本申请公开了一种气相外延生长辅助装置，包括：装置本体，可移动的设于石墨盘上方，石墨盘位于气相外延生长设备内，并且，石墨盘表面的中心区域设有片坑，片坑用于放置待生长的半导体晶圆；行走机构，连接于装置本体，并用于移动装置本体；升降机构，行走机构通过升降机构连接装置本体，并且，升降机构能够升降装置本体；抓取机构，设于装置本体上，用于抓取半导体晶圆；研磨机构，设于装置本体上，用于对片坑表面沉积的外延材料进行研磨；除尘机构，设于装置本体上，用于除去研磨产生的粉尘。本申请的辅助装置能够解放人工，同时避免人工操作引起的误差和误操作，从而保证产品良率。从而保证产品良率。从而保证产品良率。
【技术实现步骤摘要】
一种气相外延生长辅助装置
[0001]本申请属于半导体
，具体涉及一种气相外延生长辅助装置。
技术介绍
[0002]在半导体行业，气相外延生长半导体晶圆的使用数量急剧增加，产品的良品率一直是重中之重。现有外延生长工艺过程中，取放晶圆、清理片坑等步骤多由人工使用不同工具分别进行，工具较多且操作过程较为繁琐，并且，人工操作精度难以保证，且容易误操作，从而容易影响产品良率。
技术实现思路
[0003]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种气相外延生长辅助装置。
[0004]本申请实施例提供一种气相外延生长辅助装置，包括：装置本体，可移动的设于石墨盘上方，所述石墨盘位于气相外延生长设备内，并且，所述石墨盘表面的中心区域设有片坑，所述片坑用于放置待生长的半导体晶圆；行走机构，连接于所述装置本体，并用于移动所述装置本体；升降机构，所述行走机构通过所述升降机构连接所述装置本体，并且，所述升降机构能够升降所述装置本体；抓取机构，设于所述装置本体上，用于抓取所述半导体晶圆；研磨机构，设于所述装置本体上，用于对所述片坑表面沉积的外延材料进行研磨，所述片坑位于气相外延生长设备内，并用于放置所述半导体晶圆；除尘机构，设于所述装置本体上，用于除去研磨产生的粉尘；控制器，分别连接所述行走机构、所述升降机构、所述抓取机构、所述研磨机构和所述除尘机构，以进行系统控制。
[0005]在一些可选实施例中，所述抓取机构包括夹爪和驱动组件；所述夹爪设于所述装置本体上，并具有抓取所述半导体晶圆的第一形态和放下所述半导体晶圆的第二形态；所述驱动组件设于所述装置本体上并连接所述夹爪，用于驱使所述夹爪切换为所述第一形态或者所述第二形态。
[0006]在一些可选实施例中，所述夹爪包括多个连杆机构，所述连杆机构包括L型连杆和直连杆；所述直连杆的两端分别与所述装置本体和所述L型连杆的折弯处铰接；所述L型连杆的第一端与所述驱动组件铰接，并能够相对所述装置本体沿直线方向移动，以使所述夹爪在所述第一形态和所述第二形态之间变化。
[0007]在一些可选实施例中，所述驱动组件包括传动杆和安装座；所述传动杆沿所述直线方向设于所述装置本体上，并能够相对所述装置本体周向旋转；所述安装座套接于所述传动杆上，并能够在所述传动杆周向旋转过程中沿所述传动杆的轴向移动；所述L型连杆的第一端与所述安装座铰接。
[0008]在一些可选实施例中，所述驱动组件包括传动杆；所述传动杆沿所述直线方向设于所述装置本体上，并能够沿所述直线方向移动；所述L型连杆的第一端与所述传动杆铰接。
[0009]在一些可选实施例中，所述装置本体上设有转盘，所述装置本体通过所述转盘连接所述研磨机构及所述除尘机构，并能够通过所述转盘旋转所述研磨机构及所述除尘机构，以使所述研磨机构及所述除尘机构沿所述片坑的周向移动。
[0010]在一些可选实施例中，所述研磨机构及所述除尘机构能够沿所述转盘的径向移动。
[0011]在一些可选实施例中，所述装置本体上设有防护罩，所述防护罩具有缩回所述装置本体的第一状态以及笼罩所述石墨盘的第二状态；当对所述片坑进行研磨时，所述防护罩切换为所述第二状态以防止粉尘四散。
[0012]在一些可选实施例中，所述装置本体上设有第一检测单元，用于检测所述装置本体相对所述石墨盘的位置。
[0013]在一些可选实施例中，所述装置本体上设有第二检测单元，用于检测所述装置本体相对所述片坑表面或者所述石墨盘表面的距离。
[0014]本申请的上述技术方案具有如下有益的技术效果：本申请实施例的辅助装置可以用于气相外延生长设备，其能够在气相外延生长工艺过程中实现取放晶圆、研磨石墨盘和除尘等机械自动一体化操作，相对于传统工艺中由人工操作的方式，该辅助装置能够解放人工，同时避免人工操作引起的误差和误操作，从而保证产品良率。并且，该辅助装置集成了多项功能设计，使得气相外延生长设备不再需要配置各种专用工具，且在外延生长工艺过程中，可以减少人工操作时更换不同工具所需的时间，从而缩短工艺周期。
附图说明
