一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件制造技术

技术编号:36195505 阅读:15 留言:0更新日期:2023-01-04 11:47
本发明专利技术涉及一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件,属于半导体技术领域,本发明专利技术提供化合物的结构如通式(I)所示:本发明专利技术有机化合物同时具有较短的延迟发光寿命和较高的荧光量子产率,作为OLED发光器件的发光层材料使用时,可产生TADF效果,能够有效的提高器件的发光效率,延长器件的寿命。延长器件的寿命。延长器件的寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件


[0001]本专利技术属于有机光电材料领域,涉及一种有机化合物及包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技术既可以用来制造新型显示产品,也可以用于制作新型照明产品,有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明,应用前景十分广泛。OLED发光器件犹如三明治的结构,包括电极材料膜层,以及夹在不同电极材料膜层之间的有机功能材料,各种不同有机功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成OLED发光器件。作为电流器件,当对OLED发光器件的两端电极施加电压,并通过电场作用有机层功能材料膜层中的正负电荷,正负电荷进一步在发光层中复合,即产生OLED电致发光。
[0003]OLED的发光层材料的开发及使用前后共经历了三个主要阶段,第一阶段以荧光发光机制为主,第二阶段以磷光发光机制为主,第三阶段运用TADF材料作为发光层材料,有效的利用三线态激子从而提升器件的发光效率。TADF材料发展至今,在发光层中有丰富的应用,且其结构可控,性质稳定,价格便宜无需贵重金属,在OLEDs领域的应用前景广阔。
[0004]理论上,TADF材料可以通过三线态到单线态的反系间窜跃,实现100%的激子利用率,但在实际应用充当主体或者掺杂的过程中,器件效果不佳,其主要仍然存在如下问题:由于TADF材料设计要求较小的S1

T1带隙,快速的反系间窜跃速率(较短的延迟发光寿命)与高荧光量子产率难以兼得。r/>
技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题,本专利技术申请人提供了一种有机化合物,本专利技术有机化合物同时具有较短的延迟发光寿命和较高的荧光量子产率,能有效提升器件效率和寿命。
[0006]本专利技术提供具体技术方案如下:一种有机化合物,所述有机化合物结构如通式(1)所示:
[0007][0008]通式(1)中,m可以表示为0,1,2或3;Z1每次出现时表示为N或C

R1;Z2每次出现时表示为N或C

R2;Z3每次出现时表示为N或C

R3,Z3每次出现时表示N的个数为0或1;
[0009]Ar1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)所示结构;
[0010][0011]通式(2)和通式(5)中,Z4每次出现时表示为N或C

