一种扩晶设备制造技术

技术编号:36259010 阅读:48 留言:0更新日期:2023-01-07 09:55
本发明专利技术提出了一种扩晶设备,涉及扩晶设备技术领域,包括张紧装置和扩晶台;张紧装置包括呈环状的支撑架和环绕支撑架内侧周向分布的张紧机构,张紧机构用于配合张拉膜材的周向;扩晶台包括与支撑架内部相对且沿垂直于支撑架所在平面方向运动的顶升筒,顶升筒用于抵触张拉膜材,环绕顶升筒的周向分布有可伸缩出顶升筒外侧壁的伸出补偿块。将膜材置于支撑架的中心部分,并通过周向的张紧机构将膜材张拉展平,顶升筒运动与膜材抵接并对膜材进行扩晶操作,此时,伸出补偿块会伸出顶升筒的周向侧壁与膜材抵接。通过伸出补偿块的伸出量补偿边缘形变,达到了提高扩晶精度目的,该设备还能够少龙门的补偿量和运动磨损,提升设备的综合稳定性和综合效率。稳定性和综合效率。稳定性和综合效率。

【技术实现步骤摘要】
一种扩晶设备


[0001]本专利技术涉及扩晶设备
,更具体地,涉及一种扩晶设备。

技术介绍

[0002]半导体器件是利用半导体材料诸如硅、锗、砷化镓等的电子部件。半导体器件通常被制造为单个分立器件或集成电路(IC)。单个分立器件的示例包括发光二极管(LED)、二极管、晶体管、电阻器、电容器、保险丝等。半导体器件的制造通常涉及具有大量步骤的复杂制造过程。制造的最终产品是“封装”半导体器件。分立元件通过工艺使元件引脚或外壳和产品基板结合形成最终电路。扩晶工艺是指通过膜材粘附工艺将LED、IC集中排列后,使用设备将LED、IC的间距拉伸成想要的间距,再由固晶机转移到电路上。
[0003]目前业内设备在制作产品时,由于扩晶机未进行补偿扩晶,扩晶后Pitch会存偏移。目前业内固晶设备通过高速循环往复运动的同时,龙门移动补偿LED、IC间距误差,补偿距离越大,综合频率越低,致使固晶机构受到速度制约,节拍时间无法满足生产需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术在于提供一种扩晶设备,能够在扩晶过程中进行补偿,降低偏移,为固晶工艺提供高精度的wafer,使得固晶工艺设备龙门移动补偿距离短,或不触发补偿,减少补偿时间,提升综合效率,改善了上述
技术介绍
中的问题,也为Mini&Micro LED的巨量转移提供技术支撑。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的:
[0006]本专利技术的一些实施例中提供一种扩晶设备,包括张紧装置和扩晶台;
[0007]张紧装置包括呈环状的支撑架和环绕支撑架内侧周向分布的张紧机构,张紧机构用于配合张拉膜材的周向;
[0008]扩晶台包括与支撑架内部相对且沿垂直于支撑架所在平面方向运动的顶升筒,顶升筒用于抵触张拉膜材,环绕顶升筒的周向分布有可伸缩出顶升筒外侧壁的伸出补偿块。
[0009]在本专利技术的一些实施例中,张紧机构包括安装在支撑架上的微分头和延伸至支撑架内部的夹紧机构,夹紧机构与微分头的测头端连接。
[0010]在本专利技术的一些实施例中,夹紧机构包括两个并列设置且边沿相互铰接的夹紧片,其中一个夹紧片内部设置有电磁铁,另个夹紧片采用磁吸材料制成,夹紧片与微分头的侧头端连接。
[0011]在本专利技术的一些实施例中,微分头的测头端与夹紧机构之间连接有硬质弹簧。
[0012]在本专利技术的一些实施例中,张紧机构的数量为八个,八个张紧机构环绕支撑架均匀分布。
[0013]在本专利技术的一些实施例中,扩晶台还包括用于驱动顶升筒运动的第一驱动机构;
[0014]第一驱动机构包括设置在顶升筒底部的第一驱动电机和第一滑轨,第一驱动电机的顶部设置有丝杠,第一滑轨与丝杠平行设置;顶升筒的底壁中心处开设有旋合于丝杠上
的螺纹筒和滑动套设第一滑轨设置的滑孔。
[0015]在本专利技术的一些实施例中,顶升筒的内部设置有用于驱动伸出补偿块伸缩的第二驱动机构;
[0016]第二驱动机构包括椎体、第二驱动电机和第二滑轨,第二驱动电机和第二滑轨均设置在顶升筒的顶部内侧壁,第二驱动电机的底端竖直设置有螺纹杆,第二滑轨与螺纹杆平行设置;椎体的顶端旋合连接在螺纹杆上,第二滑轨的底端滑动穿设于椎体的顶端,伸出补偿块位于顶升筒内部的端部与椎体的侧壁抵接。
[0017]在本专利技术的一些实施例中,伸出补偿块与椎体抵接的端部设置有滚轮。
[0018]在本专利技术的一些实施例中,顶升筒呈圆柱或圆台状。
[0019]在本专利技术的一些实施例中,还配套有光学自动检查机,光学自动检查机的检测端与顶升筒的顶部相对设置。
[0020]相对于现有技术,本专利技术的实施例至少具有如下优点或有益效果:
[0021]本专利技术提供一种扩晶设备,包括张紧装置和扩晶台;张紧装置包括呈环状的支撑架和环绕支撑架内侧周向分布的张紧机构,张紧机构用于配合张拉膜材的周向;扩晶台包括与支撑架内部相对且沿垂直于支撑架所在平面方向运动的顶升筒,顶升筒用于抵触张拉膜材,环绕顶升筒的周向分布有可伸缩出顶升筒外侧壁的伸出补偿块。
[0022]在使用时,将膜材置于支撑架的中心部分,并通过周向的张紧机构将膜材张拉展平,顶升筒运动与膜材抵接并对膜材进行扩晶操作,此时,伸出补偿块会伸出顶升筒的周向侧壁与膜材抵接。通过伸出补偿块的伸出量补偿边缘形变,达到了提高扩晶精度目的,为固晶工艺提供高精度的wafer,使得固晶工艺设备龙门移动补偿距离短,或不触发补偿,减少补偿时间,提升综合效率。同时,该设置能够减少龙门的运动磨损,提升设备的综合稳定性。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0024]图1为本专利技术实施例扩晶设备整体结构示意图;
[0025]图2为本专利技术实施例扩晶台与膜材张拉结构示意图;
[0026]图3为图1中A处局部放大图;
[0027]图4为本专利技术实施例第一种扩晶台内部结构示意图;
[0028]图5为本专利技术实施例第二种扩晶台内部结构示意图;
[0029]图6为本专利技术实施例扩晶台与膜材张拉结构俯视图;
[0030]图7为本专利技术实施例扩晶设备与光学自动检查机配套示意图。
[0031]图标:100

