一种微显示器件制造技术

本申请属于半导体技术领域，特别是涉及一种微显示器件，包括衬底层、发光结构组件、第一电极、第二电极和绝缘层，发光结构组件包括依次位于衬底层一侧的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；第一电极与第一半导体层电连接，第一电极包括远离衬底层的第一端面；第二电极与第二半导体层电连接，第二电极包括远离衬底层的第二端面；绝缘层位于发光结构组件背离衬底层一侧，绝缘层包括第一绝缘部，第一绝缘部位于第一电极和第二电极之间，第一绝缘部包括远离衬底层的第三端面，第三端面比第一端面和第二端面均更加远离衬底层，提高微显示器件的良率。件的良率。件的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种微显示器件


[0001]本申请属于半导体
，特别是涉及一种微显示器件。

技术介绍

[0002]随着传统平板显示和微型投影显示技术的发展，未来可期的主流核心显示Micro
‑
LED无机发光二极管技术具有显著的性能优势越来越引起人们的广泛关注。Micro
‑
LED可视为微小化的LED，可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势，其未来将成为能与AMOLED显示并驾齐驱的新型显示技术。
[0003]同时对Micro
‑
LED的制造工艺过程中，芯片结构设计是提升LED出光效率的关键一环，随着芯片尺寸的逐渐缩小，缩小后的芯片在与背板倒装键合的过程容易出现短路的问题，造成尺寸极小的芯片的良率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请主要解决的技术问题是提供一种微显示器件，可以提高微显示器件的良率。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种微显示器件，包括衬底层、发光结构组件、第一电极、第二电极和绝缘层，发光结构组件包括依次位于衬底层一侧的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；第一电极与第一半导体层电连接，第一电极包括远离衬底层的第一端面；第二电极与第二半导体层电连接，第二电极包括远离衬底层的第二端面；绝缘层位于发光结构组件背离衬底层一侧，绝缘层包括第一绝缘部，第一绝缘部位于第一电极和第二电极之间，第一绝缘部包括远离衬底层的第三端面，第三端面比第一端面和第二端面均更加远离衬底层。
>[0006]其中，第一端面和第二端面位于同一水平面上，或第一端面和第二端面距离水平面之间的距离在预设误差范围内。
[0007]其中，第一半导体层一侧在衬底层的投影超出第二半导体层和多量子阱层同侧在衬底层的投影，使得第一半导体层的一侧露出于第二半导体层并形成第一台阶部；第一电极连接第一半导体层的第一台阶部。
[0008]其中，第二电极位于第二半导体层背离衬底层一侧。
[0009]其中，第一半导体层另一侧在衬底层的投影超出第二半导体层和多量子阱层同侧在衬底层的投影，使得第一半导体层的另一侧露出于第二半导体层并形成第二台阶部；绝缘层包括第二绝缘部，第二绝缘部覆盖第二半导体层背离衬底层的至少部分表面，且延伸至第二台阶部；第二电极位于第二绝缘部背离第二台阶部的表面；微显示器件还包括连接结构，连接结构连接第二电极和第二半导体层背离衬底的表面。
[0010]其中，第一电极和第二电极为同一蒸镀层。
[0011]其中，绝缘层覆盖第二半导体层远离衬底层的表面设置第一开孔，连接结构通过第一开孔与第二半导体层电连接；绝缘层覆盖第一台阶部，且位于第一台阶部的绝缘层设
置第二开孔，第一电极通过第二开孔与第一半导体层电连接。
[0012]其中，微显示器件还包括反光层，反光层覆盖第一半导体层的侧壁。
[0013]其中，反光层与连接结构的材质相同，反光层与连接结构为同一蒸镀层；反光层与第一半导体层的侧壁之间具有绝缘层。
[0014]其中，发光结构组件还包括导电层，导电层设置于第二半导体层远离衬底层的表面。
[0015]本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供的一种微显示器件通过设置绝缘层，且绝缘层的第一绝缘部位于第一电极和第二电极之间，使得第一绝缘部的第三端面比第一电极的第一端面和第二电极的第二端面均更加远离衬底层，使得第一绝缘部凸出于第一电极和第二电极之间，起到阻挡件的作用；使得本申请实施例的微显示器件在倒装焊于驱动背板上时，驱动背板和第一电极、第二电极之间通过焊液键合连接，在微显示器件与驱动背板在挤压键合的过程中，第一绝缘部与驱动背板接触，使得第一绝缘部可以阻挡焊液将第一电极和第二电极连接所造成的短路。本申请实施例中的微显示器件可以降低微显示器件在倒装到驱动背板键合的过程中第一电极和第二电极短路的风险，提高小尺寸或极小尺寸的微显示器件的良率。
