中红外垂直腔面激光器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种中红外垂直腔面激光器及其制作方法，所述激光器包括上DBR、下DBR以及设置于上DBR和下DBR之间的有源层，所述有源层采用As

【技术实现步骤摘要】
中红外垂直腔面激光器及其制作方法


[0001]本专利技术是关于一种光电器件，特别是关于一种中红外垂直腔面激光器及其制作方法。

技术介绍

[0002]自20世纪60年代第一台激光器诞生以来，激光在科学研究及技术应用中都有着革命性的影响。而激光本身作为一门科学和技术兼具的学科，一直是一个快速发展和极其活跃的研究前沿，激光器的线性尺寸从用于激光聚变的激光系统的几百m量级，到固/气体激光器的m量级，再到半导体激光器的 cm、mm乃至nm量级，从极大到极小跨越达10个数量级。在半导体激光器发展的近60年过程中，在激光腔和增益材料上都取得了一定的发展和突破，每一次都导致了器件性能的改进、阈值的降低、尺寸的减小和新应用场景的出现。而半导体纳米激光器的出现是作为最小体积的激光器种类之一的半导体激光器发展的必然结果，同时它的出现极大的推动了半导体激光器在光通信领域的发展，摩尔定律驱动的微电子技术的不断进步对信息传递提出了前所未有的挑战和要求，使得信息传递在越来越小的尺度上，出现了由“电”到“光”过渡的诱人前景。基于此，各种新的光学微腔不断被设计和优化，如基于分布本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中红外垂直腔面激光器，其特征在于，包括上DBR、下DBR以及设置于上DBR和下DBR之间的有源层，所述有源层采用As
x
P1‑
x
，其中x=0~0.7，所述上DBR和下DBR为SiO2/TiO2材料或SiO2/Si3N4材料交替组成，激光器的发光波长λ=3.7~6.5μm。2.如权利要求1所述的中红外垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和下DBR为SiO2/TiO2材料交替组成，所述上DBR的周期为7~10，所述下DBR的周期为9。3.如权利要求1所述的中红外垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和下DBR为SiO2/Si3N4材料交替组成，所述上DBR的周期为11~14，所述下DBR的周期为13。4.如权利要求1所述的中红外垂直腔面激光器，其特征在于，所述上DBR和下DBR中，每一层材料的厚度为λ/4n1，n1为该层材料的折射率。5.如权利要求1所述的中红外垂直腔面激光器，其特征在于，所述激光器还包括：上包覆层，形成于所述有源层和上DBR之间；下包覆层，形成于所述有源层和下DBR之间，所述上包覆层和下包覆层的折射率小于有源层的折射率。6.如权利要求5所述的中红外垂直腔面激光器，其特征在于，所述上包覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，张君蓉，张玉双，陈程，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：