硅片加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种硅片加工工艺，该硅片加工工艺包括：S1：将经过制绒的硅片导入石英舟内；S2：将所述石英舟送入硼扩主机内对所述硅片进行硼扩工艺；S3：将所述石英舟内的所述硅片转移至花篮内，且对所述花篮内的硅片进行湿法蚀刻处理，并且将所述花篮内经过湿法蚀刻处理的所述硅片导入至所述石英舟内；S4：将所述石英舟依次送入沉积主机以及磷扩主机内，以对所述硅片进行沉积工艺以及磷扩工艺；S5：将所述石英舟内的所述硅片转移至所述花篮内，且对所述花篮内的所述硅片进行化学清洗。该硅片加工工艺降低了硅片在石英舟和花篮之间的转运次数，避免了过多流转工序过程中对硅片的损坏，提升工艺效率的同时提升了硅片制造良品率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
硅片加工工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及半导体如硅片的加工工艺。

技术介绍

[0002]半导体材料广泛应用于电子、新能源等行业，太阳能电池是使用半导体材料例如硅片，将光能转变为电能的装置，具备低碳、环保无污染、资源丰富、利用简单和高可靠性等优点，已经得到越来越多的利用。目前，太阳能电池的生产工艺一般包括硅片来料检测、清洗制绒、扩散制结、刻蚀、镀膜印刷、烧结、测试等后续工艺。
[0003]由于硅片经过多道工艺才能够形成为产品，在实际加工过程中就需要将硅片在多个设备之间转运，目前的加工工艺中最常用的手段就是使用转运花篮在各个工序的设备内做转运，具体来说就是将硅片导入花篮后进入一个设备，硅片加工完后转移到另一个石英舟内进入另一个设备。这样在多个花篮与石英舟之间转换，不但费时费力，还会提升硅片的碎片率，从而降低硅片的制造良率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提出一种硅片加工工艺，该硅片加工工艺能够减少硅片流转中花篮与石英舟的转换频次，从而减少硅片的流转过程中所产生的不良品的概率，增加流转的效率。
[0005]为实现上述技术效果，本专利技术的技术方案如下：本专利技术公开了一种硅片加工工艺，包括：S1：将经过制绒的硅片导入石英舟内；S2：将所述石英舟送入硼扩主机内对所述硅片进行硼扩工艺；S3：将所述石英舟内的所述硅片转移至花篮内，且对所述花篮内的硅片进行湿法蚀刻处理，并且将所述花篮内经过湿法蚀刻处理的所述硅片导入至所述石英舟内；S4：将所述石英舟依次送入沉积主机以及磷扩主机内，以对所述硅片进行沉积工艺以及磷扩工艺；S5：将所述石英舟内的所述硅片转移至所述花篮内，且对所述花篮内的所述硅片进行化学清洗。
[0006]在一些实施例中，在步骤S1中使用导片主机将制绒机输出的硅片依次导入所述石英舟内。
[0007]在一些实施例中，步骤S2包括：S21：采用自动导引运输装置将所述石英舟运输至所述硼扩主机的上料位置；S22：采用石英舟搬运装置将所述自动导引运输装置上的所述石英舟搬运至所述硼扩主机的舟托上；S23：所述硼扩主机对所述石英舟内的所述硅片进行硼扩处理；S24：采用所述石英舟搬运装置将所述硼扩主机输出的所述石英舟搬运至所述自动导引运输装置内。
[0008]在一些实施例中，步骤S3包括：S31：采用自动导引运输装置将所述石英舟送入湿法工艺主机内；S32：所述湿法工艺主机的上料导片机构将所述石英舟内的硅片导入所述花篮内；S33：所述湿法工艺主机的运输机构将所述花篮依次运输至多个湿法溶液槽内以对所述硅片进行去除BSG层以及减薄处理；S34：所述湿法工艺主机的所述运输机构将所述花篮
运输至外部的导片装置内将所述花篮内的所述硅片导入到所述石英舟内。
[0009]在一些实施例中，步骤S4包括：S4：采用自动导引运输装置将所述石英舟运输至所述沉积主机的上料位置；S42：采用石英舟搬运装置将所述自动导引运输装置上的所述石英舟搬运至所述沉积主机的舟托上；S43：所述沉积主机对所述石英舟内的所述硅片进行沉积处理；S44：采用所述石英舟搬运装置将所述沉积主机输出的所述石英舟搬运至所述自动导引运输装置内。
[0010]在一些更具体的实施例中，步骤S4还包括：S45：自动导引运输装置将所述石英舟运输至石英舟更换转运装置内；S46：所述石英舟更换转运装置将所述石英舟内的硅片导入磷扩石英舟内，并且将所述磷扩石英舟送入所述磷扩主机内；S47：所述磷扩主机对所述磷扩石英舟内的硅片进行磷扩处理；S48：采用所述石英舟更换转运装置将所述磷扩主机输出的所述磷扩石英舟输出至所述自动导引运输装置上。
