一种图形化蓝宝石复合衬底的制作方法技术

本发明专利技术公开一种图形化蓝宝石复合衬底的制作方法，包括以下步骤：S1，在蓝宝石衬底上均匀涂覆一层具有SiO2成份的压印胶；S2，对带有SiO2压印胶的蓝宝石衬底进行压印；S3，压印脱模后，进行高温烘烤；S4，进行反应式离子蚀刻(RIE)，将压印成型后SiO2表面进行薄层蚀刻，直至SiO2圆锥与圆锥之间露出蓝宝石基面；S5，清洗、形成图形化蓝宝石复合衬底。本发明专利技术解决了如何使SiO2体积最大化及确保圆锥与圆锥间蓝宝石基面外露的问题，达到外量子效应最大化，并满足氮化镓外延的成核要求。并满足氮化镓外延的成核要求。并满足氮化镓外延的成核要求。

【技术实现步骤摘要】
一种图形化蓝宝石复合衬底的制作方法


[0001]本专利技术涉及LED生产
，具体涉及一种图形化蓝宝石复合衬底的制作方法。

技术介绍

[0002]在氮化镓基LED外延生长时，Al2O3单晶(蓝宝石)衬底作为氮化镓原子沉积、成核的必要条件，然而晶格不适配使氮化镓外延层时产生高密度的位错缺陷，进而影响LED二极管的内量子发光效应。因此，借由图形化蓝宝石的引入，保留圆锥与圆锥之间的蓝宝石基面作为外延生长、成核点，再利用外延2D延伸时，于圆锥上的氮化镓外延层的位错会因为转折而消失，得以有效降低位错密度，提高内量子发光效应。此外，氮化镓外延发光层的光借由圆锥结构，提高光的全反射机会，进而提高外量子发光效应，提高发光亮度。因此，图形化蓝宝石已是行业内多年采用的技术。
[0003]近年来，基于外量子发光效应的原则，发展出图形化蓝宝石复合衬底。与传统图形化蓝宝石衬底不同在于圆锥已非单一蓝宝石材质，而是由SiO2层与蓝宝石衬底1所组成(见图1)，借由SiO2圆锥2的低折射率与微米级的圆锥体积增加全反射来提高亮度。该方法不外乎是在镀制有SiO2层的蓝宝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图形化蓝宝石复合衬底的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在蓝宝石衬底上均匀涂覆一层具有SiO2成份的压印胶；S2，对带有SiO2压印胶的蓝宝石衬底进行压印；S3，压印脱模后，进行高温烘烤；S4，进行反应式离子蚀刻(RIE)，将压印成型后SiO2表面及圆锥与圆锥间基面进行蚀刻，直至圆锥与圆锥之间的蓝宝石基面露出；S5，清洗、形成图形化蓝宝石复合衬底。2.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石复合衬底的制作方法，其特征在于，所述S1中，所述具有SiO2成份的压印胶，为SiO2颗粒加入压印胶中，其尺寸为纳米等级尺寸，从1～100纳米。3.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石复合衬底的制作方法，其特征在于，在S1中，所述具有SiO2成份的压印胶，为含有水及羟的硅溶胶与压印胶混合而成。4.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石复合衬底的制作方法，其特征在于，在S1中，在涂覆压印胶前，蓝宝石衬底上先涂覆六甲基二硅胺烷，或，采用旋涂方式、物理气相沉积或化学气相沉积一层用于提高SiO2附著力的附著层。5.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石复合衬底的制作方法，其特征在于，所述高温烘烤，为真空、氧化气氛或还原气氛烘烤方式，烘烤温度60...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐明金，史晓华，袁国华，李其凡，
申请(专利权)人：南昌光澜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：