半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构及其制造方法，制造方法包括：提供衬底；对衬底进行刻蚀，以形成盲孔，盲孔的侧壁具有第一粗糙度；对盲孔的侧壁进行至少一道平坦化步骤，直至盲孔的侧壁具有小于第一粗糙度的预设粗糙度；平坦化步骤包括：在盲孔的侧壁形成第一牺牲层，第一牺牲层的材料与的衬底材料相同；提供反应源气体，以使反应源气体与第一牺牲层以及盲孔侧壁的部分衬底发生反应，形成第二牺牲层，第二牺牲层靠近盲孔中心部分的厚度大于第二牺牲层远离盲孔中心部分的厚度；去除第二牺牲层，去除第二牺牲层后的盲孔侧壁具有小于第一粗糙度的第二粗糙度。本发明专利技术实施例能够在降低对衬底的消耗的同时，改善盲孔侧壁的粗糙度。改善盲孔侧壁的粗糙度。改善盲孔侧壁的粗糙度。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着3D IC(微型电子，Integrated Circuit)技术的蓬勃发展，市场采用越来越复杂的互连技术连接硅片和晶圆。这些晶圆包含线宽越来越窄的芯片，为了按比例缩小半导体IC，需要在晶圆上生成更精细的线条，这些尺寸缩小了的IC设计促进了人们对高密度、高成本效益的制造与封装技术的需求。TSV(硅通孔，Through Silicon Via)技术应运而生，它可以将半导体裸片和晶圆以较高的密度互连在一起，改善芯片的运行速率。
[0003]在TSV技术中，往往采用工艺较为成熟的Bosch刻蚀形成硅通孔。然而，这种刻蚀方法会导致通孔边缘的“扇贝”效应，出现侧壁粗糙的现象。粗糙的TSV孔壁容易导致界面开裂问题，从而造成TSV结构严重漏电。因此，如何改善TSV侧壁粗糙度是目前需要解决的重要问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构及其制造方法，有利于降低TSV侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底内形成盲孔，所述盲孔的侧壁具有第一粗糙度；对所述盲孔的侧壁进行至少一道平坦化步骤，直至所述盲孔的侧壁具有小于所述第一粗糙度的预设粗糙度；每一道所述平坦化步骤包括：在所述盲孔的侧壁形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的材料与所述的衬底材料相同；提供反应源气体，以使所述反应源气体与所述第一牺牲层以及所述盲孔侧壁的部分所述衬底发生反应，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层靠近所述盲孔中心部分的厚度大于所述第二牺牲层远离所述盲孔中心部分的厚度；去除所述第二牺牲层，且去除所述第二牺牲层后的所述盲孔侧壁具有第二粗糙度，所述第二粗糙度小于所述第一粗糙度。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用选择性外延工艺形成所述第一牺牲层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述选择性外延工艺的工艺参数包括：提供硅源气体，且硅源气体流量为80
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200sccm，工艺温度为700
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900℃。4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述反应源气体包括氧气，所述第二牺牲层的材料包括氧化硅。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述第二牺牲层的工艺参数包括：氧气流量为100
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500scc...

【专利技术属性】
技术研发人员：王路广，王晓玲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：