【技术实现步骤摘要】
晶圆冷却器、晶圆冷却方法及晶圆冷却装置
[0001]本申请涉及半导体加工设备,特别是涉及晶圆冷却器、晶圆冷却方法及晶圆冷却装置。
技术介绍
[0002]晶圆在进行干法刻蚀后,其表面温度较高且会有腐蚀性气体残留在晶圆上,腐蚀性气体不清除会引起晶圆生产缺陷。为了给晶圆降温和清除腐蚀性气体,可以将蚀刻完成后的晶圆放入晶圆冷却器(cooling station,一个晶圆冷却器中可以放置多片晶圆)中,利用大气模块(atmosphere module)中的风机向下送气,以将腐蚀性气体清除。风机提供的向下大气流向与晶圆冷却器中水平的气体流向垂直相遇后会产生扰流,或受外界其他方向的气流扰动,而导致在大气模块内部的气流发生紊乱,进而导致大气模块角落内的微尘(particle)被扬起。扬起的微尘被吸入到晶圆冷却器后容易造成晶圆缺陷。因此,在冷却晶圆及清除晶圆上腐蚀性气体时,现有晶圆冷却器存在微尘容易进入造成晶圆缺陷(defect)的问题。
技术实现思路
[0003]针对现有晶圆冷却器存在微尘容易进入造成晶圆缺陷的问题,本申请提供 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆冷却器(1),其用于冷却晶圆(2),其特征在于,包括:腔体(10),其用于存放所述晶圆(2);抽气装置(17),其和所述腔体(10)连通,其中,所述腔体(10)包括封闭状态,所述抽气装置(17)用于将处于封闭状态的所述腔体(10)抽成真空腔;以及冷却媒介输入装置(18),其和所述腔体(10)连通,所述冷却媒介输入装置(18)用于输入冷却媒介到所述真空腔中以冷却所述晶圆(2)。2.根据权利要求1所述的晶圆冷却器(1),其特征在于,所述腔体(10)包括:腔体结构(11),其包括开口(110),所述腔体结构(11)和所述抽气装置(17)连通,所述晶圆(2)可经由所述开口(110)设置于所述腔体结构(11)内;以及密封结构(12),其和所述冷却媒介输入装置(18)连通,所述密封结构(12)和所述腔体结构(11)连通,所述密封结构(12)可密封盖合所述开口(110)以形成所述真空腔,所述冷却媒介可经由所述密封结构(12)进入所述真空腔。3.根据权利要求2所述的晶圆冷却器(1),其特征在于,所述腔体结构(11)包括支持部(111),所述支持部(111)承载所述晶圆(2)。4.根据权利要求3所述的晶圆冷却器(1),其特征在于,所述晶圆(2)的圆柱面朝向所述开口(110)。5.根据权利要求4所述的晶圆冷却器(1),其特征在于,所述密封结构(12)包括外壁(120)、中空夹层(122)和内壁(121),所述中空夹层(122)和所述冷却媒介输入装置(18)连通,所述中空夹层(122)和所述腔体(10)连通,所述中空夹层(122)设置于所述外壁(120)和所述内壁(121)之间,所述冷却媒介可经由所述中空夹层(122)进入所述真空腔。6.根据权利要求5所...
【专利技术属性】
技术研发人员:鄢林升,
申请(专利权)人:杭州富芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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