具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底、在所述GaAs衬底上依次生长的N型布拉格反射镜和谐振腔、设置在对应非出光区域的所述谐振腔表面的非氧化型电流限制层、设置在所述非氧化型电流限制层以及对应出光区域的所述谐振腔表面的第一P型布拉格反射镜、设置在所述第一P型布拉格反射镜表面的P接触层、设置在所述P接触层上的P电极以及设置在所述GaAs衬底下表面的N电极。本发明专利技术解决了高铝材料氧化后由于应力变化、热膨胀系数变化容易产生缺陷，从而造成芯片性能下降以及寿命缩短的问题，由此进一步提高了芯片的性能以及延长了芯片的寿命。芯片的寿命。芯片的寿命。

【技术实现步骤摘要】
具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及垂直腔面发射激光器
，具体而言，本专利技术涉及具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，VCSEL)有别于LED(Light Emitting Diode，发光二极管)和LD(LaserDiode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小且易集成大面积阵列等优点，被广泛应用于光通信、光互连和光存储等领域。随着科学技术的不断发展，各种各样的VCSEL芯片已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。
[0003]目前VCSEL应用领域越来越广，在光通信领域对可靠性要求很多，当前主要方法是通过外延生长多层高铝材料，通过设计在VCSEL芯片刻蚀出截面，通过氧化工艺制备出Al2O3作为电流阻挡层。Al2O3为非晶结构，应力、热膨胀系数与周边材料不同，导致周边缺陷的引入，使得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片，其特征在于，包括：GaAs衬底；在所述GaAs衬底上依次生长的N型布拉格反射镜和谐振腔；非氧化型电流限制层，所述非氧化型电流限制层设置在对应非出光区域的所述谐振腔的表面；第一P型布拉格反射镜，所述第一P型布拉格反射镜设置在所述非氧化型电流限制层以及对应出光区域的所述谐振腔的表面；P接触层，所述P接触层设置在所述第一P型布拉格反射镜的表面；P电极，所述P电极设置在所述P接触层上；N电极，所述N电极设置在所述GaAs衬底的下表面。2.根据权利要求1所述的具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片，其特征在于，所述非氧化型电流限制层为单层结构，所述单层结构的材料选自GaAs、GaAsP、AlGaAs和InGaAsP中的其中之一。3.根据权利要求1所述的具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片，其特征在于，所述非氧化型电流限制层为多层结构，所述多层结构由至少两种材料交替生长而成，所述多层结构的材料选自GaAs、GaAsP、AlGaAs和InGaAsP。4.根据权利要求1所述的具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片，其特征在于，所述非氧化型电流限制层的光学厚度为λ/2的整数倍，λ表示激光器激射波长。5.根据权利要求1
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4任一项所述的具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片，其特征在于，还包括：至少一对第二P型布拉格反射镜，所述第二P型布拉格反射镜设置在所述谐振腔远离所述N型布拉格反射镜的表面上，且所述非氧化型电流限制层设置在对应非出光区域的所述第二P型布拉格反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：尧舜，董国亮，戴伟，刘晨晖，胡斌，陈章龙，冒凯，王青，江蔼庭，
申请(专利权)人：华芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：