[0011]在一些实施例中，步骤S5包括：S51：采用所述自动导引运输装置将所述磷扩石英舟送入湿法工艺主机内；S52：所述湿法工艺主机的上料导片机构将所述磷扩石英舟内的硅片导入所述花篮内：S53：所述湿法工艺主机的运输机构将所述花篮依次运输至多个湿法溶液槽内以对所述硅片进行去除PSG层以及RCA清洗。
[0012]在一些实施例中，所述硅片的厚度不小于130μm。
[0013]在一些实施例中，所述花篮内的所述硅片数量不小于116片。
[0014]在一些实施例中，所述花篮以及所述石英舟可兼容180mm尺寸规格以及210mm
‑
230mm尺寸规格的硅片。
[0015]本专利技术实施例的硅片加工工艺的有益效果，由于在工艺进行过程中，只有在进行湿法工艺的流程时才需要将石英舟上的硅片转运到花篮上，相比于现有技术中每个工艺流程都需要将石英舟的硅片转运到花篮上，本实施例的硅片加工工艺极大地降低了硅片在石英舟和花篮之间的转运次数，减少了硅片流转的工序，避免了过多流转工序中对硅片的损坏，提升工艺效率的同时提升了硅片制造良品率。
[0016]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0017]图1是本专利技术实施例的硅片加工工艺的流程示意图；图2是本专利技术实施例的硅片加工工艺的步骤S2的流程示意图；图3是本专利技术实施例的硅片加工工艺的步骤S3的流程示意图；图4是本专利技术实施例的硅片加工工艺的步骤S4的流程示意图；图5是本专利技术实施例的硅片加工工艺的步骤S5的流程示意图。
具体实施方式
[0018]为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。
[0019]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时
针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0020]此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，用于区别描述特征，无顺序之分，无轻重之分。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0021]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0022]实施例：下面参考图1
‑
图5描述本实施例的硅片加工工艺的具体流程。
[0023]本实施例的硅片加工工艺的流程如下：S1：将经过制绒的硅片导入石英舟内；具体来说，在步骤S1中使用导片主机将制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.硅片加工工艺，其特征在于，包括：S1：将经过制绒的硅片导入石英舟内；S2：将所述石英舟送入硼扩主机内对所述硅片进行硼扩工艺；S3：将所述石英舟内的所述硅片转移至花篮内，且对所述花篮内的硅片进行湿法蚀刻处理，并且将所述花篮内经过湿法蚀刻处理的所述硅片导入至所述石英舟内；S4：将所述石英舟依次送入沉积主机以及磷扩主机内，以对所述硅片进行沉积工艺以及磷扩工艺；S5：将所述石英舟内的所述硅片转移至所述花篮内，且对所述花篮内的所述硅片进行化学清洗。2.根据权利要求1所述的硅片加工工艺，其特征在于，在步骤S1中使用导片主机将制绒机输出的所述硅片依次导入所述石英舟内。3.根据权利要求1所述的硅片加工工艺，其特征在于，步骤S2包括：S21：采用自动导引运输装置将所述石英舟运输至所述硼扩主机的上料位置；S22：采用石英舟搬运装置将所述自动导引运输装置上的所述石英舟搬运至所述硼扩主机的舟托上；S23：所述硼扩主机对所述石英舟内的所述硅片进行硼扩处理；S24：采用所述石英舟搬运装置将所述硼扩主机输出的所述石英舟搬运至所述自动导引运输装置内。4.根据权利要求1所述的硅片加工工艺，其特征在于，步骤S3包括：S31：采用自动导引运输装置将所述石英舟送入湿法工艺主机内；S32：所述湿法工艺主机的上料导片机构将所述石英舟内的所述硅片导入所述花篮内；S33：所述湿法工艺主机的运输机构将所述花篮依次运输至多个湿法溶液槽内以对所述硅片进行去除BSG层以及减薄处理；S34：所述湿法工艺主机的所述运输机构将所述花篮运输至外部的导片装置内将所述花篮内的所述硅片导入到所述石英舟内。5.根据权利要求1所述的硅片加工工艺，其特征在于，步骤S4包括：S41：采用自动导引运输装置将所述石英舟运输至所述沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：于帅帅，董雪迪，林佳继，刘群，
申请(专利权)人：拉普拉斯无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：