包括通路结构的半导体器件制造技术

根据一些示例实施例的半导体器件包括：衬底；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述衬底；晶体管，所述晶体管位于所述衬底和所述绝缘结构之间；通路绝缘层，所述通路绝缘层延伸穿过所述绝缘结构和所述衬底；多个通路结构，所述多个通路结构延伸穿过所述通路绝缘层；多个导电结构，所述多个导电结构分别连接到所述多个通路结构；以及多个凸块，所述多个凸块分别连接到所述导电结构。所述导电结构。所述导电结构。

【技术实现步骤摘要】
包括通路结构的半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年7月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0087703的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。


[0003]一些示例实施例涉及半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。具体地，一些示例实施例涉及包括通路结构的半导体器件和/或用于制造该半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]半导体器件根据其诸如小型化、多功能化、制造成本低等中的一种或更多种之类的特性在电子行业中作为重要元件备受关注。半导体器件可以分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、用于对逻辑数据进行算术处理的半导体逻辑器件、包括存储元件和逻辑元件的混合半导体器件等。随着电子行业的进步，对半导体器件的特性的需求/期望正在逐渐增加。例如，对半导体器件的高可靠性、高速、多功能性等中的一种或更多种的需求或期望正在逐渐增加。为了满足这些要求的特性，半导体器件中的结构变得越来越复杂。另外，半导体器件的集成度变得越来越高。
专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述衬底；晶体管，所述晶体管位于所述衬底和所述绝缘结构之间；通路绝缘层，所述通路绝缘层延伸穿过所述绝缘结构和所述衬底；多个通路结构，所述多个通路结构延伸穿过所述通路绝缘层；多个导电结构，所述多个导电结构分别连接到所述多个通路结构；以及多个凸块，所述多个凸块分别连接到所述导电结构。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通路绝缘层接触所述多个通路结构的外侧壁。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通路绝缘层围绕所述多个通路结构。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通路绝缘层的顶表面与所述衬底的顶表面共面。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通路绝缘层的底表面与所述绝缘结构的底表面共面。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个通路结构均包括导电层和围绕所述导电层的阻挡层。7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述衬底，其中，所述多个通路结构的顶表面与所述第一绝缘层的顶表面共面。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述绝缘结构包括覆盖所述晶体管的第二绝缘层和覆盖所述第二绝缘层的掩模层，并且所述多个通路结构的底表面与所述掩模层的底表面共面。9.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底；绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述衬底的第一表面；多个晶体管，所述多个晶体管位于所述衬底的所述第一表面上；通路绝缘层，所述通路绝缘层延伸穿过所述衬底和所述绝缘结构；以及多个第一通路结构，所述多个第一通路结构被所述通路绝缘层围绕。10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述通路绝缘层的底表面和所述多个第一通路结构的底表面是共面的。11.根据权利要求9所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：多个第一外绝缘层，所述多个第一外绝缘层分别围绕...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑌真，李钟旼，李全一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：