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本发明公开了一种中红外垂直腔面激光器及其制作方法，所述激光器包括上DBR、下DBR以及设置于上DBR和下DBR之间的有源层，所述有源层采用As
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该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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