【技术实现步骤摘要】
一种硅衬底上生长半极性(11
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22)面氮化镓的方法
[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体涉及一种在图形化硅衬底上，采用改进高温
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低温生长法制备高质量半极性(11
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22)面氮化镓外延层的方法。
技术介绍
[0002]随着照明技术的迅速发展，发光二极管(LED)已经逐步取代了白炽灯，成为我们生活中常用的照明手段。同白炽灯相比，LED具有更高的发光效率并且更加绿色环保。LED的发展离不开以GaN为首的III族氮化物的迅速发展。GaN的晶体质量在很大程度上制约着GaN基LED发光效率的提高。目前，(0001)面GaN材料生长及发光器件的制备工艺日趋成熟，但是仍然存在着两个亟待解决的问题：一个是存在极化效应，另一个是缺乏合适的衬底。
[0003]现有技术中，氮化镓(11
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22)面一般都生长在蓝宝石衬底上，但是蓝宝石衬底和GaN的晶格失配与热失配较大，并且还存在导电性差和导热率低等问题。因此在蓝宝石衬底上外延生长出来的GaN位错密度较高，同时由...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅衬底上生长半极性(11
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22)面氮化镓的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)准备好硅图形化衬底，所述硅图形化衬底上设有沟槽和掩膜层SiO2；2)采用MOCVD的方法在硅的(1
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11)面生长AlN层；3)采用MOCVD的方法，在所述AlN层上高温生长第一层GaN，使第一层GaN刚好填补所述硅图形化衬底的沟槽；4)在所述第一层GaN上继续低温生长第二层GaN，并使第一层GaN和第二层GaN愈合，最终得到具有光滑表面的半极性(11
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22)面的氮化镓外延层的样品。2.根据权利要求1所述的硅衬底上生长半极性(11
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22)面氮化镓的方法，其特征在于，所述掩膜层SiO2位于硅的(113)面，所述沟槽为沿硅的[21
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1]开设的平行沟槽，且沟槽的长斜边为硅的(1
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11)面。3.根据权利要求2所述的硅衬底上生长半极性(11
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22)面氮化镓的方法，其特征在于，所述步骤2)中生长AlN层的生长温度为1100
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1200℃，生长时间为8
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12min，所述AlN层的
Ⅴ
/Ⅲ比为600
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800。4.根据权利要求3所述的硅衬底上生长半极性(11
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22)面氮化镓的方法，其特征在于，所述步骤3)中高温生长第...
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