[0015]图1是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的结构示意图；图2是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的取片动作示意图；图3是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的研磨状态示意图；图4是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的防护状态示意图；图5是本申请示例性实施例中研磨机构及除尘机构的结构示意图；图中，100、行走机构；110、轨道；120、小车；200、装置本体；210、环形座；220、转盘；230、防护罩；300、升降机构；400、抓取机构；410、夹爪；411、L型连杆；412、直连杆；420、驱动组件；421、传动杆；422、安装座；500、研磨机构；510、气动马达；520、夹头；530、磨头；600、除尘机构；610、吸尘器；620、吸气管道；700、第一检测单元；800、石墨盘；810、片坑。
具体实施方式
[0016]下面结合附图和实施例对本申请的实施方式作进一步详细描述。以下实施例的详细描述和附图用于示例性地说明本申请的原理，但不能用来限制本申请的范围，即本申请不限于所描述的实施例。
[0017]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术
语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。“垂直”并不是严格意义上的垂直，而是在误差允许范围之内。“平行”并不是严格意义上的平行，而是在误差允许范围之内。
[0018]在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0019]为了更好地理解本申请，下面结合图1至图5本申请实施例进行描述。
[0020]图1是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的结构示意图；图2是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的取片动作示意图；图3是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的研磨状态示意图；图4是本申请示例性实施例中一种气相外延生长辅助装置的防护状态示意图。
[0021]参照图1，本申请实施例提供了一种气相外延生长辅助装置，包括行走机构100、装置本体200、升降机构300、抓取机构400、研磨机构500、除尘机构600和控制器（图中未画出）。
[0022]装置本体200可移动的设于石墨盘800上方，石墨盘800位于气相外延生长设备内，并且，石墨盘800本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气相外延生长辅助装置，其特征在于，包括：装置本体，移动的设于石墨盘上方，所述石墨盘位于气相外延生长设备内，并且，所述石墨盘表面的中心区域设有片坑，所述片坑用于放置待生长的半导体晶圆；行走机构，连接于所述装置本体，并用于移动所述装置本体；升降机构，所述行走机构通过所述升降机构连接所述装置本体，并且，所述升降机构能够升降所述装置本体；抓取机构，设于所述装置本体上，用于抓取所述半导体晶圆；研磨机构，设于所述装置本体上，用于对所述片坑表面沉积的外延材料进行研磨；除尘机构，设于所述装置本体上，用于除去研磨产生的粉尘；控制器，分别连接所述行走机构、所述升降机构、所述抓取机构、所述研磨机构和所述除尘机构，以进行系统控制。2.根据权利要求1所述的气相外延生长辅助装置，其特征在于，所述抓取机构包括夹爪和驱动组件；所述夹爪设于所述装置本体上，并具有抓取所述半导体晶圆的第一形态和放下所述半导体晶圆的第二形态；所述驱动组件设于所述装置本体上并连接所述夹爪，用于驱使所述夹爪切换为所述第一形态或者所述第二形态。3.根据权利要求2所述的气相外延生长辅助装置，其特征在于，所述夹爪包括多个连杆机构，所述连杆机构包括L型连杆和直连杆；所述直连杆的两端分别与所述装置本体和所述L型连杆的折弯处铰接；所述L型连杆的第一端与所述驱动组件铰接，并能够相对所述装置本体沿直线方向移动，以使所述夹爪在所述第一形态和所述第二形态之间变化。4.根据权利要求3所述的气相外延生长辅助装置，其特征在于，所述驱动组件包括传...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹鑫，陆亚炜，尧舜，
申请(专利权)人：华芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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