附图说明
[0016]图1是本申请微显示器件第一实施例的剖面结构示意图；
[0017]图2是本申请微显示器件第二实施例的剖面结构示意图；
[0018]图3是本申请微显示器件第三实施例的剖面结构示意图；
[0019]图4是本申请微显示器件第四实施例的剖面结构示意图；
[0020]图5是本申请微显示器件一实施例的俯视结构示意图；
[0021]图6是本申请微显示器件另一实施例的俯视结构示意图；
[0022]图7是本申请微显示器件再一实施例的俯视结构示意图；
[0023]图8是本申请微显示器件又一实施例的俯视结构示意图；
[0024]图9是图2的俯视结构示意图；
[0025]图10是本申请微显示器件第五实施例的剖面结构示意图；
[0026]图11是本申请微显示器件第六实施例的剖面结构示意图。
[0027]其中，10、衬底层；11、蓝宝石衬底；12、缓冲层；20、发光结构组件；21、第一半导体层；211、第一台阶部；212、第二台阶部；22、多量子阱层；23、第二半导体层；24、导电层；30、第一电极；31、第一端面；40、第二电极；41、第二端面；50、绝缘层；51、第一绝缘部；511、第三端面；52、第二绝缘部；60、连接结构；70、反光层。
具体实施方式
[0028]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0029]如图1所示，本申请实施例提供一种微显示器件包括衬底层10、发光结构组件20、第一电极30、第二电极40和绝缘层50，发光结构组件20包括依次位于衬底层10一侧的第一半导体层21、多量子阱层22和第二半导体层23；第一电极30与第一半导体层21电连接，第一
电极30包括远离衬底层10的第一端面31；第二电极40与第二半导体层23电连接，第二电极40包括远离衬底层10的第二端面41；绝缘层50位于发光结构组件20背离衬底层10一侧，绝缘层50包括第一绝缘部51，第一绝缘部51位于第一电极30和第二电极40之间，第一绝缘部51包括远离衬底层10的第三端面511，第三端面511比第一端面31和第二端面41均更加远离衬底层10。
[0030]本申请实施例中，微显示器件通过设置绝缘层50，且绝缘层50的第一绝缘部51位于第一电极30和第二电极40之间，使得第一绝缘部51的第三端面511比第一电极30的第一端面31和第二电极40的第二端面41均更加远离衬底层10，即可以使得第一绝缘部51距离衬底层10所在水平面的高度大于第一电极30和第二电极40分别距离衬底层10所在水平面的高度，使得第一绝缘部51凸出于第一电极30和第二电极40之间，起到阻挡件的作用；使得本申请实施例的微显示器件在倒装焊于驱动背板上时，驱动背板和第一电极30、第二电极40之间通过焊液键合连接，在微显示器件与驱动背板在挤压键合的过程中，第一绝缘部51与驱动背板接触，形成密封结构，使得第一绝缘部5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微显示器件，其特征在于，包括：衬底层，发光结构组件，包括依次位于所述衬底层一侧的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第一电极包括远离所述衬底层的第一端面；第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述第二电极包括远离所述衬底层的第二端面；绝缘层，所述绝缘层位于所述发光结构组件背离所述衬底层一侧，所述绝缘层包括第一绝缘部，所述第一绝缘部位于所述第一电极和第二电极之间，所述第一绝缘部包括远离所述衬底层的第三端面，所述第三端面比所述第一端面和所述第二端面均更加远离所述衬底层。2.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述第一端面和所述第二端面位于同一水平面上，或所述第一端面和所述第二端面距离水平面之间的距离在预设误差范围内。3.根据权利要求1所述的微显示器件，其特征在于，所述第一半导体层一侧在所述衬底层的投影超出所述第二半导体层和所述多量子阱层同侧在所述衬底层的投影，使得所述第一半导体层的所述一侧露出于所述第二半导体层并形成第一台阶部；所述第一电极连接所述第一半导体层的所述第一台阶部。4.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，所述第二电极位于所述第二半导体层背离所述衬底层一侧。5.根据权利要求3所述的微显示器件，其特征在于，所述第一半导体层另一侧在所述衬底层的投影超出所述第二半导体层和所述多量...

【专利技术属性】
技术研发人员：田文亚，高文龙，盛翠翠，吴跃波，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：