二安装板上设有多个第二弧形卡槽，所述第二弧形卡槽与第一弧形卡槽一一对应。
[0007]优选的，所述壳体内侧壁上还设有氧气进气管和氮气进气管。
[0008]优选的，利用所述硅片氧化设备进行氧化工艺，包括以下步骤：S1:将硅片竖着放置于第一弧形卡槽内，然后启动气缸推动夹持组件夹紧硅片两侧，此时凸起进入凹槽，随着气缸的继续上升，就会顶起整个第一安装板上移，直至硅片顶部进入第二安装板上的第二弧形卡槽，此时硅片呈竖立状固定于氧化设备内；S2:关上氧化设备的密封门，进行预热处理，通过启动电加热管对内部的硅片进行加热，并使设备内的温度始终保持在300
‑
350℃之间；S3:进行氧化反应，将氧气进气管接通氧气后，将氧气的进入量控制在0.8
‑
1L/min，供氧时长设置为10
‑
15min；S4:氧化反应结束后，对硅片进行降温处理，即是将氮气进气管接通氮气后，向硅片表面通入氮气降温，时长控制在5
‑
6min内；S5:降温结束后，即可从氧化设备内取出硅片。
[0009]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术结构简单，设计新颖，通过第一弧形卡槽和第二弧形卡槽，将硅片竖立夹持，从而可对硅片的双面同时进行氧化处理，使双面都氧化的更加均匀，再通过夹持组件将硅片进一步紧固配合，能够防止氧化过程中硅片掉落。
附图说明
[0010]图1为本专利技术整体结构示意图；图2为本专利技术整体结构正面剖视示意图；图3为本专利技术整体结构侧面剖视示意图；图4为本专利技术第一安装板的正面结构示意图；图5为本专利技术第一安装板的背面结构示意图；图6为本专利技术夹持组件的结构示意图；图7为本专利技术弧形夹臂的结构示意图；图8为本专利技术第二安装板的结构示意图。
具体实施方式
[0011]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0012]在专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、
ꢀ“
下”、
ꢀ“
内”、
ꢀ“
外”“前端”、
ꢀ“
后端”、
ꢀ“
两端”、
ꢀ“
一端”、
ꢀ“
另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对专利技术的限制。此外，术语“第一”、
ꢀ“
第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0013]在专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、
ꢀ“
设置有”、
ꢀ“
连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在专利技术中的具体含义。
[0014]本专利技术提供一种技术方案：如图1和图2所示，一种硅片氧化设备，包括壳体1，所述壳体1的壳壁内部设置多个电加热管11，来对氧化设备内部进行加热，在所述壳体1上开一个进料口，并将进料口处设置密封门12，以确保加工时，设备内部处于密封状态。
[0015]如图3、图4和图5所示，在所述壳体1内侧壁上设有一组对应的磁吸板13，将第一安装板2的两端吸附在对应的磁吸板上，在所述第一安装板2的上板面设有多个第一弧形卡槽21，再在每个所述弧形卡槽21两侧的第一安装板边缘均设置连接块22，每个所述弧形卡槽21下方的第一安装板2板面上设有凹槽23，然后在每组所述连接块22之间均转动连接有夹持组件3。
[0016]如图6和图7所示，所述夹持组件3包括弧形夹臂31，弧形夹臂31的下方延伸有弯折
段32，在所述弯折段32的中间设置连接孔33，然后将所述连接孔33与连接块22之间转动连接，同时所述弯折段32的底部与连杆转动34，再将所述连杆34转动连接至推板35上，在所述推板35的下端连接气缸37上的活塞杆，且气缸37底部固定于壳体1底部，当气缸向上推动推板时，两侧的弧形夹臂在连杆的牵引下实现收紧，当推动至一定高度后，该推板35上端设置的凸起36，由于与第一安装板底部的凹槽23相对应，因此凸起会嵌入凹槽内，此时的硅片边缘会被夹紧，再随着气缸的继续向上，第一安装板被顶起向上，从而带动硅片进入加热区。
[0017]如图8所示，位于第一安装板2上方的壳体1上设置一个第二安装板4，该第二安装板4上同样设置有多个第二弧形卡槽41，且第二弧形卡槽41与第一弧形卡槽21一一对应，当硅片随着第一安装板一起上升时，硅片顶部的边缘会卡入第二弧形卡槽内。
[0018]如图3所示，所述壳1体内侧壁上还设有氧气进气管14和氮气进气管15，将氧气进气管接入氧气，用于与硅片发生氧化反应，氮气进气管接入氮气，用于氧化反应后进行降温。
[0019]本实施例中，利用所述硅片氧化设备进行氧化工艺，包括以下步骤：S1:将硅片竖着放置于第一弧形卡槽内，然后启动气缸推动夹持组件夹紧硅片两侧，此时凸起进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片氧化设备，包括壳体1，所述壳体1的壳壁内部设有多个电加热管11，所述壳体1上开设有进料口，所述进料口处设有密封门12，其特征在于：所述壳体1内侧壁上设有一组对应的磁吸板13，两个所述磁吸板13之间设有第一安装板2，所述第一安装板2上设有多个第一弧形卡槽21，每个所述弧形卡槽21两侧的第一安装板边缘均设有连接块22，每个所述弧形卡槽21下方的第一安装板2板面上设有凹槽23，每组所述连接块22之间均转动连接有夹持组件3。2.根据权利要求1所述的一种硅片氧化设备，其特征在于：所述夹持组件3包括弧形夹臂31，所述弧形夹臂31的下方延伸有弯折段32，所述弯折段32的中间设有连接孔33，所述连接孔33与连接块22之间转动连接，所述弯折段32的底部转动连接着连杆34，所述连杆34转动连接至推板35上，所述推板35上端设有凸起36，所述凸起36与凹槽23相对应，所述推板35的下端连接着气缸37，所述气缸37固定于壳体1底部。3.根据权利要求1所述的一种硅片氧化设备，其特征在于：位于第一安装板2上方的壳体1上设有第二安装板4，所述第二安装板4上设有多个第二弧形卡槽41，所述第二弧形卡槽4...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾少俊，耿伟，周航，余珺，
申请(专利权)人：鑫德斯特电子设备安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：