【技术实现步骤摘要】
纳米棒发光器件、其制造方法及包括其的显示装置
[0001]公开的实施方式涉及具有改善的发光效率的纳米棒发光器件及其制造方法。此外，公开的实施方式涉及包括纳米棒发光器件的显示装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(LED)由于其与传统光源相比的诸如长寿命、低功耗、快响应速度和环境友好的优势而被认为是下一代光源。由于这些优势，对LED的工业需求正在增加。LED普遍应用并使用于各种产品，诸如照明器件和显示装置的背光。
[0003]最近，已经开发了使用II
‑
VI族或III
‑
V族化合物半导体的微型LED的微单元或纳米单元。另外，已经开发了包括直接用作显示像素的发光元件的微型LED的微型LED显示器。然而，当如上所述将LED小型化为微单元或纳米单元时，LED的发光效率可能由于表面缺陷而降低。
技术实现思路
[0004]提供了通过减少表面缺陷而具有改善的发光效率的纳米棒发光器件。
[0005]此外，提供了制造能够减少表面缺陷的纳米棒发光器件的方法。
[000...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种纳米棒发光器件，包括：半导体发光纳米棒；以及围绕所述半导体发光纳米棒的侧壁并具有绝缘特性的钝化膜，其中所述钝化膜包括具有与所述半导体发光纳米棒的晶体结构基本相同的晶体结构的绝缘晶体材料。2.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，其中所述钝化膜与所述半导体发光纳米棒具有晶格匹配外延关系或晶畴匹配外延关系。3.如权利要求2所述的纳米棒发光器件，其中所述钝化膜的晶格常数与所述半导体发光纳米棒的晶格常数之间的差异在所述半导体发光纳米棒的所述晶格常数的
±
30％内。4.如权利要求2所述的纳米棒发光器件，其中所述钝化膜的晶格常数与所述半导体发光纳米棒的晶格常数的整数倍之间的差异在所述半导体发光纳米棒的所述晶格常数的
±
30％内。5.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，其中所述钝化膜的能带隙大于所述半导体发光纳米棒的能带隙。6.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，其中所述钝化膜包括ZrO、SrO、MgO、BaO、CeO2、Gd2O3、CaO、HfO2、TiO2、AlO
x
、BaN、SiN、TiN、CeN、AlN、ZnSe、ZnS、AlGaN和Al
x
Ga1‑
x
As当中的至少一种，其中x≥0.9。7.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，其中所述钝化膜的厚度在5nm至20nm的范围内。8.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，还包括设置在所述半导体发光纳米棒和所述钝化膜之间以直接围绕所述半导体发光纳米棒的所述侧壁的保护膜，其中所述保护膜包括具有与所述半导体发光纳米棒的所述晶体结构基本相同的晶体结构的绝缘晶体材料。9.如权利要求8所述的纳米棒发光器件，其中所述保护膜的能带隙大于所述半导体发光纳米棒的能带隙，以及其中所述钝化膜的能带隙大于或等于所述保护膜的所述能带隙。10.如权利要求8所述的纳米棒发光器件，其中所述保护膜的厚度在0.5nm至5nm的范围内。11.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，还包括围绕所述钝化膜的侧壁的绝缘膜，其中所述绝缘膜包括非晶绝缘材料。12.如权利要求11所述的纳米棒发光器件，其中所述绝缘膜的厚度在40nm至70nm的范围内。13.如权利要求11所述的纳米棒发光器件，其中所述绝缘膜的能带隙大于所述钝化膜的能带隙。14.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，其中所述半导体发光纳米棒包括：掺有第一导电类型的第一杂质的第一半导体层；设置在所述第一半导体层上的发光层；以及
第二半导体层，设置在所述发光层上并掺有与所述第一导电类型电性相反的第二导电类型的第二杂质。15.如权利要求14所述的纳米棒发光器件，其中所述半导体发光纳米棒还包括设置在所述第二半导体层上的透明电极。16.如权利要求1所述的纳米棒发光器件，其中所述半导体发光纳米棒具有在1μm至20μm的范围内的高度以及在0.05μm至2μm的范围内的外径。17.一种显示装置，包括：像素电极；公共电极；以及设置在所述像素电极和所述公共电极之间的纳米棒发光器件，其中所述纳米棒发光器件包括：半导体发光纳米棒；以及围绕所述半导体发光纳米棒的侧壁并具有绝缘特性的钝化膜，以及其中所述钝化膜包括具有与所述半导体发光纳米棒的晶体结构基本相同的晶体结构的绝缘晶体材料。18.一种制造纳米棒发光器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成掺有第一导电类型的第一杂质的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成发光层；在所述发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔濬熙，韩周宪，金洛铉，金柱成，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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