一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件，属于半导体技术领域。本发明专利技术有机化合物的结构如通式(1)至通式(4)任一项所示，本发明专利技术的化合物具有窄半峰宽，合适的发光光色，可用作有机电致发光器件的发光层绿光掺杂材料，从而提升器件的发光色纯度和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。

技术介绍

1、传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，但多数磷光材料价格昂贵，材料稳定性较差，色纯度较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在oled的应用。

2、随着5g时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；而人眼更为敏感的绿光区域，研究主要集中在磷光掺杂材料，但其发光峰形难以通过简单方法缩窄，因此为满足更高的显色标准，研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。

3、另外，敏化技术将三线态激子敏化材料与荧光掺杂材料相结合，利用三线态激子敏化材料作为激本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)至通式(4)任一项所示：

2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(5)至通式(8)任一项所示：

3.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(9)至通式(40)任一项所示：

4.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(41)～通式(76)中任一种所示：

5.根据权利要求1-4任一项所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述R1、R3、R4、Ra、Rb、Rc、Rd、R...

【技术特征摘要】

1.一种含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)至通式(4)任一项所示：

2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(5)至通式(8)任一项所示：

3.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(9)至通式(40)任一项所示：

4.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(41)～通式(76)中任一种所示：

5.根据权利要求1-4任一项所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述r1、r3、r4、ra、rb、rc、rd、re分别独立地表示为氢原子、氘原子、卤素原子、金刚烷基、甲基、氘代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、异丙基、氘代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、n-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁啸，魏壮壮，曹旭东，段炼，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：