半导体结构的制造方法和半导体结构技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底内具有第一接触层和第二接触层；形成初始电连接层；形成下层掩膜层，下层掩膜层包括相邻的第一图案区和第二图案区；在基底的上表面，两个第一接触层的正投影落入一个第一图案区的正投影内，一个第二接触层的正投影落入一个第二图案区的正投影内；图案化第一图案区以形成两个相互分立的第一子图案区；刻蚀初始电连接层，以形成相互分立的第一电连接层和第二电连接层，第一电连接层对应第一子图案区，第二电连接层对应第二图案区。本发明专利技术实施例能够降低半导体结构内部发生短路的风险。险。险。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法和半导体结构


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]存储器是一种常见的半导体结构。存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件，通常包括有源区、位线以及字线等结构，而有源区、位线或字线等结构需通过接触层以及电电连接层引出来，从而与控制电路连接。
[0003]然而在形成接触层以及电连接层的工艺步骤中，容易造成半导体结构内部发生短路的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，以降低半导体结构内部发生短路的风险。
[0005]为解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底内具有相互分立的至少两个第一接触层和至少一个第二接触层；形成初始电连接层，所述初始电连接层与所述第一接触层和第二接触层电连接；形成下层掩膜层，所述下层掩膜层包括相互分立的至少一个第一图案区和至少一个第二图案区，所述第一图案区与所述第二图案区相邻；在所述基底的上表面，两个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内具有相互分立的至少两个第一接触层和至少一个第二接触层；形成初始电连接层，所述初始电连接层与所述第一接触层和所述第二接触层电连接；形成下层掩膜层，所述下层掩膜层包括相互分立的至少一个第一图案区和至少一个第二图案区，所述第一图案区与所述第二图案区相邻；在所述基底的上表面，两个所述第一接触层的正投影落入一个所述第一图案区的正投影内，一个所述第二接触层的正投影落入一个所述第二图案区的正投影内；图案化所述第一图案区，以形成两个相互分立的第一子图案区，其中，一个所述第一子图案区位于所述第二图案区与另一所述第一子图案区之间；在所述基底的上表面，一个所述第一接触层的正投影落入一个所述第一子图案区的正投影内；刻蚀所述初始电连接层以形成相互分立的第一电连接层和第二电连接层，所述第一电连接层与所述第一子图案区一一对应，所述第二电连接层与所述第二图案区一一对应。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述下层掩膜层的步骤包括：在所述初始电连接层上形成初始下层掩膜层；在所述初始下层掩膜层上形成若干相互分立的上层掩膜层，所述上层掩膜层包括初始第一图案区；在所述上层掩膜层的侧壁形成侧墙层；在相邻所述上层掩膜层之间形成牺牲层，所述牺牲层还与所述侧墙层相接触，所述牺牲层包括初始第二图案区；去除所述侧墙层；以所述上层掩膜层和所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述初始下层掩膜层，以形成所述下层掩膜层，其中，所述第一图案区对应于所述初始第一图案区，所述第二图案区对应于所述初始第二图案区。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述侧墙层和所述牺牲层的步骤包括：在所述上层掩膜层的表面以及相邻所述上层掩膜层之间的所述初始下层掩膜层的上表面形成初始侧墙层；形成覆盖所述初始侧墙层的初始牺牲层；去除高于所述上层掩膜层的所述初始牺牲层和所述初始侧墙层，剩余的所述初始牺牲层作为所述牺牲层，剩余的所述初始侧墙层作为所述侧墙层；去除所述侧墙层，具体包括：去除位于所述上层掩膜层侧壁的所述侧墙层，保留位于所述初始下层掩膜层的上表面的所述侧墙层；位于所述初始下层掩膜层的上表面的所述侧墙层与所述牺牲层构成叠层结构；以所述上层掩膜层和所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述初始下层掩膜层，具体包括：以所述上层掩膜层和所述叠层结构为掩膜，刻蚀所述初始下层掩膜层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始侧墙层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕游，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：