R4;Z4每次出现时N的个数为1或2;Z5每次出现时表示为N或C

R5;
[0012]通式(3)和通式(4)中,X1、X2和X3分别独立的表示为N或C

R6;且X1‑
X3中有且仅有一个表示为N;
[0013]R1‑
R6每次出现相同或不同的表示为H、氘原子、卤素原子、氰基、C1‑
C
10
的烷基、取代的氨基、取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或者未取代的C3‑
C
30
的杂芳基;R1‑
R6的连接方式为取代或形成并环;连接处的Z1‑
Z5表示为C;连接处的X1‑
X3表示为C;
[0014]所述取代基团任选自卤素原子、氰基、C1‑
C
10
的烷基、C6‑
C
30
的芳基、C3‑
C
30
的杂芳基。
[0015]本专利技术还提供一种有机电致发光器件,包括第一电极与第二电极,以及它们之间的一层有机发光功能层,所述有机发光功能层含有所述的有机化合物;
[0016]本专利技术还提供一种照明或显示元件,所述照明或显示元件包括所述的有机电致发光器件。
[0017]与现有技术相比,本专利技术有益的技术效果在于:
[0018](1)本专利技术具有高效的TADF特性,使得本专利技术材料作为主体材料时能充分的利用三线态能量提升器件的发光效率。
[0019](2)本专利技术具有较短的延迟寿命,三线态激子存在时间短,有效减小主体材料的三线态激子猝灭,延长器件的寿命。
[0020](3)本专利技术具有较高的PLQY,本专利技术材料作为敏化剂时,可以有效提升器件的效率。
[0021](4)本专利技术提供的有机化合物,应用于发光层第二主体材料有助于改善效率滚降问题,显著提高器件效率和器件寿命。
附图说明
[0022]图1为本专利技术所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图;
[0023]其中,1为透明基板层,2为阳极层,3为空穴注入层,4为空穴传输层,5为电子阻挡层,6为发光层,7为空穴阻挡,8为电子传输层,9为电子注入层,10为阴极层。
具体实施方式
[0024]下面将结合实施例和附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,在不冲突的情况下,本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明,但不作为本专利技术的限定。
[0025]在本专利技术中,除非另有说明,HOMO意指分子的最高占据轨道,LUMO意指分子的最低空轨道。此外,在本专利技术中,HOMO和LUMO能级用绝对值表示,并且能级之间的比较也是比较其绝对值的大小,本领域技术人员知晓能级的绝对值越大,则该能级的能量越低。
[0026]在附图中,为了清楚起见,层和区域的尺寸可被夸大。还将理解,当层或元件称为在另一层或者基板“之上”时,该层或元件可直接位于该另一层或者基板之上,或者也可存在中间层。此外,还将理解,当层称为在两个层“之间”时,该层可以是这两个层之间的唯一的层,或者也可存在一个或者多个中间层。全文中相同的附图标记表示相同的元件。
[0027]在本说明书中,取代或未取代的C6‑
C
30
芳基和/或取代或未取代的C3‑
C
30
杂芳基是指取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的稠四苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的对联三苯基、取代或未取代的间联三苯基、取代或未取代的基、取代或未取代的联亚三苯基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的三唑基、取代或未取代的恶唑基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的恶二唑基、取代或未取代的噻二唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喏啉基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的苯并恶嗪基、取代或未取代的苯并噻嗪基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的啡嗪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机化合物,其特征在于,所述有机化合物结构如通式(1)所示:通式(1)中,m可以表示为0,1,2或3;Z1每次出现时表示为N或C

R1;Z2每次出现时表示为N或C

R2;Z3每次出现时表示为N或C

R3,Z3每次出现时表示N的个数为0或1;Ar1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)所示结构;通式(2)和通式(5)中,Z4每次出现时表示为N或C

R4;Z4每次出现时N的个数为1或2;Z5每次出现时表示为N或C

R5;通式(3)和通式(4)中,X1、X2和X3分别独立的表示为N或C

R6;且X1‑
X3中有且仅有一个表示为N;R1‑
R6每次出现相同或不同的表示为H、氘原子、卤素原子、氰基、C1‑
C
10
的烷基、取代的氨基、取代或者未取代的C6‑
C
30
的芳基、取代或者未取代的C3‑
C
30
的杂芳基;R1‑
R6的连接方式为取代或形成并环;连接处的Z1‑
Z5表示为C;连接处的X1‑
X3表示为C;所述取代基团任选自卤素原子、氰基、C1‑
C
10
的烷基、C6‑
C
30
的芳基、C3‑
C
30
的杂芳基。2.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述化合物结构通过通式(1

1)至通式(1

6)表示:
通式(1

1)

通式(1

6)中,Z1每次出现时表示为N或C

R1;Z2每次出现时表示为N或C

R2;Z3每次出现时表示为N或C

R3,Z3每次出现时表示N的个数为0或1;Ar1表示为通式(2)、通式(3)、通式(4)或通式(5)所示结构;通式(2)和通式(5)中,Z4表示为N或C

R4;Z4表示为N的个数为1或2;Z5表示为N或C

R5;通式(3)和通式(4)中,X1、X2和X3分别独立的表示为N或C

R6;且X1‑
X3中有且仅有一个表示为N;R1‑
R6每次出现相同或不同的表示为H、氘原子、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二苯并呋喃基、咔唑基;R1‑
R6的连接方式为取代或形成并环;连接处的Z1‑
Z5表示为C;连接处的X1‑
X3表示为C。3.根据权利要求1所述的有机化合物,其特征在于,所述化合物结构通过通式(2

1)至通式(2

10)表示:
通式(2

...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡啸侯美慧崔明
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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