一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物及有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物及有机电致发光器件，属于半导体技术领域，本发明专利技术提供化合物的结构如通式(I)所示：本发明专利技术提供的化合物应用于有机电致发光器件，能够显著降低器件的启亮电压和驱动电压，且可显著降低器件的效率滚降。件的效率滚降。件的效率滚降。

【技术实现步骤摘要】
一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物及有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物及包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件的阳极和发光层之间可以存在空穴传输区域，并且在发光层和阴极之间可以存在电子传输区域。来自阳极的空穴可以通过空穴传输区域向发光层迁移，来自阴极的电子可以通过电子传输区域向发光层迁移，空穴和电子在发光层中复合并产生激子。根据量子力学原理，有机金属化合物材料作为掺杂材料可以实现100％的内量子产率。
[0003]尽管如此，对于三线态发光的磷光OLED，在器件电压、电流效率以及寿命方面仍然有改进的需求。发光层中主体材料的性能通常会较大程度地影响有机电致发光器件的上述关键性能。根据现有技术，被用作主体材料的化合物通常包含三嗪基团。而现有的三嗪类衍生物作为主体材料使用时，在器件电压、电流效率、器件寿命，尤其是在启亮电压和驱动电压上均有改善的需求。
[0004]对于磷光OLED，发光层通常存在空穴和电子不平衡，高电流密度下器件效率滚降严重的问题。本专利技术还提供两种主体材料的组合，可有效解决上述不足。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供了一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物，通过苯基取代的亚苯基将氮杂二苯并呋喃和三嗪基团桥连，本专利技术提供的化合物应用于有机电致发光器件，能够显著降低器件的启亮电压和驱动电压，且可显著降低器件的效率滚降。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案是：一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物，所述化合物结构如通式(I)所示：
[0007][0008]Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；
[0009]R1表示为氢、氘、苯基、氰基；
[0010]Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。
[0011]本专利技术还提供一种有机电致发光器件，包含第一电极、第二电极和功能层，所述功能层位于第一电极和第二电极之间，所述有机电致发光器件中的至少一层功能层含有所述的氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物。
[0012]与现有技术相比，本专利技术有益的技术效果在于：
[0013]1)本专利技术提供的化合物是用氮杂二苯并呋喃对三嗪基团进行修饰所得，且通过苯基取代的亚苯基将氮杂二苯并呋喃和三嗪基团桥连，具有合适的HOMO和LUMO能级，能保证发光层中载流子的高效注入和复合，器件效率高。
[0014]2)本专利技术提供的化合物具有较高的T1能级，能保证主客体之间的能量传递效率。
[0015]3)本专利技术提供的化合物中差异化支链的引入增加了分子的不对称性，材料Tg高，分子的结晶性低，有助于提升器件的高温稳定性，避免化合物容易发生结晶化而堵塞用于蒸镀的坩埚口。
[0016]4)Cross
‑
talk风险(由于蓝、绿光像素启亮电压比红光高，在点亮蓝、绿光像素的同时，会有点亮临近红光像素点的风险)一直困扰着OLED显示器生产商。本专利技术提供的化合物和对比化合物相比能显著降低器件启亮电压，可避免Cross
‑
talk风险。
[0017]5)本专利技术提供的化合物和现有技术中化合物相比，高电流密度下的效率滚降程度低。
附图说明
[0018]图1为本专利技术所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；
[0019]其中，1为透明基板层，2为阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为电子传输层，8为电子注入层，9为阴极层，10为CPL层。
具体实施方式
[0020]以下结合附图和实施例对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。
[0021]在本专利技术中，除非另有说明，HOMO意指分子的最高占据轨道，LUMO意指分子的最低空轨道。此外，本说明书中所涉及的“HOMO能级的差值”和“LUMO能级的差值”意指每个能量值的绝对值的差值。
[0022]在附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸可被夸大。还将理解，当层或元件称为在另一层或者基板“之上”时，该层或元件可直接位于该另一层或者基板之上，或者也可存在中间层。此外，还将理解，当层称为在两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一的层，或者也可存在一个或者多个中间层。
[0023]在本专利技术中，在描述电极和有机电致发光器件，以及其他结构体时，所采用的“上”、“下”、“顶”和“底”等表示方位的词，仅表示在某种特定状态的方位，并不意味相关的结构仅只能按所述方位存在；相反，如果结构体可以变换位置，例如倒置，则结构体的方位作相应改变。具体而言，在本专利技术中，电极的“底”、“下”侧是指电极在制备过程中靠近基板的一侧，而远离基板的相对一侧为“顶”、“上”侧。
[0024]通式(I)所示化合物
[0025]一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物，所述化合物结构如通式(I)所示：
[0026][0027]Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；
[0028]R1表示为氢、氘、苯基、氰基；
[0029]Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。
[0030]优选方案，所述化合物结构通过通式(II
‑
1)至(II
‑
3)表示：
[0031][0032]通式(II
‑
1)至(II
‑
3)中，
[0033]Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；
[0034]R1表示为氢、氘、苯基、氰基；
[0035]Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。
[0036]优选方案，所述化合物结构通过通式(III
‑
1)至(III
‑
6)表示：
[0037][0038]通式(III
‑
1)至(III
‑
6)中，
[0039]Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；
[0040]R1表示为氢、氘、苯基、氰基；
[0041]Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。
[0042]优选方案，通式(I)中至多有两个Z1表示为氮原子；
[0043]优选方案，所述化合物结构通过通式(VI
‑
1)至(VI
‑
7)表示：
[0044][0045]通式(VI
‑
1)至(VI
‑
7)中，
[0046]Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。
[0047]优选方案，所述化合物结构通过通式(V
‑
1)至(V
‑
2)表示：
[0048][0049]通式(V
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物，其特征在于，所述化合物结构如通式(I)所示：Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；R1表示为氢、氘、苯基、氰基；Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：所述化合物结构通过通式(II
‑
1)至(II
‑
3)表示：通式(II
‑
1)至(II
‑
3)中，Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；R1表示为氢、氘、苯基、氰基；Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：所述化合物结构通过通式(III
‑
1)至(III
‑
6)表示：
通式(III
‑
1)至(III
‑
6)中，Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；R1表示为氢、氘、苯基、氰基；Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：通式(I)中至多有两个Z1表示为氮原子。5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：所述化合物结构通过通式(VI
‑
1)至(VI
‑
7)表示：7)表示：
通式(VI
‑
1)至(VI
‑
7)中，Ar1表示为苯基或咔唑基或二苯并呋喃基。6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于：所述化合物结构通过通式(V
‑
1)至(V
‑
2)表示：通式(V
‑
1)至(V
‑
2)中，Z1表示为C
‑
R1或氮原子，且至少有一个Z1表示为氮原子；R1表示为氢、氘、苯基、氰基。7.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具体结构为：
中的任一种。8.一种有机电致发光器件，包含第一电极、第二电极和功能层，所述功能层位于第一电极和第二电极之间，所述功能层包括发光层，其特征在于，所述发光层含有权利要求1
‑
7任一项所述的氮杂二苯并呋喃修饰的三嗪类化合物。9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层中含有发光主体材料，所述发光主体材料由权利要求1
‑
7中任一项所述的化合物及通式(A)或通式(B)所示
化合物混合而成，通式(A)中，A1至A4彼此独立地代表取代或未取代的C6‑
C
20
的芳环，X1代表O、S、N(R
a

【专利技术属性】
技术研发人员：殷梦轩，张兆超，李崇，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：