接触插塞结构、半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种接触插塞结构、半导体结构及其制备方法，包括；提供衬底；于衬底的上表面形成介质层；形成接触孔，接触孔贯穿介质层，并延伸至衬底内；接触孔位于介质层内的部分记为第一部分，接触孔延伸至衬底内的部分记为第二部分；于接触孔的侧壁形成保护层；于接触孔的底部形成阻挡层，阻挡层完全覆盖接触孔的底部；阻挡层与保护层的刻蚀选择比小于1；去除保护层；于第二部分的侧壁形成金属硅化物层；于接触孔内形成导电层，导电层位于阻挡层上，且填满接触孔。该接触插塞结构、半导体结构及其制备方法通过形成阻挡层，将金属硅化物层与衬底分隔开，避免了由于接触孔的底部形成金属硅化物而导致的结漏电流。化物而导致的结漏电流。化物而导致的结漏电流。

【技术实现步骤摘要】
接触插塞结构、半导体结构及其制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种接触插塞结构、半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管；晶体管的栅极与字线相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连；字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。目前，随着便携式电子产品在日常生活中日益普及，以及电子产品中器件尺寸的减小，密度增加，节省电源消耗已经成为主要挑战之一。在半导体制造中，晶体管的漏电一直是限制半导体行业发展的一个主要问题，涉及到芯片在待机状态下的功耗，器件的稳定性和使用寿命等。其中，晶体管的源漏极和衬底之间形成的PN结漏电占据总漏电很大的部分。
[0003]传统形成晶体管接触结构的主流工艺是在源漏端蚀刻出一定深度的槽，再沉积金属并进行退火处理，以与硅反应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接触插塞结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底；于所述衬底的上表面形成介质层；形成接触孔，所述接触孔贯穿所述介质层，并延伸至所述衬底内；所述接触孔位于所述介质层内的部分记为第一部分，所述接触孔延伸至所述衬底内的部分记为第二部分；于所述接触孔的侧壁形成保护层；于所述接触孔的底部形成阻挡层，所述阻挡层完全覆盖所述接触孔的底部；所述阻挡层与所述保护层的刻蚀选择比小于1；去除所述保护层；于所述第二部分的侧壁形成金属硅化物层；于所述接触孔内形成导电层，所述导电层位于所述阻挡层上，且填满所述接触孔。2.根据权利要求1所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述于所述接触孔的侧壁形成保护层包括：于所述介质层的上表面、所述接触孔的底部及侧壁形成保护材料层；去除位于所述介质层上表面以及所述接触孔底部的所述保护材料层，保留位于所述侧壁表面的所述保护材料层即为保护层。3.根据权利要求2所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底且所述阻挡层包括二氧化硅层，或所述衬底包括锗衬底且所述阻挡层包括半导体氧化物层；以及所述保护层包括氮化硅层和/或碳化硅层。4.根据权利要求3所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述于所述接触孔的底部形成阻挡层包括：采样热氧化工艺对所述硅衬底进行热氧化，以于所述接触孔底部形成所述阻挡层。5.根据权利要求1所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第二部分的侧壁形成金属硅化物层包括：于所述介质层的上表面、所述接触孔的侧壁及所述阻挡层的上表面形成金属层；对所得结构进行退火处理，使得所述金属层与所述衬底反应，以于所述第二部分的侧壁形成所述金属硅化物层；去除剩余的所述金属层。6.根据权利要求5所述的接触插塞结构的制备方法，其特征在于，所述金属层包括钛层和/或钴层；所述金属硅化物层包括硅化钴和/或硅化钛层。7.一种接触插塞结构，其特征在于，所述接触插塞结构采用如权利要求1至6中任一项所述的接触插塞结构的制备方法制备而得到。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆克军，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：