一种防金属迁移的发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种防金属迁移的发光二极管，该发光二极管包括衬底以及设于衬底上的外延结构，外延结构包括依次层叠设置在衬底上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层，在P型半导体层上设有透明导电层，N型半导体层和P型半导体层分别电性连接有第一电极和第二电极，在第一电极和第二电极上设有延展层以及氧化层，延展层以及氧化层均设于第一电极和第二电极的边缘位置。本实用新型专利技术通过设置延展层，并在延展层上氧化形成具有绝缘性、钝化惰性的氧化层达到保护电极的作用；利用延展层的延展性，避免打线时挤压电极发生钝化层破裂的现象；在电极发生电化学腐蚀反应时，不会形成金属枝晶短路。属枝晶短路。属枝晶短路。

【技术实现步骤摘要】
一种防金属迁移的发光二极管


[0001]本技术涉及显示
，特别涉及一种防金属迁移的发光二极管。

技术介绍

[0002]LED芯片因其高亮度、低电压、低能耗、寿命长等优点广泛的应用在照明、户内外显示屏、背光源、显示灯等各个领域。所面临的使用条件和环境各种各样，尤其是在户内外显示屏使用环境更加严苛。在显示屏终端应用过程中受到高温、水汽、化学腐蚀等环境影响。芯片通电点亮(正向电流)及关闭(负向电压)的状态下，金属元素被电解成离子状态，在正向电流及负向电压的电场作用下发生迁移的现象，导致死灯异常。
[0003]在传统的工艺过程中，通过用钝化层对电极边缘侧壁进行包覆保护，以阻挡水汽和金属离子的迁移，此种方式形成的保护层无法完全阻挡金属离子的迁移，因为在实际焊线过程中，由于打线力度较大导致包覆电极的钝化层发生破裂而无法起到保护作用。

技术实现思路

[0004]基于此，本技术的目的是提供一种防金属迁移的发光二极管，用于解决上述现有技术中的不足。
[0005]本技术一方面提出一种防金属迁移的发光二极管，包括衬底以及设于所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防金属迁移的发光二极管，其特征在于，包括衬底以及设于所述衬底上的外延结构，所述外延结构包括依次层叠设置在所述衬底上的N型半导体层、量子阱层、P型半导体层，在所述P型半导体层上设有透明导电层，所述N型半导体层和所述P型半导体层分别电性连接有第一电极和第二电极，在所述第一电极和所述第二电极上设有延展层以及氧化层，所述延展层以及所述氧化层均设于所述第一电极和所述第二电极的边缘位置。2.根据权利要求1所述的防金属迁移的发光二极管，其特征在于，在所述延展层和所述氧化层之间设有过渡层，所述过渡层用于提供应力缓冲。3.根据权利要求2所述的防金属迁移的发光二极管，其特征在于，在所述氧化层以及所述透明导电层上覆盖有钝化层，所述钝化层上开设有两通孔，两所述通孔与所述第一电极和所述第二电极对应设置、且用于暴露所述第一电极和所述第二电极。4.根据权利要求1所述的防金属迁移的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星星，李美玲，陈越，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：