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本发明涉及一种接触插塞结构、半导体结构及其制备方法，包括；提供衬底；于衬底的上表面形成介质层；形成接触孔，接触孔贯穿介质层，并延伸至衬底内；接触孔位于介质层内的部分记为第一部分，接触孔延伸至衬底内的部分记为第二部分；于接触孔的侧壁形成保护层...
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