膜材;200

LED阵列;300

张紧装置;400

扩晶台;1

支撑架;2

张紧机构;3

顶升筒;4

伸出补偿块;5

微分头;6

夹紧机构;7

微分筒;8

测头端;9

夹紧片;10

硬质弹簧;11

第一驱动电机;12

第一滑轨;13

丝杠;14

平台;15

螺纹筒;16

滑孔;17

椎体;18

第二驱动电机;19

第二滑轨;20

螺纹杆;21

滚轮;22

复位弹性件;23

光学自动检查机;24

补偿基线。
具体实施方式
[0032]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[003本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扩晶设备,其特征在于,包括张紧装置和扩晶台;所述张紧装置包括呈环状的支撑架和环绕所述支撑架内侧周向分布的张紧机构,所述张紧机构用于配合张拉膜材的周向;所述扩晶台包括与所述支撑架内部相对且沿垂直于所述支撑架所在平面方向运动的顶升筒,所述顶升筒用于抵触张拉膜材,环绕所述顶升筒的周向分布有可伸缩出所述顶升筒外侧壁的伸出补偿块。2.根据权利要求1所述的扩晶设备,其特征在于,所述张紧机构包括安装在所述支撑架上的微分头和延伸至所述支撑架内部的夹紧机构,所述夹紧机构与所述微分头的测头端连接。3.根据权利要求2所述的扩晶设备,其特征在于,所述夹紧机构包括两个并列设置且边沿相互铰接的夹紧片,其中一个所述夹紧片内部设置有电磁铁,另个所述夹紧片采用磁吸材料制成,所述夹紧片与所述微分头的侧头端连接。4.根据权利要求2所述的扩晶设备,其特征在于,所述微分头的测头端与所述夹紧机构之间连接有硬质弹簧。5.根据权利要求1所述的扩晶设备,其特征在于,所述张紧机构的数量为八个,八个所述张紧机构环绕所述支撑架均匀分布。6.根据权利要求1所述的扩晶设备,其特征在于,所述扩晶台还包括用于驱动所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁睿
申请(专利权)人:成都鸿睿光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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