包括源/漏层的半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括第一沟道和第二沟道、第一栅极结构和第二栅极结构、第一源/漏层和第二源/漏层、第一鳍间隔物和第二鳍间隔物、以及第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案。第一沟道竖直设置在衬底的第一区域上。第二沟道竖直设置在衬底的第二区域上。第一栅极结构形成在第一区域上并且覆盖第一沟道。第二栅极结构形成在第二区域上并且覆盖第二沟道。第一源/漏层和第二源/漏层分别接触第一沟道和第二沟道。第一鳍间隔物和第二鳍间隔物分别接触第一源/漏层和第二源/漏层的侧壁和上表面。第一蚀刻停止图案和第二蚀刻停止图案分别形成在第一鳍间隔物和第二鳍间隔物上，并且分别不接触第一源/漏层和第二源/漏层。第一源/漏层和第二源/漏层。第一源/漏层和第二源/漏层。

【技术实现步骤摘要】
包括源/漏层的半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年6月30日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10
‑
2021
‑
0085552的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本公开涉及半导体器件，更具体地，涉及包括源/漏层的半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0004]随着半导体器件集成度的提高，半导体器件内的相邻元件之间的距离减小。在制造半导体器件的过程中，可以执行蚀刻工艺。在蚀刻工艺期间可以使用间隔物结构。提高的半导体器件集成度也可能导致更复杂的间隔物结构。当用于执行蚀刻工艺的间隔物结构具有包括多个层的复杂结构时，间隔物结构的厚度可能会增加，因此可能无法很好地执行蚀刻工艺。因此，半导体器件的元件可能不具有期望的形状和尺寸。

技术实现思路

[0005]一种半导体器件包括第一沟道、第二沟道、第一栅极结构、第二栅极结构、第一源/漏层、第二源/漏层、第一鳍间隔物、第二鳍间隔物、第一蚀刻停止图案和第二蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：多个第一沟道，设置在衬底的第一区域上，所述衬底包括所述第一区域和第二区域，所述多个第一沟道中的每一个在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开；多个第二沟道，设置在所述衬底的所述第二区域上并且在所述竖直方向上彼此间隔开；第一栅极结构，设置在所述衬底的所述第一区域上，所述第一栅极结构覆盖所述多个第一沟道中的每一个的至少一部分；第二栅极结构，设置在所述衬底的所述第二区域上，所述第二栅极结构覆盖所述多个第二沟道中的每一个的至少一部分；第一源/漏层，设置在所述衬底的所述第一区域与所述第一栅极结构相邻的部分上，所述第一源/漏层接触所述多个第一沟道；第二源/漏层，设置在所述衬底的所述第二区域与所述第二栅极结构相邻的部分上，所述第二源/漏层接触所述多个第二沟道；第一鳍间隔物，接触所述第一源/漏层的侧壁和上表面；第二鳍间隔物，接触所述第二源/漏层的侧壁和上表面；第一蚀刻停止图案，设置在所述第一鳍间隔物上，所述第一蚀刻停止图案不接触所述第一源/漏层；以及第二蚀刻停止图案，设置在所述第二鳍间隔物上，所述第二蚀刻停止图案不接触所述第二源/漏层。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一鳍间隔物和所述第二鳍间隔物中的每一个包括低k介电材料，并且所述第一蚀刻停止图案和所述第二蚀刻停止图案中的每一个包括氮化硅。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一鳍间隔物和所述第二鳍间隔物中的每一个包括碳氮氧化硅、氮氧化硅和/或碳氮化硅。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏层的上部具有沿第一方向截取的第一截面，所述第一截面具有五边形或六边形的形状，以及其中，所述第二源/漏层的上部具有沿第二方向截取的第二截面，所述第二截面具有带圆角的矩形的形状。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏层包括掺杂有p型杂质的半导体材料，并且所述第二源/漏层包括掺杂有n型杂质的半导体材料。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一有源图案，设置在所述衬底的所述第一区域上并且沿基本平行于所述衬底的上表面的第一方向延伸；第二有源图案，设置在所述衬底的所述第二区域上并且沿所述第一方向延伸；以及隔离图案，设置在所述衬底上，所述隔离图案覆盖所述第一有源图案和所述第二有源图案的侧壁，其中，所述多个第一沟道和所述第一源/漏层中的每一个形成在所述第一有源图案上，并且所述多个第二沟道和所述第二源/漏层中的每一个形成在所述第二有源图案上。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一鳍间隔物覆盖所述第一源/漏层
的上表面和所述第一源/漏层在与所述衬底的上表面基本平行且与所述第一方向交叉的第二方向上的相对侧壁，并且所述第一鳍间隔物接触所述隔离图案的在所述第二方向上与所述第一源/漏层相邻的部分的上表面，以及其中，所述第二鳍间隔物覆盖所述第二源/漏层的上表面和所述第二源/漏层在所述第二方向上的相对侧壁，并且所述第二鳍间隔物接触所述隔离图案的在所述第二方向上与所述第二源/漏层相邻的部分的上表面。8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构在所述第一有源图案和所述隔离图案上沿与所述衬底的上表面基本平行且与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且所述第二栅极结构在所述第二有源图案和所述隔离图案上沿所述第二方向延伸，以及其中，所述半导体器件还包括：第一栅极间隔物，覆盖所述第一栅极结构在所述第一方向上的一对相对侧壁中的每一个；以及第二栅极间隔物，覆盖所述第二栅极结构在所述第一方向上的一对相对侧壁中的每一个。9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一栅极间隔物包括与所述第一鳍间隔物相同的材料并且与所述第一鳍间隔物连接，并且所述第二栅极间隔物包括与所述第二鳍间隔物相同的材料并且与所述第二鳍间隔物连接。10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一栅极间隔物在所述第一方向上与所述第一源/漏层重叠的部分具有比所述第一源/漏层的最上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳亥俊，崔庆寅，金成玟，李承勋，金真范，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：