防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置，属于太阳能电池技术领域，包括载片舟、支撑架和真空管；支撑架设于载片舟内，支撑架的两侧用于贴合硅片，支撑架为中空的框架且支撑架的边缘与硅片的边缘平齐；支撑架的内部具有第一气体通道，支撑架与硅片贴合的两个侧壁上开设有与第一气体通道相连通的第一通气孔；真空管的一端贯穿支撑架的侧壁并与第一气体通道连通。本实用新型专利技术提供的防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置，在真空泵的作用下将支撑架两侧的硅片吸附在支撑架上，保证了硅片和支撑架的紧密贴合，避免了工艺气体进入硅片和支撑架之间，避免了晶硅电池绕镀和绕扩，进而节省了生产成本和提高了生产效率。省了生产成本和提高了生产效率。省了生产成本和提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置


[0001]本技术属于太阳能电池
，更具体地说，是涉及一种防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置。

技术介绍

[0002]N型单晶太阳电池的制备过程大致如下：制绒
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扩散
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清洗
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背抛
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隧穿钝化层沉积
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氧化铝沉积
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氮化硅沉积
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金属化等工艺。其中，扩散是制备PN结的主要工序，对于P型硅片，在扩散炉中通入三氯氧磷，形成磷掺杂层，即N型层。对于N型硅片，则通入三溴化硼，形成硼掺杂层，即P型层。无论是制作P型结还是N型结，均只需要单面扩散，另一面不需要。
[0003]目前制作PN结的方法包括以下两种：一种方法是硅片两面同时扩散形成PN结，然后通过化学药液去除其中一面，保留另外一面；另一种方法是将两片硅片背靠背放置于载片舟的同一槽体内，通过背靠背贴合放置的方式避免硅片贴合的一面掺杂。但由于硅片之间贴合不实，存在一定的缝隙，因此在硅片另一面的边缘处会形成一定的掺杂层即形成PN结，后续也是需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置，其特征在于，包括：载片舟(1)；支撑架(3)，设于所述载片舟(1)内，所述支撑架(3)的两侧用于贴合硅片(7)，所述支撑架(3)为中空的框架且所述支撑架(3)的边缘与硅片(7)的边缘平齐；所述支撑架(3)的内部具有第一气体通道(11)，所述支撑架(3)与硅片(7)贴合的两个侧壁上开设有与所述第一气体通道(11)相连通的第一通气孔(5)；真空管(4)，所述真空管(4)的一端贯穿所述支撑架(3)的侧壁并与所述第一气体通道(11)连通，所述真空管(4)的另一端连接有真空泵(6)；所述真空泵(6)驱动所述真空管(4)和所述支撑架(3)内的所述第一气体通道(11)抽气，使得贴合在所述支撑架(3)两侧的硅片(7)被所述第一通气孔(5)吸附在所述支撑架(3)上。2.如权利要求1所述的防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置，其特征在于，所述支撑架(3)包括四个首尾相连的支板，四个所述支板围设出矩形边框，多个所述第一通气孔(5)均匀分布在四个所述支板上。3.如权利要求2所述的防止晶硅电池绕镀或绕扩的装置，其特征在于，所述支撑架(3)还包括连接板(9)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王红芳，徐卓，翟金叶，潘明翠，郎芳，孟庆超，夏新中，陈志军，史金超，于波，
申请(专利权)人：英利能源发展有限公司，
类型：新型
国别省市：