半导体结构及其形成方法技术

本发明专利技术提出一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含衬底、多个第一布线层以及多个下层接触窗；衬底具有第一区域和第二区域，衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层；多个第一布线层设置于第一绝缘层中，并包含第一布线结构及第二布线结构；第一布线结构横跨于第一区域，且第一布线结构两端分别位于第一区域的邻接第二区域的两侧边缘位置；第二布线结构位于第一区域的边缘位置；多个下层接触窗设置于第一绝缘层中，并包含第一接触窗及第二接触窗；第一接触窗位于第一区域的邻接第二区域的两侧边缘区域；第二接触窗位于第一区域的中部区域；其中，第一布线结构通过第一接触窗和第二接触窗与第一区域的电极层连接，第二布线结构通过第一接触窗与第一区域的电极层连接。构通过第一接触窗与第一区域的电极层连接。构通过第一接触窗与第一区域的电极层连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]现有半导体结构中，金属布线与有效区边缘的电极通过接触窗相连接，具体分别在第一区域的邻接第二区域的两侧边缘位置分别设置金属布线，且每个金属布线分别通过一个接触窗与电极层相连接。然而，上述设计存在以下缺陷：连接金属布线与电极层的接触窗集中布置于第一区域的边缘区域，使得下层金属布线通过上述接触窗与电极层相连接时的接触电阻较大，导致电压传递的稳定性较差。另外，现有设计在有效区两侧设置布线层，在CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)过程中极易出现patterning效应而导致翘曲。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种电压传递的稳定性较佳且不易在CMP过程中产生翘曲的半导体结构。
[0004]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0005]根据本专利技术的一个方面，提供一种半导体结构，其中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：衬底，具有第一区域和第二区域，所述衬底表面依次设置有电极层和第一绝缘层；多个第一布线层，设置于所述第一绝缘层中，所述多个第一布线层包含：第一布线结构，横跨于所述第一区域，且所述第一布线结构两端分别位于所述第一区域的邻接所述第二区域的两侧边缘位置；第二布线结构，位于所述第一区域的所述边缘位置；多个下层接触窗，设置于所述第一绝缘层中，所述多个下层接触窗包含：第一接触窗，位于所述第一区域的邻接所述第二区域的两侧边缘区域；第二接触窗，位于所述第一区域的中部区域；其中，所述第一布线结构通过所述第一接触窗和所述第二接触窗与所述第一区域的所述电极层连接，所述第二布线结构通过所述第一接触窗与所述第一区域的所述电极层连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二布线结构成对布置，同对的两个所述第二布线结构沿第一方向间隔设置，且分别位于所述第一区域的邻接所述第二区域的两侧边缘位置。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一布线层沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔布置；其中，沿所述第二方向，相邻两个所述第一布线结构之间设置有至少一对所述第二布线结构。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一布线层包含至少三个所述第一布线结构；其中，沿所述第二方向，相邻两个所述第一布线结构之间设置的所述第二布线结构的对数均相等。5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一布线层沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔布置；其中，沿所述第二方向，相邻两对所述第二布线结构之间设置有至少一个所述第一布线结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一布线层包含至少三对所述第二布线结构；其中，沿所述第二方向，相邻两对所述第二布线结构之间设置的所述第一布线结构的数量均相等。7.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述多个第一布线层沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔布置；其中，各所述第一布线结构与各对所述第二布线结构沿所述第二方向交替排列。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，沿所述第二方向，所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨正杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：