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本发明公开了具有非氧化型电流限制层的VCSEL芯片及其制备方法，所述VCSEL芯片包括GaAs衬底、在所述GaAs衬底上依次生长的N型布拉格反射镜和谐振腔、设置在对应非出光区域的所述谐振腔表面的非氧化型电流限制层、设置在所述非氧化型电流限制...
该专利属于华芯半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华芯半导体科技有限公司授权不得商用。

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