半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置。作为非限制性的例子，此发明专利技术内容的各种特点是提供各种的半导体封装结构、以及用于制造其的方法，其包括一薄的细微间距的重新分布结构。微间距的重新分布结构。微间距的重新分布结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本申请为申请日2016年8月9日、申请号201610648773.X、专利技术创造名称
ꢀ“
半导体装置”的分案申请。


[0002]本专利技术是有关于一种半导体装置。
[0003]相关申请案的交互参照/纳入作为参考
[0004]此申请案相关于2013年1月29日申请且名称为"半导体装置以及制造半导 体装置的方法"的美国专利申请案序号13/753,120；2013年4月16日申请且名 称为"半导体装置以及制造其的方法"的美国专利申请案序号13/863,457；2013 年11月19日申请且名称为"具有直通硅穿孔
‑
较不深的井的半导体装置"的美国 专利申请案序号14/083,779；2014年3月18日申请且名称为"半导体装置以及 制造其的方法"的美国专利申请案序号14/218,265；2014年6月24日申请且名 称为"半导体装置以及制造其的方法"的美国专利申请案序号14/313,724；2014 年7月28日申请且名称为"具有薄的重新分布层的半导体装置"美国专利申请案 序号14/本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一重新分布结构，包括：第一介电层；第一导电线路，埋藏于所述第一介电层中并且包括：第一线路顶侧，至少部分由所述第一介电层覆盖；第一线路底侧，在所述第一介电层的底侧露出；以及第一线路横向侧，由所述第一介电层覆盖；以及第一导电贯孔，埋藏于所述第一介电层中并且包括：第一贯孔顶侧，在所述第一介电层的顶侧露出；第一贯孔底侧，直接耦接到所述第一线路顶侧；以及第一贯孔横向侧，由所述第一介电层覆盖；第二重新分布结构，在所述第一重新分布结构的底侧上并且包括：第二介电层，耦接到所述第一介电层的所述底侧的下方；第三介电层，耦接到所述第二介电层的底侧的下方；第二导电线路，埋藏于所述第三介电层中；以及第二导电贯孔，延伸通过所述第二介电层，其中：所述第二导电线路沿着所述第二介电层的所述底侧延伸；所述第一导电线路沿着所述第二介电层的的顶侧延伸；并且所述第二导电贯孔将所述第一导电线路耦接到所述第二导电线路；半导体晶粒，附接至所述第一重新分布结构的顶侧；以及模制材料，覆盖所述第一重新分布结构的至少一部份以及所述半导体晶粒的横向侧，其中所述第一介电层、所述第二介电层以及所述第三介电层包括相同的介电材料。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，没有线路被埋藏于所述第二介电层中。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述相同的介电材料包括有机介电材料。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电线路和所述第一重新分布结构的其他导电线路具有次微米的间距。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：基板；导电互连结构，将所述半导体晶粒的底侧电连接到所述基板的上侧；以及囊封材料，覆盖所述基板的所述上侧的至少一部分并且横向围绕所述半导体晶粒、所述第一重新分布结构和所述第二重新分布结构以及所述导电互连结构，同时留下所述半导体晶粒的上侧没有被所述囊封材料覆盖。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电线路和所述第二导电贯孔是相同连续金属层的部分。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电线路没有晶种层。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括底胶填充，所述底胶填充延伸到所述第一重新分布结构和所述第二重新分布结构中的至少一横向边缘。
9.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一重新分布结构，包括：第一介电层；第一导电线路，包括：第一线路顶侧，至少部分由所述第一介电层覆盖；第一线路底侧，从所述第一介电层露出；以及第一线路横向侧，至少部分由所述第一介电层覆盖；第一导电贯孔，包括：第一贯孔顶侧，从所述第一介电层露出；第一贯孔底侧，直接耦接到所述第一线路顶侧；以及第一贯孔横向侧，至少部分由所述第一介电层覆盖；以及晶粒互连结构，所述晶粒互连结构的至少一部分在所述第一贯孔顶侧上方；第二重新分布结构，包括：第二介电层，耦接到所述第一介电层的底侧的下方，所述第一导电线路沿着所述第二介电层的顶侧延伸；第二导电线路，沿着所述第二介电层的所述底侧延伸；第二导电贯孔，延伸通过所述第二介电层并且将所述第一导电线路耦接到所述第二导电线路；以及第三介电层，耦接到所述第二介电层的底侧的下方；半导体晶粒，附接到所述晶粒互连结构的顶侧；导电柱，耦接到所述第一重新分布结构的所述顶侧；以及模制材料，覆盖所述第一重新分布结构的至少一部分并且横向围绕所述半导体晶粒；其中：所述导电柱的顶侧、所述模制材料的顶侧以及所述半导体晶粒的顶侧实质上是共面的；并且所述导电柱的底侧垂直低于所述所述导电柱的的至少一部分；并且其中所述第一介电层、所述第二介电层及所述第三介电层包括相同的介电材料。10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，没有线路被埋藏在所述第二介电层中。11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述相同的介电材料包括有机介电材料。12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体晶粒包括导电凸块，所述导电凸块被焊接到所述晶粒互连结构。13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，还包括氧化层，所述氧化层在所述第一介电层和所述第二介电层之间。14.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，还包括：基板；导电互连结构，电连接所述半导体晶粒的底侧到所述基板的上侧；以及囊封材料，覆盖所述基板的所述上侧的至少一部分并且横向围绕所述半导体晶粒、所
述第一重新分布结构和所述第二重新分布结构以及所述导电互连结构，同时留下所述半导体晶粒的上侧没有被所述囊封材料覆盖。15.一种半导体装置，其特征在于，包括：前侧重新分布结构，包括第一前侧重新分布结构介电层；半导体晶粒，包括前晶粒侧和背晶粒侧，所述前晶粒侧包括导电垫，所述前晶粒侧面向并且耦接到所述前侧重新分布结构的顶侧；堆栈构件互连结构，包括顶侧和底侧，所述堆栈构件互连结构的所述底侧耦接到所述前侧重新分布结构的所述顶侧，所述堆栈构件互连结构的所述顶侧垂...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦可，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：