覆盖管理方法、计算系统及非易失性计算机可读存储介质技术方案

技术编号:36466903 阅读:29 留言:0更新日期:2023-01-25 23:08
本发明专利技术提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统,阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。盖误差源因子。盖误差源因子。

【技术实现步骤摘要】
覆盖管理方法、计算系统及非易失性计算机可读存储介质
[0001]本专利技术是2019年6月27日所提出的申请号为201910567654.5、专利技术名称为《覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统》的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术的实施例是有关于半导体技术,且特别是有关于一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统。

技术介绍

[0003]随着半导体技术的演变,半导体管芯正变得越来越小,同时越来越多的功能被集成到单个管芯中。因此,需要将数目越来越大的输入/输出(I/O)接垫与更小面积的管芯表面一起包含在集成电路(integrated circuit,“IC”)封装中。扇出型晶片级封装(wafer level packaging,“WLP”)成为有希望应对此种有挑战性的情形的封装技术。在扇出型WLP中,从原始前段晶片切割出管芯,之后将管芯定位在载体晶片上以与连接布线及I/O接垫封装在一起。在扇出型WLP工艺中,优点是,与管芯相关联的I/O接垫可被重布线到比管芯本身的表面更大的面积。因此,与管芯填装在一起的I/O接垫的数目可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆盖管理方法,包括:接收数据集,所述数据集包括相对于在第一晶片上形成第一特征的工具的第一工具位置、所述第一晶片的与形成所述第一特征对应的第一部分的第一项目位置,以及在所述第一晶片上形成的所述第一特征的第一覆盖计量;基于所述数据集通过机器学习来产生函数,所述函数使所述函数的第一侧上的工具位置或项目位置中的一者或多者与所述函数的第二侧上的覆盖计量相关;接收相对于在第二晶片上形成第二特征的所述工具的第二工具位置以及所述第二晶片的与形成所述第二特征对应的第二部分的第二项目位置;基于所述函数、所述第二工具位置及所述第二项目位置,估计所述第二晶片上的所述第二特征的第二覆盖计量;以及基于所述所估计第二覆盖计量,调整所述第二工具位置或所述第二项目位置中的一者或多者。2.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,其中所述第一工具位置或所述第二工具位置中的每一者包括晶片载台位置、步进机位置、光掩模键位置、或曝光位置中的一者或多者。3.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,其中所述第一项目位置或所述第二项目位置中的每一者包括定位在晶片载台上的所述第一晶片的晶片偏移或晶片旋转中的一者或多者。4.根据权利要求3所述的覆盖管理方法,其中所述第一项目位置或所述第二项目位置中的每一者进一步包括定位在所述第一晶片的所述第一部分上的管芯的管芯偏移或管芯旋转中的一者或多者。5.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,其中所述第一工具位置或所述第二工具位置中的每一者包括所测量位置、对齐前位置及对齐后位置中的一者或多者。6.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,其中所述第一项目位置或所述第二项目位置中的每一者包括所测量位置、对齐前位置及对齐后位置中的一者或多者。7.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,进一步包括:确定在所述第一晶片上形成所述第一特征的上下文;以及产生包含所述上下文的所述数据集。8.根据权利要求7所述的覆盖管理方法,其中所述上下文包括以下中的一者或多者:所述第一晶片上的增强全局对齐操作的测量位置、相对于形成所述第一特征的曝光场及所述第一晶片上测量所述覆盖计量的计量位置。9.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,进一步包括:确定相对于在前一第一晶片上形成第一特征的所述工具的先前工具位置;以及产生包含所述先前工具位置的所述数据集。10.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,其中产生所述函数包括使用所述机器学习通过神经网络系统来产生所述函数。11.根据权利要求1所述的覆盖管理方法,进一步包括通过将所述第二晶片的所述所估计第二覆盖计量与所述第二晶片的所测量覆盖计量进行比较来评估所述函数。12.一种上面存储有可执行指令的非易失性计算机可读存储介质,当所述可执行指令由处理器执行时,所述可执行指令使所述处理器实行包括以下的各种动作:
接收数据集,所述数据集包括相对于在第一晶片上形成第一特征的工具的第一工具位置、所述第一晶片的与形成所述第一特征对应的第一部分的第一项目位置,以及...

【专利技术属性】
技术研发人员:林资程汪青蓉左克伟王咏生彭旸尹
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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